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高溫高壓光學浮區(qū)爐

參  考  價面議
具體成交價以合同協(xié)議為準

產(chǎn)品型號ScIDre HKZ

品       牌

廠商性質(zhì)經(jīng)銷商

所  在  地

更新時間:2024-11-18 15:50:35瀏覽次數(shù):331次

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德國SciDre公司推出的高溫高壓光學浮區(qū)法單晶爐能夠提供2200–3000℃以上的生長溫度,晶體生長腔壓力可達300bar,甚至10-5mbar的高真空

德國SciDre公司推出的高溫高壓光學浮區(qū)法單晶爐能夠提供2200–3000℃以上的生長溫度,晶體生長腔壓力可達300bar,甚至10-5mbar的高真空。適用于生長各種超導材料單晶,介電和磁性材料單晶,氧化物及金屬間化合物單晶等。

 

 

┃ 設(shè)備技術(shù)參數(shù)

 

  • 采用垂直式光路設(shè)計

  • 采用高照度短弧氙燈,多種功率規(guī)格可選

  • 熔區(qū)溫度:>3000℃

  • 熔區(qū)壓力:10bar/50bar/100bar/150bar/300bar等多種規(guī)格可選

  • 氧氣/氬氣/氮氣/空氣/混合氣等多種氣路可選

  • 采用光柵控制技術(shù),加熱功率從0-99% 連續(xù)可調(diào)

  • 樣品腔可實現(xiàn)低至10-5mbar真空環(huán)境

  • 豐富的可升選件

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