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碳化硅晶舟
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  • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)商
  • 所在地 武漢市
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供貨周期:現(xiàn)貨 應(yīng)用領(lǐng)域:綜合

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更新時(shí)間:2025-04-20 13:33:59瀏覽次數(shù):235評(píng)價(jià)

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供貨周期 現(xiàn)貨 應(yīng)用領(lǐng)域 綜合
碳化硅晶舟核心功能是在高溫、腐蝕性環(huán)境中穩(wěn)定承載硅片、晶圓或其他基板,廣泛應(yīng)用于化學(xué)氣相沉積(CVD)、擴(kuò)散、退火等工藝。

碳化硅晶舟產(chǎn)品介紹:

碳化硅晶舟(SiC Boat)是以高純度碳化硅(SiC,純度>99.9990%)為基材,通過無壓燒結(jié)(RBSC)工藝制成的晶圓承載工具,3D打印一體成型,無需模具,數(shù)控機(jī)床加工或者線切割加工齒槽,無毛刺,不會(huì)劃傷硅片。專為半導(dǎo)體、光伏、LED等精密制造領(lǐng)域設(shè)計(jì)。其核心功能是在高溫、腐蝕性環(huán)境中穩(wěn)定承載硅片、晶圓或其他基板,廣泛應(yīng)用于化學(xué)氣相沉積(CVD)、擴(kuò)散、退火等工藝。  

性能特點(diǎn)  

1. 環(huán)境穩(wěn)定性  

耐高溫:長(zhǎng)期工作溫度達(dá)1350~1600℃,短期可耐受1800℃(如碳化硅單晶生長(zhǎng)爐),高溫下無軟化變形。  

抗熱震性:熱膨脹系數(shù)低(4.5×10??/℃),可承受快速升降溫(如從室溫至1200℃的急變循環(huán))。  

2. 超高純度與低污染  

材料雜質(zhì)含量<0.01ppm(如金屬雜質(zhì)Fe、Al<1ppb),避免硅片污染;  

表面光潔度Ra<0.1μm,減少顆粒物附著,適配半導(dǎo)體7nm以下先進(jìn)制程。  

3. 機(jī)械性能  

高承載強(qiáng)度:抗彎強(qiáng)度>2500MPa,單舟可承載100片以上12英寸晶圓;  

耐腐蝕性:耐受HCl、HF等刻蝕氣體及熔融硅侵蝕,壽命較石英晶舟延長(zhǎng)58倍。  

4. 節(jié)能與長(zhǎng)壽命  

導(dǎo)熱系數(shù)達(dá)45W/(m·K),熱量分布均勻,減少工藝能耗;  

典型應(yīng)用場(chǎng)景  

1. 半導(dǎo)體制造  

CVD/擴(kuò)散工藝:承載硅片完成氧化層、多晶硅或氮化硅薄膜沉積;  

離子注入:耐高溫離子轟擊環(huán)境,保障摻雜均勻性。  

2. 光伏產(chǎn)業(yè)  

TOPCon/HJT電池生產(chǎn):用于LPCVD設(shè)備中硅片繞鍍與鈍化層制備;  

PERC電池退火:在高溫爐中完成背鈍化與金屬化工藝。  

3. LED與第三代半導(dǎo)體  

GaN外延生長(zhǎng):在MOCVD反應(yīng)室中承載藍(lán)寶石襯底,耐受NH?等腐蝕性氣體;  

碳化硅單晶生長(zhǎng):作為籽晶承載架,耐受熔融硅高溫腐蝕環(huán)境。  

4. 新能源與科研領(lǐng)域  

鋰電池材料燒結(jié):承載正極材料(如三元材料)完成高溫固相反應(yīng);  

核工業(yè):用于放射性材料高溫處理,兼具耐輻射與耐腐蝕特性。  


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