SIRM紅外體微缺陷分析儀 參考價(jià)：面議
SIRM是非接觸和非破壞型光學(xué)檢測(cè)設(shè)備，對(duì)體微缺陷，如氧化物和金屬沉淀，位錯(cuò)、堆垛層錯(cuò)，體材料中的滑線(xiàn)和空隙等進(jìn)行測(cè)試。這個(gè)技術(shù)也可對(duì)GaAs 和 InP等復(fù)合...
LST體微缺陷測(cè)試設(shè)備 參考價(jià)：面議
LST是檢測(cè)半導(dǎo)體材料的體微缺陷有力工具，通過(guò)CCD相機(jī)，對(duì)入射光在樣品邊沿的散射進(jìn)行掃描，獲得體微缺陷分布信息。
非接觸遷移率測(cè)試系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
LEIModel1605，是非接觸遷移率測(cè)試系統(tǒng)，可對(duì)各種半導(dǎo)體材料和器件結(jié)構(gòu)進(jìn)行測(cè)試。無(wú)需制樣，消除了樣品制備引起的遷移率變化。
非接觸方塊電阻測(cè)試系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
LEI88 是針對(duì)科研類(lèi)客戶(hù)開(kāi)發(fā)的產(chǎn)品，具備非接觸快速測(cè)試方塊電阻和電導(dǎo)率功能。
非接觸Hall和方塊電阻測(cè)試系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
非接觸Hal和方塊電陽(yáng)測(cè)試系統(tǒng)，可對(duì)GaAs,InP,InAs,GaN,AIN,Si,SiC等各種半導(dǎo)體材料設(shè)計(jì)的HEMTs,pHEMTs,HBTs,FETs器...
SRP 擴(kuò)展電阻測(cè)試 參考價(jià)：面議
SRP 測(cè)試系統(tǒng)，采用擴(kuò)展電阻率技術(shù)(SRP)，對(duì)載流子濃度和電阻率隨深度的變化做快速測(cè)試。
準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)-光致發(fā)光測(cè)試設(shè)備 參考價(jià)：面議
準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)-光致發(fā)光可以將QSS準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)少子壽命測(cè)試和PL光致發(fā)光技術(shù)相結(jié)合，快速獲得樣品的少子壽命分布圖譜信息。
光致發(fā)光檢測(cè)設(shè)備 參考價(jià)：面議
光致發(fā)光主要對(duì)材料能帶結(jié)構(gòu)，雜質(zhì)濃度和缺陷，組分機(jī)理以及材料質(zhì)量進(jìn)行檢測(cè)。WT-2000PL專(zhuān)門(mén)針對(duì)PL應(yīng)用開(kāi)發(fā)，具有非接觸，快速，可變溫，光斑等特點(diǎn)。
PV-2000A 光伏多功能掃描系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
Semilab PV-2000A是業(yè)界功能最（zui）先進(jìn)的，用于晶硅太陽(yáng)能電池片生產(chǎn)及光伏工藝研發(fā)的非接觸電學(xué)表征系統(tǒng),以滿(mǎn)足硅片到成品電池片不同工藝控制的測(cè)...
汞探針測(cè)試 參考價(jià)：面議
LEI Model2017B，通過(guò)汞探針接觸方法，對(duì)各類(lèi)半導(dǎo)體材料的載流子濃度分布進(jìn)行測(cè)試，特別適合GaN.SiC等化合物材料。
汞CV測(cè)試系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
汞CV測(cè)試系統(tǒng)，用于對(duì)外延或前道工藝中的non-pattemed晶片做汞C-V測(cè)試;MCV-530L可測(cè)最大200mm的樣品。
CV-1500非接觸CV測(cè)試系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
CV-1500，用于測(cè)試界面和介電層的科研平臺(tái)，基于SDI Corona-Kelvin技術(shù)，可以進(jìn)行非接觸C-V/I-V測(cè)試。
深能級(jí)瞬態(tài)譜測(cè)試儀 參考價(jià)：面議
深能級(jí)瞬態(tài)譜儀(DLTS)是檢測(cè)半導(dǎo)體材料和器件缺陷和雜質(zhì)的最好技術(shù)手段，它可以測(cè)定各種深能級(jí)相關(guān)參數(shù)，如深能級(jí)，俘獲界面，濃度分布等。
納米壓痕測(cè)試設(shè)備 參考價(jià)：面議
對(duì)小體積樣品材料力學(xué)性質(zhì)進(jìn)行定量化測(cè)試的關(guān)鍵技術(shù)。
拉曼光譜分析 參考價(jià)：面議
拉曼光譜用來(lái)測(cè)試材料應(yīng)力，摻雜濃度和sheet& pattem等。從散射光的能量轉(zhuǎn)移，強(qiáng)度和偏振等方面可以獲取樣品豐富信息,如:結(jié)晶取向，組分，機(jī)械應(yīng)力，摻雜和...
原子力顯微鏡 參考價(jià)：面議
原子力顯微鏡使用非常小的探針，掃描樣品表面，在原子尺度探測(cè)樣品形貌。Semilab的AFM設(shè)備，可靈活配置和測(cè)試，具備優(yōu)異測(cè)試穩(wěn)定性和可靠性。
反射譜成像技術(shù) 參考價(jià)：面議
iSR是一種微光斑測(cè)試技術(shù)，用于實(shí)時(shí)刻蝕和Halftone工藝中的厚度測(cè)試
光譜型橢偏儀 參考價(jià)：面議
光譜型橢偏儀是多功能薄模測(cè)試系統(tǒng)，適合各種薄材料的研究。
少子壽命/ μ LBIC變溫測(cè)試系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
WT-2000MCT/μ LBIC 適用于對(duì)超低溫有特殊要求的材料，比如HgCdTe,InSb,GaAs,InGaAs等，它已被廣泛用于化合物材料的缺陷，雜質(zhì)和...
WT-2000半導(dǎo)體多功能測(cè)試 參考價(jià)：面議
WT-2000提供349nm，904nm，1064nm，1550nm等不同激發(fā)光，適合Si，SiC，GaAs，CdZnTe，InGaAs等各種材料電學(xué)參數(shù)測(cè)試。
WT-1200A 單點(diǎn)式少子壽命測(cè)試系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
WT-1200A 是單點(diǎn)式少子壽命測(cè)試系統(tǒng)，具備無(wú)接觸等優(yōu)點(diǎn)。
半導(dǎo)體參數(shù)分析儀 參考價(jià)：面議
半導(dǎo)體參數(shù)分析儀型號(hào)有Keysight B1500A系列、Keithley 4200系列
網(wǎng)絡(luò)分析儀 參考價(jià)：面議
網(wǎng)絡(luò)分析儀主要特性和功能：· 具有緊湊型頻率擴(kuò)展器的單次掃描解決方案· 可以作為單個(gè)產(chǎn)品解決方案一次性購(gòu)買(mǎi)· 對(duì)器件施加精確的調(diào)平...(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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