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MAKEWAY 掃描隧道顯微鏡/NAP-STM

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上海麥科威半導(dǎo)體技術(shù)有限公司(Shanghai Makeway Semiconductor LTD)是一家專業(yè)的微納材料、半導(dǎo)體和微電子材料及器件研發(fā)儀器及設(shè)備的供應(yīng)商,所銷售的儀器設(shè)備廣泛用于高校、研究所、以及半導(dǎo)體和微電子領(lǐng)域的高科技企業(yè)。目前總部在上海,香港、南通、深圳、北京分別設(shè)立分公司和辦事處,快速響應(yīng)客戶需求。同時上海麥科威在快速擴(kuò)展海外市場,并設(shè)立新加坡分公司,輻射東南亞市場。

      上海麥科威半導(dǎo)體技術(shù)有限公司主要銷售產(chǎn)品包括:  - 霍爾效應(yīng)測試儀;  - 快速退火爐;  - 回流焊爐,共晶爐,釬焊爐,真空燒結(jié)爐;  - 電子束蒸發(fā)鍍膜機(jī),熱蒸發(fā)鍍膜機(jī);  - 探針臺,低溫探針臺,微探針臺;  - 金剛石劃片機(jī); - 球焊機(jī),鍥焊機(jī);  - 磁控濺射鍍膜機(jī);  - 原子層沉積系統(tǒng),等離子增強(qiáng)原子層沉積設(shè)備;  - 電化學(xué)C-V剖面濃度分析儀(ECV Profiler); - 掃描開爾文探針系統(tǒng); - 光學(xué)膜厚儀; -貼片機(jī)-PECVD\CVD;-脈沖激光沉積系統(tǒng)-PLD-納米壓?。?等離子清洗機(jī)、去膠機(jī);-反應(yīng)離子刻蝕RIE; - 光刻機(jī)、無掩膜光刻機(jī); - 勻膠機(jī); - 熱板,烤膠板; -少子壽命、太陽能模擬器;-NMR-瞬態(tài)能譜儀-外延沉積-等離子清洗機(jī)-離子注入-劃片機(jī)、裂片機(jī)光刻機(jī)(針尖/電子束光刻機(jī)EBL,紫外光刻機(jī),激光直寫光刻機(jī)),鍍膜機(jī)(磁控濺射機(jī),電子束蒸發(fā)機(jī),化學(xué)沉積機(jī),微波等離子沉積機(jī),原子層沉積機(jī)  等等…

企業(yè)客戶:華為技術(shù)有限公司, 深圳市鵬芯微集成電路制造, 深圳清力技術(shù), 安徽格恩半導(dǎo)體, 蘇州稀晶半導(dǎo)體科技, 矽品半導(dǎo)體, 廈門海辰新能源科科, 中核同創(chuàng)(成都)科技, 洛瑪瑞芯片技術(shù)(常州),偉創(chuàng)力科技, 奧普科星河北科技,廣東五星太陽能,廣東萬和集團(tuán),西安西測股份, 普源精電科技, 普源精電科技股份, 上海蔚來汽車, 北京華脈泰科, 廣醫(yī)東金灣高景太陽能科技, 深圳匯佳成電子, 深圳市化訊半導(dǎo)體材料, 珠海珍迎機(jī)電, 合肥鼎材科技, 山東金晶節(jié)能玻璃, 江蘇云意電氣股份, 廣東風(fēng)華技股份, 浙江中能合控股集團(tuán),固安維信諾,淮安天合光能,浙江老鷹半導(dǎo)體, 四川信通電子科技等。


科研院所/高等院校: 北京航空航天大學(xué), 汕頭大學(xué), 南方醫(yī)科大學(xué), 清華大學(xué), 北京大學(xué), 復(fù)旦大學(xué), 西北工業(yè)大學(xué), 南京醫(yī)科大學(xué), 香港中文大學(xué), 香港城市大學(xué), 蘇州大學(xué), 深圳職業(yè)技術(shù)學(xué)院, 南京大學(xué)合肥國家試驗室, 上海交通大學(xué)醫(yī)學(xué)院, 華南理工大學(xué),華東師范大學(xué),江南大學(xué),重慶26所, 深圳大學(xué), 南方科技大學(xué), 深圳技術(shù)大學(xué), 理化技術(shù)研究所, 中國工程物理研究院激光聚變研究中心, 廣東粵港澳大灣區(qū)黃埔材料研究院, 桂林電子科技大學(xué), 上海硅酸鹽研究所, 中國航天五院,中科合肥智慧農(nóng)業(yè)協(xié)同創(chuàng)新研究院等。









半導(dǎo)體設(shè)備,快速退火爐,原子層沉積,鍵合機(jī),光刻機(jī)

產(chǎn)地類別 進(jìn)口 價格區(qū)間 1000萬-1500萬
儀器種類 掃描隧道顯微鏡 應(yīng)用領(lǐng)域 綜合

技術(shù)指標(biāo):

1. 腔體結(jié)構(gòu)

1.1. 配置不銹鋼STM分析腔,配備離子泵、機(jī)械泵、真空規(guī)等泵抽系統(tǒng),背景真空優(yōu)于1*10-9 mbar

1.2配備不銹鋼快速進(jìn)樣室,配備泵抽系統(tǒng),背景真空優(yōu)于5*10-8mbar

2 近常壓變溫掃描頭

2.1 最大掃描范圍不小于1.0 μm x 1.0 μm(T>350K)。

2.2 X/Y方向的補(bǔ)償范圍:≥±750nm;Z方向為±115nm;

*2.3 氣壓工作范圍,不小于UHV-100 mbar

*2.4 溫度控制范圍:UHV條件下,不小于220K-700K,10 mbar壓力下, 不小于RT-500K。

*2.5 低溫下(150 K< T <RT)最大熱漂移速率:<0.05nm/min (垂直方向),<0.15nm/min (水平方向)。

*2.6 掃描頭機(jī)械穩(wěn)定性(針尖固定位置不動,在恒壓恒流模式下,Z中噪音的峰峰值):< 5 pm。

2.7 配備近常壓進(jìn)氣氣路

2.8配置溫度控制單元和樣品轉(zhuǎn)移機(jī)械手

3 STM控制器

3.1匹配前放增益1V/nA。

3.2隧穿電流范圍:不小于0.01nA–50nA。

*3.3具有快速掃描功能,數(shù)據(jù)獲取速度:不低于1000000像素/秒。

3.4 配備配套軟件和數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)一套

4 針尖刻蝕離子源

4.1用于針尖原位處理,離子能量范圍最大:不小于5 keV。

4.2離子束流(Ar氣)最大值:≥ 20 μA。




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