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電阻測量和監(jiān)控對于任何使用導電薄膜的行業(yè)都至關重要，從半導體制造到可穿戴技術所需的柔性電子產(chǎn)品。R50薄膜電阻測試儀(四探針、電渦流)在金屬膜均勻性分布、離子摻雜和注入表征、薄膜厚度和電阻率分布、以及非接觸膜厚等量測均進行了優(yōu)化加強。

1.薄膜電阻測試儀四點探針法（4PP）

四個導電探針以可控力接觸導電層表面，被測導電層和襯底之間有非導電層擋層。標準4探針是在兩個外部探針之間施加電流并在兩個內(nèi)部探針之間測量電壓。測量電阻時，導電層厚度應小于兩個探針之間距離的1/2。

R50薄膜電阻測試儀(四探針、電渦流)開創(chuàng)了雙模技術，該技術允許測量間隔探針上的電壓，并配置了邊界效應動態(tài)校正和探針間距誤差補償功能。

2.電渦流法（EC）

線圈施加時變電流以產(chǎn)生時變磁場，該磁場靠近導電表面時，該表面產(chǎn)生感應時變電流（渦流）。這些電渦流也會產(chǎn)生時變磁場，該磁場與探針線圈耦合并產(chǎn)生與樣品的電阻成比例的信號變化。

單個探頭位于樣品頂部，可以動態(tài)的調(diào)整每個測量點的探頭高度，這對測量的準確性和重復性至關重要。該方法不受探頭尺寸或表面氧化的影響，非常適合較軟的或其它不適用于接觸法測量的樣品。