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深圳市矢量科學(xué)儀器有限公司

  • RIBER分子束外延4 英寸中試生產(chǎn)系統(tǒng)

    RIBER分子束外延4 英寸中試生產(chǎn)系統(tǒng)正受到越來越多與工業(yè)合作伙伴合作開展應(yīng)用項(xiàng)目的關(guān)鍵研究機(jī)構(gòu)的關(guān)注。這種興趣的增加部分歸因于 4 英寸（或 3 x 2 英...
    型號(hào)： MBE 412 所在地：法國(guó) 參考價(jià)： 面議 更新時(shí)間：2025/6/5 21:57:45 對(duì)比

  • 掩模對(duì)準(zhǔn)光刻機(jī)

    掩模對(duì)準(zhǔn)光刻機(jī)是用于 300 mm 和 200 mm 晶圓的高度自動(dòng)化掩模對(duì)準(zhǔn)平臺(tái)。SUSS MicroTec 的 MA300 Gen3 是一款高度自動(dòng)化的掩模...
    型號(hào)： MA300 Gen... 所在地：國(guó)外 參考價(jià)： 面議 更新時(shí)間：2025/6/5 21:53:37 對(duì)比

  • 緊透尺寸檢測(cè)系統(tǒng)

    可靠、快速和可重復(fù)的手動(dòng)和自動(dòng)檢測(cè)基于VoidInspect的自動(dòng)氣泡計(jì)算易于使用的動(dòng)態(tài)增強(qiáng)過濾功能，例如eHDR使用micro3Dslice和FF CT軟件的...
    型號(hào)： Cougar EV... 所在地：深圳市 參考價(jià)： 面議 更新時(shí)間：2025/6/5 21:51:43 對(duì)比

  • MBE分子束外延系統(tǒng)

    RIBERMBE分子束外延系統(tǒng)Compact 21 已成為有史以來最成功的商用 3 英寸 MBE 系統(tǒng)。憑借核心 Compact 21 DNA 在所有配置（II...
    型號(hào)： Compact 2... 所在地：法國(guó) 參考價(jià)： 面議 更新時(shí)間：2025/6/5 21:49:28 對(duì)比

  • 原子層沉積儀器ALD

    用于電池、太陽能和柔性電子產(chǎn)品的功能性原子層沉積涂層，是涂布任何卷筒格式基材以及多種功能應(yīng)用的理想選擇。各種類型鋰離子和固態(tài)電池的陰極和陽極的鈍化，用于柔性太陽...
    型號(hào)： Genesis A... 所在地：臺(tái)北市 參考價(jià)： 面議 更新時(shí)間：2025/6/5 21:46:58 對(duì)比

  • 涂膠和顯影機(jī)

    ACS200 Gen3 涂膠和顯影機(jī)是創(chuàng)新組件和經(jīng)過生產(chǎn)驗(yàn)證的組件結(jié)合的成功結(jié)果。它具有多達(dá) 4 個(gè)濕法工藝模塊和最多 19 塊板的能力，非常適合大批量生產(chǎn) （...
    型號(hào)： ACS200 Ge... 所在地：深圳市 參考價(jià)： 面議 更新時(shí)間：2025/6/5 21:45:12 對(duì)比

  • 涂膠與顯影機(jī)

    ACS300 Gen2 涂布機(jī)和顯影劑用于晶圓級(jí)封裝的生產(chǎn)旋涂/開發(fā)集群ACS300 Gen2 是一個(gè)模塊化集群系統(tǒng)，旨在滿足制造商對(duì) 200 和 300 毫米...
    型號(hào)： ACS300 Ge... 所在地：深圳市 參考價(jià)： 面議 更新時(shí)間：2025/6/5 21:41:23 對(duì)比

  • 氣相分解金屬沾污收集（VPD）設(shè)備

    詳細(xì)介紹Seehund® A型氣相分解金屬沾污收集設(shè)備（VPD）是專為集成電路制造、大晶圓生產(chǎn)及再生、先導(dǎo)工藝研發(fā)等行業(yè)提供金屬沾污控制方案的產(chǎn)品。由...
    型號(hào)： Seehund&#... 所在地：徐州市 參考價(jià)： 面議 更新時(shí)間：2025/6/5 21:37:25 對(duì)比

  • 8英寸等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備

    詳細(xì)介紹Shale® A系列等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備（PECVD），通過平行電容板電場(chǎng)放電產(chǎn)生等離子體，可以在400℃及以下沉積比較致密、均勻性較...
    型號(hào)： Shale... 所在地：深圳市 參考價(jià)： 面議 更新時(shí)間：2025/6/5 21:35:35 對(duì)比

  • 8英寸電感耦合等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備

    Shale® C系列電感耦合等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備（ICP-CVD），通過電感耦合（ICP）產(chǎn)生高密度等離子體，并通過電容耦合（CCP）產(chǎn)生偏壓，可...
    型號(hào)： Shale... 所在地：徐州市 參考價(jià)： 面議 更新時(shí)間：2025/6/5 21:33:51 對(duì)比

  • 電容耦合等離子體刻蝕（CCP）設(shè)備

    詳細(xì)介紹CCP腔室適用于制造微納結(jié)構(gòu)的等離子刻蝕技術(shù)。在反應(yīng)離子刻蝕過程中，等離子體中會(huì)包含大量的活性粒子，與表面原子產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，生成可揮發(fā)產(chǎn)物后，隨真空抽氣...
    型號(hào)： Haasrode&... 所在地：徐州市 參考價(jià)： 面議 更新時(shí)間：2025/6/5 21:31:59 對(duì)比

  • 8英寸電感耦合等離子體-深硅刻蝕設(shè)備

    Pishow® D 系列深刻蝕設(shè)備，是針對(duì)8英寸~6英寸產(chǎn)線或科研深硅刻蝕工藝的專用設(shè)備，擁有自主開發(fā)的優(yōu)化設(shè)計(jì)，保證了優(yōu)異的刻蝕精度控制和損傷控制。...
    型號(hào)： Pishow... 所在地：徐州市 參考價(jià)： 面議 更新時(shí)間：2025/6/5 21:29:54 對(duì)比

  • 8英寸電感耦合等離子體刻蝕設(shè)備

    詳細(xì)介紹ICP是一種加工微納結(jié)構(gòu)的8英寸電感耦合等離子體刻蝕設(shè)備。具有刻蝕快、選擇比高、各項(xiàng)異性高、刻蝕損傷小、均勻性好、斷面輪廓可控性高、刻蝕表面平整度高等優(yōu)...
    型號(hào)： Pishow... 所在地：徐州市 參考價(jià)： 面議 更新時(shí)間：2025/6/5 21:28:05 對(duì)比

  • 8英寸金屬刻蝕設(shè)備

    Kessel™ Pishow® M 金屬刻蝕設(shè)備為可用于8英寸的IC產(chǎn)線鋁金屬工藝的量產(chǎn)型機(jī)臺(tái)，基于自有開發(fā)的優(yōu)化設(shè)計(jì)，保證了優(yōu)異的刻蝕均...
    型號(hào)： Kessel... 所在地：徐州市 參考價(jià)： 面議 更新時(shí)間：2025/6/5 21:25:35 對(duì)比

  • 8英寸硅刻蝕設(shè)備

    Tebaank® Pishow® P 硅刻蝕設(shè)備是面向8英寸集成電路制造的量產(chǎn)型設(shè)備設(shè)備由電感耦合等離子體刻蝕腔（ICP etch cham...
    型號(hào)： Tebaank&#... 所在地：徐州市 參考價(jià)： 面議 更新時(shí)間：2025/6/5 21:24:03 對(duì)比

  • 12英寸金屬刻蝕設(shè)備

    Herent® Chimera® M 金屬刻蝕設(shè)備，為針對(duì)12英寸IC產(chǎn)業(yè)0.18微米以下后道高密度鋁導(dǎo)線互連工藝所開發(fā)的專用產(chǎn)品， 同時(shí)也...
    型號(hào)： Herent... 所在地：徐州市 參考價(jià)： 面議 更新時(shí)間：2025/6/5 21:22:06 對(duì)比

  • 12英寸硬掩膜刻蝕設(shè)備

    Herent® Chimera® A 金屬硬掩膜刻蝕設(shè)備，為針對(duì) 12 英寸 IC 產(chǎn)業(yè)的后道銅互連中氮化鈦（TiN）金屬硬掩膜刻蝕（met...
    型號(hào)： Herent... 所在地：徐州市 參考價(jià)： 面議 更新時(shí)間：2025/6/5 21:19:45 對(duì)比

  • 8英寸離子束沉積（IBD）設(shè)備

    Ganister™ A離子束沉積設(shè)備，是針對(duì)低溫、高致密、高均勻性薄膜沉積工藝所開發(fā)的專用產(chǎn)品，在硬盤磁頭、硬磁偏置層、布拉格反射鏡等器件的制備中有...
    型號(hào)： Ganister&... 所在地：徐州市 參考價(jià)： 面議 更新時(shí)間：2025/6/5 21:17:21 對(duì)比

  • 8英寸離子束塑形（IBS）設(shè)備

    Lorem® A 系列常規(guī) IBS 設(shè)備，由離子源柵極引出正離子并加速，中性束流撞擊樣品表面，濺射形成刻蝕圖像。由于等離子體的產(chǎn)生遠(yuǎn)離晶圓空間，起輝不...
    型號(hào)： Lorem... 所在地：徐州市 參考價(jià)： 面議 更新時(shí)間：2025/6/5 21:15:45 對(duì)比

  • 12英寸離子束塑形（IBS) 設(shè)備

    Pangea®A系列常規(guī)IBS設(shè)備由離子源柵極引出正離子并加速，中性束流撞擊樣品表面，濺射形成刻蝕圖像。由于等離子體的產(chǎn)生遠(yuǎn)離晶圓空間，起輝不受非揮發(fā)...
    型號(hào)： Pangea... 所在地：徐州市 參考價(jià)： 面議 更新時(shí)間：2025/6/5 21:13:49 對(duì)比
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