高溫高壓光學(xué)浮區(qū)爐

 日本CSC司推出的高溫高壓光學(xué)浮區(qū)法單晶爐能夠提供2200℃以上的生長溫度，晶體生長腔壓力可達(dá)300bar，甚至10-5mbar的高真空。適用于生長各種超導(dǎo)材料單晶，介電和磁性材料單晶，氧化物及金屬間化合物單晶等。

模型fz - t - 10000 h -八世(vpo)電腦

鹵素?zé)粝到y(tǒng)

燈和鏡子的數(shù)量4個

鏡子數(shù)量4片

大氣

壓力

壓力0.95 MPa

真空6.7×10-3Pa (5×10-5 Torr)

室

(石英管)

常壓φ 50mm / 365 mm長/ 2mm厚

高壓φ 50mm / 365 mm長/ 5mm厚

軸密封為o型密封圈

Max。溫度2200℃

常溫1850℃

燈功率1200w (300W × 4個燈)

4,000W (1,000W x 4盞燈)

6,000W (1,500W × 4盞燈)

鏡臺/軸鏡臺與上軸垂直轉(zhuǎn)移

周圍溫差

桿面

＜30℃

燈具冷卻空氣

鏡面冷卻空氣

Max。晶體長度(mm) 150

Max。進(jìn)給長度(mm) 150

生長罕見緩慢移動0.01~300mm/hr

生長速度快移6~150mm/min

軸轉(zhuǎn)速5~100rpm

監(jiān)控CCD攝像頭和LCD

控制系統(tǒng)計(jì)算機(jī)LabVIEW / Windows 10(帶遠(yuǎn)程控制功能)

手動Hand-control-box

①5L/min氬氣流量計(jì)(*1)

②500cc/min氧流量計(jì)

③10L/min帶壓縮機(jī)的空氣流量計(jì)

公用事業(yè)電力3相200V, 40A

水冷：3 ~ 5 l / min

尺寸(mm)主體W850×D760×H1950

控制箱W605×D760×H1700

備注:

1. 可選燈功率:150W / 500W / 750W

2. (*1)可更改其他類型的氣體和流量。

3. 質(zhì)量保證:

Crystal Systems Corporation保證自安裝之日起一(1)年內(nèi)有效，但以下情況除外

不正常使用。(1)燈(2)鏡子(3)石英管等玻璃器皿不在保修期內(nèi)。