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BEHLKE晶閘管開關HTS參數(shù)簡介及型號
一個高壓開關的電流取決于導通時間，晶閘管/可控硅
● 用于放電應用的穩(wěn)健且廉價的高壓開關，以及與快速高壓FDA續(xù)流二極管相關的阻尼正弦振蕩的產(chǎn)生
● 高峰值電流能力
● *的di / dt，不會影響可靠性和預期壽命具有獨立柵極驅動的單個SCR的數(shù)量

BEHLKE晶閘管開關HTS參數(shù)簡介及型號

一個高壓開關的電流取決于導通時間，晶閘管/可控硅  

● 用于放電應用的穩(wěn)健且廉價的高壓開關，以及與快速高壓FDA續(xù)流二極管相關的阻尼正弦振蕩的產(chǎn)生 

● 高峰值電流能力  

● *的di / dt，不會影響可靠性和預期壽命具有獨立柵極驅動的單個SCR的數(shù)量 

●具有極大的過載能力   

●   通過簡單的TTL觸發(fā)脈沖（2-5 V）輕松觸發(fā)  

● 非常緊湊，重量輕  

●各種冷卻選項

應用說明： 與具有非常有限的dv / dt和di / dt能力的經(jīng)典盤式晶閘管開關不同，快速BEHLKE晶閘管開關模塊由大量較小的晶閘管芯片（類型取決于多達1000個單晶閘管）制成，并聯(lián)和串聯(lián)連接，使極限dv / dt和di / dt有效地分裂為單晶閘管的非關鍵值。每個晶閘管都由其高度同步和隔離的柵極驅動器發(fā)射。這使得非常短的柵極布線成為可能，并避免了傳統(tǒng)晶閘管開關設計中已知的危險熱點。BEHLKE晶閘管開關可以安全地以物理可能的di / dt和dv / dt速率以及盡可能高的峰值電流運行，而不會出現(xiàn)任何可預測的壽命下降。BEHLKE晶閘管開關是真正的柵極控制，不會從負載電路汲取發(fā)射能量。這樣可以安全地從幾乎0 V（提供足夠的咬合電流）切換到大電壓而沒有任何限制。

 

這些開關的隔離度至少為大工作電壓的150％，因此無需大量工作即可實現(xiàn)開關應用。為了節(jié)省成本和增加體積，特別是在低側開關應用（例如撬棍電路）中，所有BEHLKE晶閘管開關也可以通過可選的非對稱隔離制造，例如，正極為200 kV，負極為30 kV。 。無論工作電壓如何，每個晶閘管開關型號的定制隔離電壓額定值都可以滿足特殊的隔離電壓要求。“常規(guī)”隔離電壓選項范圍為40 kV至200 kV（選擇ISO-40，ISO-80，ISO-120，ISO-200）?？筛鶕?jù)要求提供符合歐洲安全標準的“醫(yī)療認證”。任何定制電壓在1到150 kV（AC / DC）之間，任何定制的峰值電流在1到100 kA之間，可以在大約4-8周的交付時間內(nèi)完成。如果可以在現(xiàn)有平臺上實現(xiàn)，我們不會為定制交換機收取額外費用。請咨詢BEHLKE。

 

為了并聯(lián)多個晶閘管開關，它們配備了同步I / O. 如果一個開關由于故障條件（例如，過熱）而關閉，則此功能可確保同步觸發(fā)并禁止其他開關模塊的觸發(fā)輸入。由于可能由開關的高di / dt容量引起的強電磁場，建議在所有 大型感應回路區(qū)域使用單獨的控制單元（選件SEP-C）。 這尤其適用于非常大的開關模塊以及di / dt> 5 kA /μs。對于具有中小型開關模塊的應用，我們建議使用印刷電路板（終采用多層技術），以大限度地減少雜散電感并使感應回路區(qū)域保持較小。  

采用印刷電路板的設計還保證了整個電子系統(tǒng)的可重現(xiàn)的EMC特性。在任何情況下，請確保負載圓與控制圓保持適當?shù)木嚯x，以避免磁反饋效應，否則內(nèi)部安全電子設備將檢測到故障狀態(tài)，并且開關將鎖定2秒。每次射擊后。大多數(shù)開關通過紅色LED指示。 

所有BEHLKE晶閘管開關均可選配接地冷卻法蘭（選件GCF），帶鍍鎳銅散熱片（選件CF），帶石墨散熱片（選件CF-GRA，帶陶瓷散熱片（選件CF-CER）），帶水冷（選件ILC），直接液體冷卻非導電冷卻劑（選件DLC）或陶瓷冷卻表面（選項CSS）。為了避免高壓電位散熱片的電暈放電，我們建議采用直接液冷（選件DLC） ）或陶瓷散熱片（選件CF-CER）或水冷（選件ILC），用于40kV以上電壓的冷卻。出口限制： 

根據(jù)美國法律和德國法律（雙重使用法規(guī)），大峰值電流等于或高于500安培的快速固態(tài)開關受出口限制。未經(jīng)美國或德國出口當局的有效出口許可，不得將這些貨物出口到第三國?？赡苄枰K用戶聲明。請咨詢BEHLKE。

產(chǎn)品代碼： 型號包含有關電壓，電流和開啟行為的編碼信息。個數(shù)字代表以kV為單位的電壓，短劃線前的后一個數(shù)字表示開啟行為（0 =固定導通時間，1 =可變導通時間）。短劃線后面的數(shù)字表示以安培x10為單位的電流。特殊功能在第二個破折號后由字母編碼。示例HTS 60-100-SCR：HTS = HV晶閘管開關，6 = 6kV，0 =取決于固定導通時間的電流，100 = 1000安培，SCR =硅控制整流器（晶閘管）。

 

 

這些固態(tài)開關設計用于高壓高峰值電流開關應用，如壓電驅動器，閃光燈驅動器，撬棒電路和浪涌發(fā)生器。所描述的開關模塊是基于特殊類型的SCR（Sillicon控制整流器）開發(fā)的，具有非常高的浪涌電流能力。每個開關模塊由大量這些SCR組成，它們串聯(lián)和并聯(lián)連接。所有SCR的極快且同步的開啟由一個特殊的低阻抗驅動電路執(zhí)行，該電路還提供與控制輸入的電流隔離。內(nèi)部電流路徑針對雜散電感進行了優(yōu)化，允許*的導通電流變化率。與火花隙，電子管，氣體放電管和機械開關等傳統(tǒng)高壓開關相比，THyristo系列HTS-SCR開關具有極低的抖動和穩(wěn)定的開關特性，與溫度和溫度無關。平均故障間隔時間（MTBF）比傳統(tǒng)HV開關高出幾個數(shù)量級。干擾-p“控制電路提供信號調(diào)理，輔助電壓監(jiān)控，頻率限制和溫度保護。在錯誤操作條件的情況下，開關立即關閉并產(chǎn)生故障信號。特殊的同步輸入允許多達50個開關模塊的并聯(lián)互連，以增加單個模塊的導通峰值電流。開關由3至10伏振幅的正向信號觸發(fā)。在觸發(fā)后，SCR開關保持導通狀態(tài)，直到負載電流低于保持電流（典型的晶閘管行為）。關閉過程需要當前的換向，電流限制或銅旁路。在大多數(shù)放電應用中，關閉過程可以簡單地通過將儲能電容器的充電電流保持在開關的保持電流之下來形成。高于保持電流的充電電流需要旁路開關，采用MOSFET技術國家如果在交流電的情況下分別使用感性負載工作，如果負載電流“換向”，則晶閘管開關自動關斷，前提是負半波持續(xù)時間更長關斷時間t0w如果周期持續(xù)時間小于1 ms，則應將快速續(xù)流二極管與開關并聯(lián)，以避免關斷期間出現(xiàn)危險的過電壓尖峰。由于電流隔離，開關可以簡單地在高側電路中操作。塑料外殼是低功耗應用中經(jīng)濟高效的標準封裝。為了增加大連續(xù)功耗P dlmaxl，模塊可以額外安裝非隔離散熱片（選項04）。有關詳細設計建議，請參閱一般說明。

HFB	高頻突發(fā)：通過外部緩沖電容提高驅動器的突發(fā)能力。如果產(chǎn)生超過10個間距小于10μs的脈沖，建議使用。
HFS	高頻開關：外部提供輔助驅動器電壓（根據(jù)類型為50-350 VDC）。必須超過規(guī)定的“大工作頻率”。（2）
唱片	低通：控制輸入??端的低通濾波器。傳播延遲時間將增加約50 ns。抖動+ 500 ps。在高速應用中提高了抗噪性和不太關鍵的布線。（3）
ST	階段攻絲：  堆疊各個階段的連接器，以利用單個功率半導體。在非常低的工作電壓（<0.01xVo）下實現(xiàn)快速上升時間。
ISO-25	25 kV隔離：  隔離電壓增加到25 kVDC。某些型號的外殼尺寸可能會有所變化
ISO-40	40 kV隔離：  隔離電壓增加到40 kVDC。某些型號的外殼尺寸可能會有所變化 僅與選項PT-HV相關。
ISO-80	80 kV隔離：  隔離電壓增加到80 kVDC。某些型號的外殼尺寸可能會有所變化 僅與選項PT-HV相關。
ISO-120	120 kV隔離：隔離電壓增加到120 kVDC。某些型號的外殼尺寸可能會有所變化 僅與選項PT-HV相關。
I-PC	集成器件：根據(jù)客戶要求集成小型器件（例如緩沖電容器，緩沖器，阻尼電阻器，二極管，光耦合器）。（2）
I-FWD	集成式自由二極管：  內(nèi)置并聯(lián)二極管，恢復時間短。僅與感應負載有關。
LS-C	用于控制連接的LEMO插座：輸入Z =100Ω。供應中包含一個帶有兩個插頭和一個插座的組裝連接電纜（1米/ 3英尺）。提高抗噪能力。（3）
PT-C	用于控制連接的尾纖：帶AMP-Modu插頭的柔性引線（l = 75 mm）。僅適用于帶引腳的開關，除了選件ITC之外，如果有任何冷卻選項，必須用尾纖替換。

BEHLKE晶閘管開關HTS參數(shù)簡介及型號