一、測(cè)試目的

1. 驗(yàn)證環(huán)境適應(yīng)性：確保芯片在高溫、低溫及快速溫度變化中不出現(xiàn)功能失效、性能下降或物理?yè)p壞（如焊點(diǎn)開(kāi)裂、封裝變形等）。

2. 暴露潛在缺陷：通過(guò)條件加速暴露芯片設(shè)計(jì)、材料或工藝中的隱藏問(wèn)題（如熱膨脹系數(shù)不匹配、散熱不良等）。

3. 符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)：滿足汽車電子行業(yè)（如 AEC-Q100 等）對(duì)芯片可靠性的強(qiáng)制要求，確保車載芯片符合車載環(huán)境的長(zhǎng)期使用需求。

二、測(cè)試設(shè)備與原理

1. 主要設(shè)備：高低溫沖擊試驗(yàn)箱

• 結(jié)構(gòu)特點(diǎn)：

• 通常具備高溫箱（如 85℃~150℃）和低溫箱（如 - 40℃~-55℃）雙箱結(jié)構(gòu)，通過(guò)機(jī)械傳動(dòng)裝置快速切換樣品所在箱體。

• 溫度轉(zhuǎn)換時(shí)間短（如 10 秒內(nèi)完成高低溫箱轉(zhuǎn)移），可模擬溫度沖擊速率（如 15℃/min~30℃/min）。

• 核心參數(shù)：

• 溫度范圍：低溫端可達(dá) - 70℃，高溫端可達(dá) 180℃；

• 溫度均勻性：±2℃以內(nèi)；

• 沖擊循環(huán)次數(shù)：通常需完成數(shù)百至數(shù)千次循環(huán)（如 500 次以上）。

2. 測(cè)試原理

• 溫度沖擊循環(huán)：
  芯片樣品在高溫和低溫環(huán)境中交替暴露，每次停留時(shí)間需確保芯片內(nèi)部溫度充分穩(wěn)定（如高溫 / 低溫各保持 30 分鐘～2 小時(shí)）。

• 失效判定依據(jù)：

• 電氣性能測(cè)試：通過(guò)探針臺(tái)或自動(dòng)化測(cè)試設(shè)備（ATE）檢測(cè)芯片的引腳電壓、電流、邏輯功能等是否正常。

• 物理檢測(cè)：使用 X 射線、掃描電子顯微鏡（SEM）等觀察芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)是否出現(xiàn)裂紋、分層或焊點(diǎn)脫落。

三、測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)與流程

1. 行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)

• AEC-Q100（汽車電子 council）：

• 分為 Grade 0~Grade 3，對(duì)應(yīng)不同車載環(huán)境溫度等級(jí)（如 Grade 0：-40℃~125℃，適用于引擎艙等嚴(yán)苛環(huán)境）。

• 要求芯片通過(guò)溫度循環(huán)測(cè)試（Temperature Cycling，TC）和溫度沖擊測(cè)試（Thermal Shock，TS），循環(huán)次數(shù)通常為 100~1000 次。

• 其他標(biāo)準(zhǔn)：

• ISO 16750-2（道路車輛電氣電子設(shè)備環(huán)境條件）；

• JEDEC J-STD-020（半導(dǎo)體器件的濕度 / 溫度敏感度）。

2. 測(cè)試流程

1. 樣品準(zhǔn)備：

• 芯片需封裝為成品（如 QFP、BGA 等封裝形式），并焊接至測(cè)試夾具或 PCB 板上。

2. 初始檢測(cè)：

• 測(cè)試前對(duì)芯片進(jìn)行電氣性能全檢，記錄初始數(shù)據(jù)。

3. 高低溫沖擊測(cè)試：

• 按設(shè)定的溫度區(qū)間、沖擊速率和循環(huán)次數(shù)執(zhí)行測(cè)試（示例流程如下）：

  階段	溫度	保持時(shí)間	轉(zhuǎn)移時(shí)間	循環(huán)次數(shù)
  高溫	125℃	1 小時(shí)	≤10 秒	500 次
  低溫	-40℃	1 小時(shí)	≤10 秒

4. 中間檢測(cè)：

• 每完成一定循環(huán)次數(shù)（如 100 次）后，取出樣品進(jìn)行電氣性能抽檢，排查早期失效。

5. 最終檢測(cè)：

• 測(cè)試結(jié)束后，對(duì)芯片進(jìn)行全面電氣性能測(cè)試和物理分析（如切片觀察封裝內(nèi)部）。

6. 失效分析：

• 若出現(xiàn)功能異常或物理?yè)p壞，通過(guò)失效分析定位問(wèn)題（如材料熱匹配性差、封裝應(yīng)力集中等），并反饋至設(shè)計(jì)或工藝端改進(jìn)。

四、常見(jiàn)失效模式與原因

1. 電氣失效：

• 接觸不良：引腳或焊點(diǎn)因熱膨脹系數(shù)差異導(dǎo)致斷裂或松動(dòng)；

• 功能異常：晶體管閾值電壓漂移、電路邏輯紊亂（由溫度下半導(dǎo)體材料特性變化引起）。

2. 物理失效：

• 封裝開(kāi)裂：芯片基板與封裝材料熱膨脹系數(shù)不匹配，導(dǎo)致應(yīng)力集中開(kāi)裂；

• 焊點(diǎn)脫落：焊料（如 SnPb、SnAgCu）在反復(fù)熱沖擊下產(chǎn)生疲勞裂紋；

• 芯片分層：芯片與封裝基板之間的界面因吸濕或工藝缺陷出現(xiàn)分層。

3. 熱管理失效：

• 散熱設(shè)計(jì)不足導(dǎo)致高溫下芯片結(jié)溫（Tj）超標(biāo)，或低溫下冷凝水影響絕緣性能。

五、測(cè)試的重要性

• 保障行車安全：車載芯片（如 MCU、傳感器芯片、功率器件）若在溫度下失效，可能導(dǎo)致剎車失靈、氣囊誤觸發(fā)等安全事故。

• 延長(zhǎng)產(chǎn)品壽命：通過(guò)測(cè)試篩選出高可靠性芯片，減少車輛在生命周期內(nèi)的故障返修率。

• 適應(yīng)新能源趨勢(shì)：新能源汽車對(duì)芯片的耐高溫（如電池管理系統(tǒng)）和抗低溫（如冬季續(xù)航性能）要求更高，推動(dòng)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)升級(jí)。

六、技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)

1. 更嚴(yán)苛的測(cè)試條件：

• 隨著車規(guī)芯片向高集成度、高功率密度發(fā)展，測(cè)試溫度范圍可能進(jìn)一步擴(kuò)展（如高溫端突破 150℃）。

2. 快速測(cè)試技術(shù)：

• 采用液氮 / 液氦冷卻或脈沖加熱技術(shù)，縮短高低溫轉(zhuǎn)換時(shí)間，提升測(cè)試效率。

3. 原位監(jiān)測(cè)技術(shù)：

• 在沖擊測(cè)試中同步監(jiān)測(cè)芯片的功耗、溫度分布（如紅外熱像儀），實(shí)時(shí)捕捉失效瞬間的參數(shù)變化。