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上海攸亦光電科技有限公司
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MPS2SENS熱釋電紅外探測(cè)器

參  考  價(jià)面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號(hào)

品       牌Micro-Hybrid

廠商性質(zhì)代理商

所  在  地上海市

更新時(shí)間:2024-09-26 16:29:34瀏覽次數(shù):625次

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應(yīng)用領(lǐng)域 綜合
MTS2SENS 熱電堆探測(cè)器:該探測(cè)器在 -20 至 85 °C 的環(huán)境溫度范圍內(nèi)工作,覆蓋廣泛的應(yīng)用范圍:NDIR 氣體分析、工業(yè)過程和廢氣測(cè)量以及呼吸氣體監(jiān)測(cè)。

MPS2SENS carbon dioxide

MPS2SENS hydrocarbon

MPS2SENS carbon monoxide

MPS2SENS sulfur dioxide

MPS2SENS sulfur hexafluoride

MPS2SENS nitrous oxide

MPS2SENS nitrogen monoxide

MPS2SENS alcohol

MPS2SENS flurane

MPS2SENS halothane

描述

MPS2SENS 二氧化碳探測(cè)器的窄帶濾光片,中心波長為4265 ± 25 nm,半高寬為120 ± 10 nm,專為測(cè)量二氧化碳(CO2)而優(yōu)化,并帶有參考通道(中心波長:3910 ± 28 nm,半高寬:70 ± 10 nm)。該探測(cè)器適用于醫(yī)療、工業(yè)和環(huán)境技術(shù)中的苛刻應(yīng)用。憑借其高達(dá)100 Hz的非常高讀出率和短響應(yīng)時(shí)間,它能夠可靠且快速地提供精確的測(cè)量結(jié)果。

熱釋電探測(cè)器 MPS2SENS 二氧化碳基于兩片具有薄膜 CPM 膜的芯片。得益于陶瓷熱釋電材料(CPM),探測(cè)器具有高達(dá)4.0*10^8 cmHz^(1/2)/W 的非常高探測(cè)度和高達(dá)200,000 V/W 的靈敏度。Micro-Hybrid 的熱釋電傳感器的信號(hào)質(zhì)量較高。

該探測(cè)器在 -20 至 85 °C 的環(huán)境溫度范圍內(nèi)工作,覆蓋廣泛的應(yīng)用范圍:NDIR 氣體分析、工業(yè)過程和廢氣測(cè)量以及呼吸氣體監(jiān)測(cè)。

應(yīng)用

  • NDIR 氣體分析

  • 氣體監(jiān)測(cè)

產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)

  • 更高的精度和信噪比

  • 由于內(nèi)部信號(hào)放大,對(duì)外部干擾的敏感度較低

  • 由于熱質(zhì)量低,溫度波動(dòng)的影響較小

  • 高達(dá)100 Hz 的更高讀出率

  • 短響應(yīng)時(shí)間

  • 針對(duì)苛刻應(yīng)用的解決方案

特點(diǎn)

  • 基于 MEMS 的 CPM 膜的兩片芯片

  • 寬光譜靈敏度 2 – 15 μm,優(yōu)化范圍為 3 - 5 μm

  • 高響應(yīng)度,調(diào)制頻率高達(dá) 100 Hz

  • 低麥克風(fēng)效應(yīng),膜質(zhì)量小

  • 極低的溫度依賴性

  • 電流模式下的信號(hào)放大

技術(shù)參數(shù)

技術(shù)參數(shù)

數(shù)據(jù)

單位

有效面積

2 x (0.7 x 0.7)

mm2

相對(duì)孔徑

2 x (1.5 x 1.5)

mm2

模式

Current


熱時(shí)間常數(shù) t(0-63%)

typ. 16

ms

電時(shí)間常數(shù) t(0-63%)

typ. 2

ms

交流靈敏度 1, 2, 3

typ. 200 000

V/W

噪聲密度電壓 1

typ. 50

μV/Hz1/2

噪聲等效功率 NEP 1, 2, 3

typ. 4 x 10^{-10}

W/Hz1/2

特定探測(cè)度 D* 1, 2, 3

typ. 4 x 10^{8}

cmHz1/2/W

微音電壓 1

typ. < 1000

μV/g

濾光片

請(qǐng)參見文件“Infrared filters",可根據(jù)要求定制濾光片。

工作電壓 VDD

+5 ± 10 %

V DC

工作電壓 Voffset

+2,5 ± 10 %

V DC

工作電流

max. 10

mA

工作溫度

-25 ... +85

°C

外殼

TO39


  1. 在 Tamb = 25 °C,10 Hz,帶寬 1 Hz 下

  2. 黑體 T = 500 K;E = 38 W/m2

  3. 無窗口影響

典型操作特性

電氣示意圖

電路

等效電路圖

機(jī)械制圖

底部

頂部

截面圖

產(chǎn)品概述

型號(hào)

類型

填充氣體

低溫度

最高溫度

相對(duì)孔徑

氣體

PS2x4C2-A-U-S1.5-K-E1/D2

TO39 with cap

Kr

-25 °C

85 °C

1.5 mm

CO?

PS2x4C2-A-U-S1.5-Kr-F1/D2

TO39 with cap

Kr

-25 °C

85 °C

1.5 mm

CO

PS2x4C2-A-U-S1.5-Kr-G2/D2

TO39 with cap

Kr

-25 °C

85 °C

1.5 mm

HC

PS2x4C2-A-U-S1.5-Kr-H1/D5

TO39 with cap

Kr

-25 °C

85 °C

1.5 mm

SO?

PS2x4C2-A-U-S1.5-Kr-J1/D5

TO39 with cap

Kr

-25 °C

85 °C

1.5 mm

SF6

PS2x4C2-A-U-S1.5-Kr-K1/D2

TO39 with cap

Kr

-25 °C

85 °C

1.5 mm

N?O

PS2x4C2-A-U-S1.5-Kr-L1/D2

TO39 with cap

Kr

-25 °C

85 °C

1.5 mm

NO

PS2x4C2-A-U-S1.5-Kr-M1/D5

TO39 with cap

Kr

-25 °C

85 °C

1.5 mm

-OH

PS2x4C2-A-U-S1.5-Kr-U1/D5

TO39 with cap

Kr

-25 °C

85 °C

1.5 mm

Halothane

PS2x4C2-A-U-S1.5-Kr-X1/D5

TO39 with cap

Kr

-25 °C

85 °C

1.5 mm

xFlurane



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