1200度管式爐

1200度管式爐產(chǎn)品簡介：

1200度管式爐是一種廣泛應(yīng)用于科研、工業(yè)生產(chǎn)和材料加工領(lǐng)域的高溫加熱設(shè)備，其核心結(jié)構(gòu)為水平或垂直布置的爐管，通過電阻絲、硅碳棒或硅鉬棒等加熱元件對爐管內(nèi)部進行均勻加熱。該設(shè)備以高溫控制精度高、溫度均勻性好、操作靈活等優(yōu)勢，成為材料熱處理、化學(xué)合成、半導(dǎo)體制造等工藝的關(guān)鍵設(shè)備。

主要特點：

1. 高溫均勻性
   通過優(yōu)化爐管結(jié)構(gòu)和加熱元件布局，爐內(nèi)溫度均勻性可達±5℃（1200℃時），確保樣品受熱一致。

2. 快速升降溫
   最高升溫速率可達20℃/min，降溫速率通過風(fēng)冷或水冷系統(tǒng)控制，縮短實驗周期。

3. 安全防護
   具備超溫報警、漏電保護、斷偶保護等功能，部分型號支持遠程監(jiān)控與故障診斷。

   
   

應(yīng)用領(lǐng)域

1. 材料科學(xué)研究

• 高溫?zé)Y(jié)：陶瓷、金屬粉末的致密化處理。

• 熱處理：金屬材料的退火、淬火、回火，改善力學(xué)性能。

• 催化劑制備：通過控溫程序?qū)崿F(xiàn)催化劑載體的負載與活化。

2. 化學(xué)與能源領(lǐng)域

• 化學(xué)氣相沉積（CVD）：制備碳納米管、石墨烯等納米材料。

• 電池材料研究：鋰離子電池正負極材料的合成與改性。

• 高溫分解：生物質(zhì)、廢棄物的熱解制氫或制油。

3. 半導(dǎo)體與電子工業(yè)

• 晶體生長：硅、砷化鎵等單晶材料的提拉法生長。

• 薄膜沉積：通過CVD或物理氣相沉積（PVD）制備半導(dǎo)體薄膜。

• 器件退火：修復(fù)離子注入損傷，激活摻雜元素。

選型指南

1. 溫度需求

• 中溫型（≤1200℃）：適用于金屬熱處理、陶瓷燒結(jié)。

• 高溫型（1200℃-1600℃）：用于難熔金屬、碳化物材料的合成。

• 超高溫型（≥1600℃）：滿足半導(dǎo)體單晶生長、超硬材料制備需求。

2. 爐管材質(zhì)

• 石英爐管：透明可視，適用于需要觀察反應(yīng)過程的實驗。

• 剛玉爐管：耐高溫、耐腐蝕，性價比高。

• 金屬爐管：適用于高壓、高溫或腐蝕性氣氛。

3. 氣氛控制

• 開放系統(tǒng)：僅通入惰性氣體，適用于一般熱處理。

• 密閉系統(tǒng)：支持真空、高壓或混合氣氛，滿足CVD、PVD等工藝需求。

操作與維護

1. 操作流程

• 樣品放置：將樣品置于剛玉舟或石英舟中，推入爐管恒溫區(qū)。

• 氣氛設(shè)置：根據(jù)實驗需求通入氣體，調(diào)節(jié)流量與壓力。

• 程序設(shè)定：輸入目標溫度、保溫時間及升降溫速率。

• 實驗結(jié)束：待爐溫降至100℃以下后取出樣品，關(guān)閉氣體與電源。

2. 日常維護

• 定期清潔爐管內(nèi)壁，避免雜質(zhì)污染樣品。

• 檢查加熱元件老化情況，及時更換損壞的電阻絲或硅碳棒。

• 校驗熱電偶與溫控儀，確保溫度測量準確性。