正極材料包覆 參考價：面議
正極材料包覆（Atomic layer deposition)是通過將氣相前驅體脈沖交替地通入反應腔體內并在沉積基體上化學吸附并反應而形成沉積膜的一種技術，具有...
粉末原子層沉積設備 參考價：面議
粉體包覆（Atomic layer deposition)是通過將氣相前驅體脈沖交替地通入反應腔體內并在沉積基體上化學吸附并反應而形成沉積膜的一種技術，具有自限...
雙腔體高真空等離子體原子層沉積系統(tǒng) 參考價：面議
雙腔體高真空等離子體原子層沉積系統(tǒng)是通過將氣相前驅體脈沖交替地通入反應腔體內并在沉積基體上化學吸附并反應而形成沉積膜的一種技術，具有自限性和自飽和。原子層沉積技...
PALD廠家 參考價：面議
桌面式原子層沉積系統(tǒng)PALD廠家（Atomic layer deposition)是通過將氣相前驅體脈沖交替地通入反應腔體內并在沉積基體上化學吸附并反應而形成沉...
粉末ALD廠家 參考價：面議
粉末ALD廠家（Atomic layer deposition)是通過將氣相前驅體脈沖交替地通入反應腔體內并在沉積基體上化學吸附并反應而形成沉積膜的一種技術，具...
雙腔體高真空等離子體原子層沉積系統(tǒng) 參考價：面議
雙腔室高真空等離子體ALD設備是對ALD技術的擴展，通過等離子體的引入，產生大量活性自由基，增強了前驅體物質的反應活性，從而拓展了ALD對前驅源的選擇范圍和應用...
ALD 參考價：面議
桌面式原子層沉積系統(tǒng)ALD（Atomic layer deposition)是通過將氣相前驅體脈沖交替地通入反應腔體內并在沉積基體上化學吸附并反應而形成沉積膜的...
原子層沉積設備廠家 參考價：面議
原子層沉積設備廠家（Atomic layer deposition)是通過將氣相前驅體脈沖交替地通入反應腔體內并在沉積基體上化學吸附并反應而形成沉積膜的一種技術...
原子層沉積系統(tǒng)廠家 參考價：面議
原子層沉積系統(tǒng)廠家（Atomic layer deposition)是通過將氣相前驅體脈沖交替地通入反應腔體內并在沉積基體上化學吸附并反應而形成沉積膜的一種技術...
桌面式原子層沉積系統(tǒng) 參考價：面議
桌面式原子層沉積系統(tǒng)ALD（Atomic layer deposition)是通過將氣相前驅體脈沖交替地通入反應腔體內并在沉積基體上化學吸附并反應而形成沉積膜的...
粉末原子層沉積 參考價：面議
粉末原子層沉積（Atomic layer deposition)是通過將氣相前驅體脈沖交替地通入反應腔體內并在沉積基體上化學吸附并反應而形成沉積膜的一種技術，具...
等離子體原子層沉積 參考價：面議
雙腔體等離子體原子層沉積系統(tǒng)是通過將氣相前驅體脈沖交替地通入反應腔體內并在沉積基體上化學吸附并反應而形成沉積膜的一種技術，具有自限性和自飽和。原子層沉積技術主要...
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