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普泰克車規(guī)級(jí)芯片溫度測(cè)試使用說(shuō)明

來(lái)源:普泰克(上海)制冷設(shè)備技術(shù)有限公司   2025年05月23日 10:48  

車規(guī)級(jí)芯片溫度測(cè)試使用說(shuō)明

一、測(cè)試目的

驗(yàn)證車規(guī)級(jí)芯片在不同溫度環(huán)境下的電氣性能、功能穩(wěn)定性及可靠性,確保芯片滿足汽車電子應(yīng)用的溫度等級(jí)要求(如 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn))。

二、測(cè)試設(shè)備與工具

  1. 高低溫試驗(yàn)箱

    • 溫度范圍:-40℃ ~ +150℃(需覆蓋車規(guī)級(jí)芯片的工作溫度區(qū)間)。

    • 精度:±0.5℃(溫度控制),±2℃(均勻性)。

  2. 電源供應(yīng)器

    • 提供穩(wěn)定的電壓輸入,精度≥0.1%。

  3. 數(shù)據(jù)采集設(shè)備

    • 示波器、邏輯分析儀:監(jiān)測(cè)芯片信號(hào)完整性、時(shí)序特性。

    • 萬(wàn)用表:測(cè)量芯片功耗、引腳電壓等參數(shù)。

  4. 測(cè)試夾具

    • 適配芯片封裝的 socket 或探針臺(tái),確保電氣連接穩(wěn)定。

  5. 輔助工具

    • 熱電偶 / 溫度傳感器:實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)芯片表面溫度。

    • 熱成像儀:輔助分析芯片熱分布(可選)。

三、測(cè)試準(zhǔn)備

  1. 芯片預(yù)處理

    • 檢查芯片外觀是否有損傷、引腳氧化等問(wèn)題。

    • 按規(guī)格書(shū)要求焊接或安裝至測(cè)試夾具。

  2. 設(shè)備校準(zhǔn)

    • 提前校準(zhǔn)高低溫試驗(yàn)箱、傳感器等設(shè)備,確保數(shù)據(jù)準(zhǔn)確性。

  3. 測(cè)試程序加載

    • 導(dǎo)入芯片功能測(cè)試程序(如燒錄固件、配置測(cè)試向量)。

  4. 環(huán)境設(shè)置

    • 低溫:-40℃、-25℃

    • 常溫:25℃

    • 高溫:85℃、105℃、125℃

    • 根據(jù)測(cè)試等級(jí)(如 Class 1、Class 2 等)設(shè)定目標(biāo)溫度點(diǎn),常見(jiàn)溫度點(diǎn)包括:

四、測(cè)試流程

  1. 初始檢測(cè)(常溫)
    • 將芯片置于 25℃環(huán)境中,通電測(cè)試其基本功能、電氣參數(shù)(如供電電流、I/O 電平、時(shí)鐘頻率等),記錄初始數(shù)據(jù)。

  2. 低溫測(cè)試
    • 降溫階段:以≤5℃/min 的速率將試驗(yàn)箱溫度降至目標(biāo)低溫(如 - 40℃),穩(wěn)定至少 1 小時(shí)(確保芯片熱平衡)。

    • 測(cè)試階段:保持低溫環(huán)境,重復(fù)功能測(cè)試和電氣參數(shù)測(cè)量,觀察芯片是否出現(xiàn)異常(如功能失效、信號(hào)畸變、功耗異常等)。

  3. 高溫測(cè)試
    • 升溫階段:以≤5℃/min 的速率將試驗(yàn)箱溫度升至目標(biāo)高溫(如 125℃),穩(wěn)定至少 1 小時(shí)。

    • 測(cè)試階段:保持高溫環(huán)境,重復(fù)功能測(cè)試和電氣參數(shù)測(cè)量,記錄數(shù)據(jù)并分析穩(wěn)定性。

  4. 溫度循環(huán)測(cè)試(可選)
    • 按設(shè)定的循環(huán)曲線(如 - 40℃→125℃,循環(huán)次數(shù)≥100 次)進(jìn)行高低溫交替測(cè)試,每次循環(huán)中保持溫度至少 30 分鐘,檢測(cè)芯片在熱應(yīng)力下的耐久性。

  5. 恢復(fù)檢測(cè)(常溫)
    • 測(cè)試結(jié)束后,將芯片返回常溫環(huán)境,再次進(jìn)行功能和參數(shù)測(cè)試,確認(rèn)是否因溫度影響導(dǎo)致性損傷。

五、測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)與判定規(guī)則

  1. 功能要求

    • 芯片在全溫度范圍內(nèi)應(yīng)能正常啟動(dòng),完成指定功能(如通信、計(jì)算、控制等),無(wú)死機(jī)、復(fù)位異?;蜻壿嬪e(cuò)誤。

  2. 電氣參數(shù)要求

    • 關(guān)鍵參數(shù)(如供電電壓、時(shí)鐘頻率、信號(hào)延遲等)需符合規(guī)格書(shū)規(guī)定的溫度漂移范圍(如 ±5% 以內(nèi))。

  3. 失效判定

    • 功能失效或間歇性故障。

    • 電氣參數(shù)超出規(guī)格書(shū)允許范圍。

    • 芯片物理?yè)p壞(如封裝開(kāi)裂、引腳脫落等)。

    • 出現(xiàn)以下情況視為測(cè)試不通過(guò):

六、注意事項(xiàng)

  1. 安全操作

    • 高溫環(huán)境下避免直接接觸試驗(yàn)箱內(nèi)部,防止?fàn)C傷。

    • 確保設(shè)備接地良好,避免靜電損壞芯片。

  2. 數(shù)據(jù)記錄

    • 詳細(xì)記錄每個(gè)溫度點(diǎn)的測(cè)試時(shí)間、環(huán)境參數(shù)、測(cè)試結(jié)果及異?,F(xiàn)象。

    • 保存原始數(shù)據(jù)(如示波器波形、日志文件等)以備追溯。

  3. 環(huán)境一致性

    • 測(cè)試過(guò)程中避免打開(kāi)試驗(yàn)箱門,防止溫度波動(dòng)影響結(jié)果。

    • 若中途暫停測(cè)試,需記錄當(dāng)前狀態(tài)并重新平衡溫度后再繼續(xù)。

七、測(cè)試報(bào)告

測(cè)試完成后,需編制正式報(bào)告,內(nèi)容包括:


  • 測(cè)試樣品信息(型號(hào)、批次、數(shù)量等)。

  • 測(cè)試條件(溫度點(diǎn)、持續(xù)時(shí)間、測(cè)試項(xiàng)目)。

  • 原始數(shù)據(jù)與分析結(jié)果(對(duì)比規(guī)格書(shū)要求)。

  • 結(jié)論(是否通過(guò)測(cè)試,失效模式及改進(jìn)建議)。


備注:具體測(cè)試參數(shù)和流程需根據(jù)芯片型號(hào)、應(yīng)用場(chǎng)景及客戶要求(如車企特定標(biāo)準(zhǔn))進(jìn)行調(diào)整,建議參考 AEC-Q100 等車規(guī)認(rèn)證規(guī)范細(xì)化操作。


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