涂布層四探針電阻率測試儀操作手冊

應(yīng)用說明

覆蓋膜;導(dǎo)電高分子膜，高、低溫電熱膜;隔熱、導(dǎo)電窗膜 導(dǎo)電(屏蔽)布、裝飾膜、裝飾紙;金屬化標(biāo)簽、合金類箔膜;熔煉、燒結(jié)、濺射、涂覆、涂布層，電阻式、電容式觸屏薄膜;電極涂料，其他半導(dǎo)體材料、薄膜材料方阻測試

二．描述

采用四探針組合雙電測量方法，液晶顯示，自動測量，自動量程，自動系數(shù)補償.高集成電路系統(tǒng)、恒流輸出；選配：PC軟件進行數(shù)據(jù)管理和處理.

涂布層四探針電阻率測試儀操作手冊

雙電測數(shù)字式四探針測試儀是運用直線或方形四探針雙位測量。該儀器設(shè)計符合單晶硅物理測試方法國家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)。利用電流探針、電壓探針的變換，進行兩次電測量，對數(shù)據(jù)進行雙電測分析，解決樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)以及探針不等距和機械游移等因素對測量結(jié)果的影響.

功能描述Description：

• 四探針組合雙電測量方法
• 液晶顯示，自動測量，自動量程，自動系數(shù)補償.
• 集成電路系統(tǒng)、恒流輸出.
• 選配：PC軟件進行數(shù)據(jù)管理和處理.
• 提供中文或英文兩種語言操作界面選擇

參照標(biāo)準(zhǔn)：

1.硅片電阻率測量的標(biāo)準(zhǔn)（ASTM F84）.

2.GB/T 1551-2009 《硅單晶電阻率測定方法》.

3.GB/T 1551-1995《硅、鍺單晶電阻率測定直流兩探針法》.

4.GB/T 1552-1995《硅、鍺單晶電阻率測定直流四探針法》.

雙電組合測試方法：

利用電流探針、電壓探針的變換，進行兩次電測量，對數(shù)據(jù)進行雙電測分析，解決樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)以及探針不等距和機械游移等因素對測量結(jié)果的影響，適用于斜置式四探針對于微區(qū)的測試。