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西安昊然生物科技有限公司
初級(jí)會(huì)員 | 第5年

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  • 多孔鎳負(fù)載碳納米管(Ni/CNTs)

    多孔鎳負(fù)載碳納米管(Ni/CNTs)作為一種納米復(fù)合材料,在多個(gè)領(lǐng)域都展現(xiàn)出了應(yīng)用潛力。在能源轉(zhuǎn)換與存儲(chǔ)、催化以及傳感器技術(shù)等方面,Ni/CNTs因其結(jié)構(gòu)和性質(zhì)...

    型號(hào): 所在地:西安市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/3/20 16:29:34 對(duì)比
    多孔鎳負(fù)載碳納米管Ni/CNTs碳納米管CNT
  • ZrO2負(fù)載多壁碳納米管(ZrO2-MWCT)

    ZrO2負(fù)載多壁碳納米管(ZrO2-MWCT)ZrO2負(fù)載多壁碳納米管是一種納米復(fù)合材料,結(jié)合了ZrO2的性能和多壁碳納米管(MWCT)的導(dǎo)電性、高比表面積以及...

    型號(hào): 所在地:西安市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/3/20 16:28:56 對(duì)比
    ZrO2負(fù)載多壁碳納米管ZrO2-MWCT多壁碳納米管碳納米管
  • 羧基化的碳納米管(CNT)接枝烯丙基

    羧基化的碳納米管(CNT)接枝烯丙基烯丙基作為一種具有雙鍵的有機(jī)基團(tuán),可以通過(guò)化學(xué)反應(yīng)與羧基化的碳納米管形成穩(wěn)定的化學(xué)鍵,從而實(shí)現(xiàn)對(duì)碳納米管的化學(xué)修飾和功能化。

    型號(hào): 所在地:西安市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/3/20 16:10:25 對(duì)比
    羧基化的碳納米管(CNT)接枝烯丙基羧基化的碳納米管碳納米管烯丙基
  • 薄膜、六方氮化硼薄膜

    薄膜、六方氮化硼薄膜六方氮化硼(h-BN,也稱(chēng)為白色石墨烯)薄膜是由氮和硼元素組成的材料,具有六方晶格結(jié)構(gòu)。

    型號(hào): 所在地:西安市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/1/31 10:27:48 對(duì)比
    六方氮化硼薄膜薄膜
  • 薄膜、SEM氮化硅膜窗格

    薄膜、SEM氮化硅膜窗格SEM氮化硅膜窗格指的是一種通過(guò)掃描電子顯微鏡(Scanning Electron Microscopy,SEM)觀察的氮化硅薄膜,該薄...

    型號(hào): 所在地:西安市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/1/31 10:17:47 對(duì)比
    SEM氮化硅膜窗格薄膜
  • TEM多/單窗格氮化硅膜

    TEM多/單窗格氮化硅膜TEM多窗格氮化硅膜指的是一種通過(guò)透射電子顯微鏡(Transmission Electron Microscopy,TEM)觀察的氮化硅...

    型號(hào): 所在地:西安市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/1/31 9:57:33 對(duì)比
    TEM多窗格氮化硅膜TEM單窗格氮化硅膜
  • 薄膜、TEM微孔氮化硅膜

    薄膜、TEM微孔氮化硅膜微孔氮化硅膜指的是具有微小孔隙結(jié)構(gòu)的氮化硅(Silicon Nitride)薄膜。這種結(jié)構(gòu)可能在納米尺度上具有特殊的電學(xué)、光學(xué)或傳感性質(zhì)...

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    氮化硅薄膜TEM微孔氮化硅膜
  • 薄膜、TEM納米孔氮化硅膜

    薄膜、TEM納米孔氮化硅膜TEM納米孔氮化硅膜指的是通過(guò)透射電子顯微鏡(Transmission Electron Microscopy,TEM)觀察的具有納米...

    型號(hào): 所在地:西安市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/1/31 9:32:02 對(duì)比
    TEM納米孔氮化硅膜薄膜
  • TL-400原位TEM液體芯片、薄膜

    TL-400原位TEM液體芯片、薄膜TL-400液體芯片可以實(shí)現(xiàn)高分辨原位TEM液體觀測(cè),分辨率可以達(dá)到1nm以上。液體芯片中間有40 x 40 x 0.1um...

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    TL-400原位TEM液體芯片薄膜
  • TBL-500原位SEM液體芯片、薄膜

    TBL-500原位SEM液體芯片、薄膜TBL-500液體芯片可以實(shí)現(xiàn)高分辨原位同步輻射和SEM液體(兼容掃描透射模式)觀測(cè)。液體芯片中間有400 x 800 x...

    型號(hào): 所在地:西安市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/1/30 17:34:48 對(duì)比
    TBL-500原位SEM液體芯片
  • CVD二維薄膜、鉍氧硒薄膜(Bi2O2Se)

    CVD二維薄膜、鉍氧硒薄膜(Bi2O2Se)鉍氧硒是一種氧化鉍和硒元素組成的化合物,屬于二維材料家族。它的電學(xué)和光學(xué)性質(zhì)使其在光電子學(xué)和光催化等領(lǐng)域引起關(guān)注。

    型號(hào): 所在地:西安市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/1/30 17:30:31 對(duì)比
    CVD二維薄膜鉍氧硒薄膜Bi2O2Se
  • CVD二維薄膜、碲化銻薄膜(Sb2Te3)

    CVD二維薄膜、碲化銻薄膜(Sb2Te3)碲化銻是一種拓?fù)浣^緣體,同時(shí)也是一種熱電材料。在薄層形式下,它具有電學(xué)性質(zhì),表現(xiàn)出拓?fù)浣^緣體行為。

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    CVD二維薄膜碲化銻薄膜Sb2Te3
  • CVD二維薄膜、碲化鉍薄膜(Bi2Te3)

    CVD二維薄膜、碲化鉍薄膜(Bi2Te3)碲化鉍是一種三維拓?fù)浣^緣體,同時(shí)也是熱電材料。其在薄層形式下具有特殊的電學(xué)性質(zhì),表現(xiàn)出拓?fù)浣^緣體的行為。

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    CVD二維薄膜碲化鉍薄膜Bi2Te3
  • CVD二維薄膜、硒化鉍薄膜(Bi2Se3)

    CVD二維薄膜、硒化鉍薄膜(Bi2Se3)硒化鉍是一種三維拓?fù)浣^緣體,具有電學(xué)性質(zhì)。它在薄層形式下也可以表現(xiàn)出二維電學(xué)特性。

    型號(hào): 所在地:西安市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/1/30 17:18:49 對(duì)比
    CVD二維薄膜硒化鉍薄膜Bi2Se3
  • CVD二維薄膜、二硒化錫薄膜(SnSe2)

    CVD二維薄膜、二硒化錫薄膜(SnSe2)二硒化錫是由錫和硒元素組成的化合物,屬于二維材料家族。它具有半導(dǎo)體性質(zhì),且在單層形式下表現(xiàn)出特殊的電學(xué)和光學(xué)性質(zhì)。

    型號(hào): 所在地:西安市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/1/30 17:16:24 對(duì)比
    CVD二維薄膜二硒化錫薄膜SnSe2
  • CVD二維薄膜、二硫化錫薄膜(SnS2)

    CVD二維薄膜、二硫化錫薄膜(SnS2)二硫化錫是一種硫族元素和錫元素組成的化合物,屬于二維材料。它具有半導(dǎo)體性質(zhì),適用于一些電子學(xué)和光電子學(xué)應(yīng)用。

    型號(hào): 所在地:西安市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/1/30 17:13:22 對(duì)比
    CVD二維薄膜二硫化錫薄膜SnS2
  • CVD二維薄膜、二硒化錸薄膜(ReSe2)

    CVD二維薄膜、二硒化錸薄膜(ReSe2)二硒化錸是一種過(guò)渡金屬硒族化合物,屬于二維材料家族。它具有電學(xué)和光學(xué)性質(zhì),例如在單層形式下的調(diào)制的能隙。

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    CVD二維薄膜二硒化錸薄膜ReSe2
  • CVD二維薄膜、二硫化錸薄膜(ReS2)

    CVD二維薄膜、二硫化錸薄膜(ReS2)二硫化錸是一種過(guò)渡金屬硫族化合物,屬于二維材料家族。它具有特殊的電學(xué)和光學(xué)性質(zhì),例如在單層形式下表現(xiàn)出的直接能隙。

    型號(hào): 所在地:西安市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/1/30 17:04:34 對(duì)比
    CVD二維薄膜二硫化錸薄膜ReS2
  • 二碲化鎳薄膜、NiTe2薄膜、CVD二維薄膜

    二碲化鎳薄膜、NiTe2薄膜、CVD二維薄膜二碲化鎳是一種過(guò)渡金屬二碲族化合物,屬于二維材料家族。它具有電學(xué)、光學(xué)和磁學(xué)性質(zhì),因此引起了研究人員的興趣。

    型號(hào): 所在地:西安市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/1/29 16:12:32 對(duì)比
    二碲化鎳薄膜NiTe2薄膜CVD二維薄膜
  • 二碲化鉬薄膜、MoTe2薄膜、CVD二維薄膜

    二碲化鉬薄膜、MoTe2薄膜、CVD二維薄膜二碲化鉬是一種二維過(guò)渡金屬二碲族化合物。它屬于過(guò)渡金屬二硫族化合物家族,具有特殊的電學(xué)、光學(xué)和磁學(xué)性質(zhì)。

    型號(hào): 所在地:西安市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/1/29 16:10:30 對(duì)比
    二碲化鉬薄膜MoTe2薄膜CVD二維薄膜

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