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2012-11-30 閱讀(2600)
康奈爾大學(xué)硅光電調(diào)制器研究獲突破
康奈爾大學(xué)zui近在光電集成領(lǐng)域取得突破，他們成功研究出一種微米級的硅光電調(diào)制器。以前的硅上的電光調(diào)制器都是毫米量級的，很難實現(xiàn)實際意義上的光電集成。GaAs調(diào)制器雖然能做小，但是卻不能很好支持目前的硅集成電路。昨天出版的自然雜志刊登了康奈爾助理教授Michal Lipson的一篇文章。在文章中他們介紹了一種環(huán)形諧振腔，這是一種直波導(dǎo)和園波導(dǎo)耦合到一起的一種結(jié)構(gòu)，園波導(dǎo)的直徑要是特定允許通過波長的整數(shù)倍。文章中采用的環(huán)形諧振腔直徑12微米，正好配合1576nm的波長。該環(huán)形結(jié)構(gòu)的外圍是一個負(fù)摻雜的硅環(huán)，從而和內(nèi)環(huán)形成PIN結(jié)構(gòu)。當(dāng)有電壓加到PN結(jié)上的時候，電子和空穴被注入波導(dǎo)，從而改變了波導(dǎo)折射率和諧振頻率，從而決定信號的通過和阻止。該設(shè)計的關(guān)鍵是引入環(huán)形波導(dǎo)替代了以往需要的長波導(dǎo)。實驗中作者發(fā)現(xiàn)0.3V的電壓就可以很好控制該調(diào)制器。本次試驗實現(xiàn)了1.5Gbps的調(diào)制。
該篇文章標(biāo)題為"Micrometer-scale Silicon Electro-Optic Modulator." 共同作者還包括康奈爾研究生 Qianfan Xu 和 Bradley Schmidt 以及來自英特爾的博士后研究員 Sameer Pradhan。
