細胞損傷控制儀（CICⅡ）

美國VCU品牌神經(jīng)外科創(chuàng)傷性腦損傷模型系統(tǒng)——便于觀察和施加干預因素，控制性佳、可分級、可復制性好符合人類腦創(chuàng)傷

創(chuàng)傷性腦損傷是神經(jīng)外科樶常見的疾病，是導致創(chuàng)傷患者傷殘及死亡的主要原因。研究腦損傷后的神經(jīng)生化、生理等方面的變化，可為探索行之有效的腦保護治療提供幫助，將有助于提高顱腦損傷患者的生存率及生存質量。故建立各種便于觀察和施加干預因素、控制性佳、可分級、可復制性好并符合人類腦創(chuàng)傷特點的創(chuàng)傷性人類腦創(chuàng)傷特點的創(chuàng)傷性腦損傷模型，是目前創(chuàng)傷性腦損傷的研究熱點。

細胞損傷控制儀（Cell Injury Controller II）采取電子式控制，適合腦源性細胞培養(yǎng)樣品，或其它離體培養(yǎng)細胞的牽張性損傷模型制作。損傷后可進行神經(jīng)生化、形態(tài)學、生理學，藥物干預等方面的研究。

細胞損傷控制儀使用Flexcell公司的Tissue Train 三維細胞組織應力加載系統(tǒng)。

細胞損傷控制儀II（CIC II）是一種電子控制的氣動裝置，可以研究組織培養(yǎng)的細胞對創(chuàng)傷的形態(tài)、生理和生化反應。商業(yè)可用的組織培養(yǎng)系統(tǒng)一起使用。公司位于北卡羅來納州希爾斯堡市。組織培養(yǎng)物生長在具有可拉伸的膜底部的培養(yǎng)孔中。

細胞損傷控制儀可以調節(jié)壓縮氣體的流量，使單個培養(yǎng)孔快速加壓，對培養(yǎng)物造成徑向拉伸損傷。損傷的嚴重程度是通過控制氣體進出密封培養(yǎng)孔來確定的。

峰值壓力被捕獲，提供了一個精1確的徑向拉伸指標。CIC II可以使用Flex I®29.45cm2 的培養(yǎng)盤（用于早期的CIC 94A型）和BioFlex®57.75cm2 的培養(yǎng)盤。

根據(jù)細胞類型、損傷程度和培養(yǎng)條件的不同，受傷的細胞可能會死亡或修復。

因此，該系統(tǒng)可用于研究對創(chuàng)傷的反應，包括細胞損傷、修復、死亡或藥理干預。

細胞損傷控制儀平均把壓縮氣體送到每個培養(yǎng)室，以造成培養(yǎng)組織牽張性的損傷，損傷的嚴重程度是依靠控制進出密閉培養(yǎng)室的氣體量。培養(yǎng)室的峰值壓力同時被記錄下來，這個數(shù)值可以用來精1確地表明引起牽張性細胞損傷的氣壓值。細胞損傷控制儀（CIC II）可以搭配BioFlex 57.75cm 柔性基底培養(yǎng)板。

根據(jù)細胞類型、損傷程度和培養(yǎng)條件的不同，受傷的細胞可能會死亡或修復。因此，該系統(tǒng)可用于研究對創(chuàng)傷的反應，包括細胞損傷、修復、死亡或藥理干預。