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薄膜、六方氮化硼薄膜六方氮化硼（h-BN，也稱為白色石墨烯）薄膜是由氮和硼元素組成的材料，具有六方晶格結(jié)構(gòu)。

薄膜、SEM氮化硅膜窗格SEM氮化硅膜窗格指的是一種通過(guò)掃描電子顯微鏡（Scanning Electron Microscopy，SEM）觀察的氮化硅薄膜，該薄...

TEM多/單窗格氮化硅膜TEM多窗格氮化硅膜指的是一種通過(guò)透射電子顯微鏡（Transmission Electron Microscopy，TEM）觀察的氮化硅...

薄膜、TEM微孔氮化硅膜微孔氮化硅膜指的是具有微小孔隙結(jié)構(gòu)的氮化硅（Silicon Nitride）薄膜。這種結(jié)構(gòu)可能在納米尺度上具有特殊的電學(xué)、光學(xué)或傳感性質(zhì)...

薄膜、TEM納米孔氮化硅膜TEM納米孔氮化硅膜指的是通過(guò)透射電子顯微鏡（Transmission Electron Microscopy，TEM）觀察的具有納米...

TL-400原位TEM液體芯片、薄膜TL-400液體芯片可以實(shí)現(xiàn)高分辨原位TEM液體觀測(cè)，分辨率可以達(dá)到1nm以上。液體芯片中間有40 x 40 x 0.1um...

TBL-500原位SEM液體芯片、薄膜TBL-500液體芯片可以實(shí)現(xiàn)高分辨原位同步輻射和SEM液體（兼容掃描透射模式）觀測(cè)。液體芯片中間有400 x 800 x...

CVD二維薄膜、鉍氧硒薄膜(Bi2O2Se)鉍氧硒是一種氧化鉍和硒元素組成的化合物，屬于二維材料家族。它的電學(xué)和光學(xué)性質(zhì)使其在光電子學(xué)和光催化等領(lǐng)域引起關(guān)注。

CVD二維薄膜、碲化銻薄膜(Sb2Te3)碲化銻是一種拓?fù)浣^緣體，同時(shí)也是一種熱電材料。在薄層形式下，它具有電學(xué)性質(zhì)，表現(xiàn)出拓?fù)浣^緣體行為。

CVD二維薄膜、碲化鉍薄膜(Bi2Te3)碲化鉍是一種三維拓?fù)浣^緣體，同時(shí)也是熱電材料。其在薄層形式下具有特殊的電學(xué)性質(zhì)，表現(xiàn)出拓?fù)浣^緣體的行為。

CVD二維薄膜、硒化鉍薄膜(Bi2Se3)硒化鉍是一種三維拓?fù)浣^緣體，具有電學(xué)性質(zhì)。它在薄層形式下也可以表現(xiàn)出二維電學(xué)特性。

CVD二維薄膜、二硒化錫薄膜(SnSe2)二硒化錫是由錫和硒元素組成的化合物，屬于二維材料家族。它具有半導(dǎo)體性質(zhì)，且在單層形式下表現(xiàn)出特殊的電學(xué)和光學(xué)性質(zhì)。

CVD二維薄膜、二硫化錫薄膜(SnS2)二硫化錫是一種硫族元素和錫元素組成的化合物，屬于二維材料。它具有半導(dǎo)體性質(zhì)，適用于一些電子學(xué)和光電子學(xué)應(yīng)用。

CVD二維薄膜、二硒化錸薄膜(ReSe2)二硒化錸是一種過(guò)渡金屬硒族化合物，屬于二維材料家族。它具有電學(xué)和光學(xué)性質(zhì)，例如在單層形式下的調(diào)制的能隙。

CVD二維薄膜、二硫化錸薄膜(ReS2)二硫化錸是一種過(guò)渡金屬硫族化合物，屬于二維材料家族。它具有特殊的電學(xué)和光學(xué)性質(zhì)，例如在單層形式下表現(xiàn)出的直接能隙。

二碲化鎳薄膜、NiTe2薄膜、CVD二維薄膜二碲化鎳是一種過(guò)渡金屬二碲族化合物，屬于二維材料家族。它具有電學(xué)、光學(xué)和磁學(xué)性質(zhì)，因此引起了研究人員的興趣。

二碲化鉬薄膜、MoTe2薄膜、CVD二維薄膜二碲化鉬是一種二維過(guò)渡金屬二碲族化合物。它屬于過(guò)渡金屬二硫族化合物家族，具有特殊的電學(xué)、光學(xué)和磁學(xué)性質(zhì)。

二硒化鈀薄膜、PdSe2薄膜、CVD二維薄膜二硒化鈀是一種過(guò)渡金屬二硫族化合物，屬于二維材料家族。它的電學(xué)和光學(xué)性質(zhì)使其在納米電子學(xué)和光電子學(xué)中備受關(guān)注。

二硒化鉑薄膜、PtSe2薄膜、CVD二維薄膜二硒化鉑是一種二維過(guò)渡金屬二硫族化合物。它屬于過(guò)渡金屬二硫族化合物中的一員，具有特殊的電學(xué)和光學(xué)性質(zhì)。應(yīng)用：這種材料...

二硫化鉬薄膜、MoS2薄膜、CVD二維薄膜MoS2可選基底較多，其中硅片基底、帶氧化層硅片基底和藍(lán)寶石基底為直接沉積產(chǎn)品。其他基底例如PET，PI，ITO，F(xiàn)T...