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應用領域	醫(yī)療衛(wèi)生,化工,生物產(chǎn)業(yè),制藥/生物制藥,綜合

腦細胞電生理刺激記錄系統(tǒng)

可拉伸微電極陣列

可拉伸微電極陣列SMEA是一種用于記錄和電------腦切片中神經(jīng)活動的密集微1針陣列，是高密度微1針陣列的設計、微細加工、電氣特性和生物評估?？衫煳㈦姌O陣列可同時記錄和電------腦組織切片中的單個神經(jīng)元。

---切片可以說是蕞接近大腦的體---型，它有一個受損的表面層。由于電生理記錄方法在很大程度上依賴于電極-細胞的接近性，這一層明顯地削弱了信號的振幅，離體細胞電生理記錄系統(tǒng)，使得傳統(tǒng)的平面電極不適合使用。為了繞過組織表面滲透到組織中，并記錄和---切片內(nèi)部健康體積的神經(jīng)活動，我們研究開發(fā)了可拉伸微電極陣列。

可拉伸微電極陣列被證明可以記錄---皮層切片中單個神經(jīng)元的細胞外動作電位，信噪比---0000000。對單個神經(jīng)元的電---是以0000000的---閾值實現(xiàn)的。

該可拉伸微電極陣的---之處在于結合了緊密的針距60微米、---250微米的針高和小5-10微米直徑的電極，允許記錄單體活動。該陣列與特定系統(tǒng)相結合，形成一個---的電生理工具，允許與---腦片中的神經(jīng)元群體進行雙向的電極-細胞交流。

創(chuàng)傷性腦損傷體---擬設備

創(chuàng)傷性腦損傷體---擬設備應用背景：

創(chuàng)傷性腦損傷(TBI)仍然是導致死1亡和殘疾的主要原因，腦細胞電生理---記錄系統(tǒng)，每年影響全近1000萬人，細胞電生理---培養(yǎng)系統(tǒng)，美國每年約有170萬人受其影響。

TBI的破壞性行1為和功能后果包括認知損傷、記憶喪失或損傷、意識喪失或下降、運動障礙、昏迷、癲1癇發(fā)作和癲1癇、和死1亡。持續(xù)工作記憶的破壞是TBI---經(jīng)歷的一種---的認知缺陷。

在成年人中，工作記憶和信息存儲的神經(jīng)相關性可能是循環(huán)網(wǎng)絡活動，這也與發(fā)育中的大腦中的神經(jīng)元網(wǎng)絡成熟有關。在許多情況下，工作記憶缺陷是在沒有細胞死1亡或明顯結構性損傷的情況下出現(xiàn)的，---是在輕度或中度TBI的情況下。

TBI是由腦組織變形引起的，組織應變和應變率被確定為損傷的重要預測指標。然而，由于直接測量組織變形面臨的挑戰(zhàn)，很少有研究表征TBI期間的體內(nèi)組織應變和應變率。創(chuàng)傷性腦損傷體---擬設備研究的體外方法允許精1確控制機械---和細胞外環(huán)境，細胞電生理，以檢查在沒有全身影響的情況下腦實質的反應，同時概括大部分體內(nèi)病理。

細胞、組織拉伸模塊：對細胞進行牽張---加載

＊支持雙軸和單軸拉伸兩種模式

＊可快速沖擊損傷拉伸或周期性拉伸

＊連續(xù)可調的牽張率和頻率

＊可以偶聯(lián)成像和電生理模塊

＊實時生成應變曲線徑向，線性，自定義

＊自定義應變場

＊應變速率---80 IS ＊---SO％的應變＊任何拉伸圖案

＊高重復性

＊在培養(yǎng)箱中使用

我們的可拉伸 MEA 與 MEASSURE 系統(tǒng)相結合。它們增強了研究能力并提供了的多功能性，因為它們?yōu)檠芯咳藛T提供了獨立---化學、電氣和機械因素以更緊密地人體復雜性的方法。

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