| 產(chǎn)地類(lèi)別 | 進(jìn)口 | 產(chǎn)品種類(lèi) | 正置 |
|---|---|---|---|
| 價(jià)格區(qū)間 | 面議 | 配備圖像分析系統(tǒng) | 是 |
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 醫(yī)療衛(wèi)生 |
碳化硅晶圓傳輸是一項(xiàng)非常重要的半導(dǎo)體生產(chǎn)過(guò)程中的步驟之一。這個(gè)過(guò)程需要使用到特殊的設(shè)備和技術(shù)，具體包括晶圓搬運(yùn)、清洗、封裝等操作，以確保產(chǎn)出的碳化硅晶圓質(zhì)量?jī)?yōu)良、性能穩(wěn)定。
碳化硅晶圓傳輸?shù)牡谝徊绞蔷A搬運(yùn)，這個(gè)過(guò)程需要使用到一些專(zhuān)業(yè)的設(shè)備，例如載晶車(chē)、載晶盒等。在進(jìn)行晶圓搬運(yùn)過(guò)程中，需要嚴(yán)格控制溫度、緊密密封，避免晶圓在搬運(yùn)過(guò)程中受到損壞或者污染。晶圓搬運(yùn)的過(guò)程非常重要，因?yàn)榫A的質(zhì)量和性能會(huì)直接影響到最終產(chǎn)品的成品率和可靠性。
晶圓搬運(yùn)完成后，需要進(jìn)行清洗處理。這個(gè)過(guò)程需要使用到更加嚴(yán)格的設(shè)備和技術(shù)。一般情況下，采用的是機(jī)械式和化學(xué)式相結(jié)合的清洗方式，可以有效去除晶圓表面的污染和雜質(zhì)。此外，還需要對(duì)晶圓進(jìn)行干燥處理，以保證晶圓表面的干凈和充分的干燥。
清洗和干燥處理完成后，晶圓需要進(jìn)行封裝。封裝是在晶圓表面涂覆一些保護(hù)材料，以保證晶圓在傳輸和加工過(guò)程中不會(huì)受到損傷或者污染。同時(shí)，封裝可以提高晶圓的防水、防氧化等性能，保證產(chǎn)品的穩(wěn)定可靠性。
在進(jìn)行碳化硅晶圓傳輸?shù)倪^(guò)程中，需要注意以下幾點(diǎn)：
1. 保證環(huán)境的潔凈和溫度的恒定，減少晶圓表面污染和溫度變化對(duì)晶圓質(zhì)量的影響。
2. 選擇好的載晶車(chē)和載晶盒等設(shè)備，減少搬運(yùn)過(guò)程中晶圓表面的摩擦和機(jī)械損傷。
3. 選擇高效的清洗和封裝設(shè)備，保證處理效果和效率。
4. 嚴(yán)格遵守操作規(guī)范和操作流程，確保每一步操作都符合標(biāo)準(zhǔn)和要求。
總之，碳化硅晶圓傳輸是半導(dǎo)體生產(chǎn)過(guò)程中非常重要的一環(huán)，需要采用專(zhuān)業(yè)的設(shè)備和技術(shù)，嚴(yán)格遵守操作規(guī)范和標(biāo)準(zhǔn)。只有保證傳輸過(guò)程中晶圓的質(zhì)量和性能，才能生產(chǎn)出質(zhì)量?jī)?yōu)良、性能穩(wěn)定的半導(dǎo)體產(chǎn)品。
徠卡碳化硅晶圓傳輸用于碳化硅是寬禁帶半導(dǎo)體器件制造的核心材料，SiC 器件具有高頻、大功率、耐高溫、耐輻射、抗干擾、體積小、重量輕等諸多優(yōu)勢(shì)，是目前硅和砷化鎵等半導(dǎo)體材料所的，應(yīng)用前景十分廣闊，是核心器件發(fā)展需要的關(guān)鍵材料，由于其加工難度大，一直未能得到大規(guī)模推廣應(yīng)用。
碳化硅材料的加工難度體現(xiàn)在：
(1)硬度大，莫氏硬度分布在 9.2～9.6；
(2)化學(xué)穩(wěn)定性高，幾乎不與任何強(qiáng)酸或強(qiáng)堿發(fā)生反應(yīng)；
(3)加工設(shè)備尚不成熟。
因此，圍繞碳化硅晶圓劃片工藝和設(shè)備展開(kāi)研究，對(duì)推動(dòng)我國(guó)碳化硅新型電子元器件的發(fā)展，促進(jìn)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展有著積極的意義。
1 碳化硅材料特性
碳化硅是ⅠⅤ-ⅠⅤ族二元化合物半導(dǎo)體，具有很強(qiáng)的離子共價(jià)鍵，結(jié)合能量穩(wěn)定，具有*的力學(xué)、化學(xué)性能。材料帶隙即禁帶能量決定了器件很多性能，包括光譜響應(yīng)、抗輻射、工作溫度、擊穿電壓等，碳化硅禁帶寬度大。如的 4H-SiC禁帶能量是 3.23 eV，因此，具有良好的紫外光譜響應(yīng)特性，被用于制作紫外光電二極管。SiC 臨界擊穿電場(chǎng)比常用半導(dǎo)體硅和砷化鎵大很多，其制作的器件具有很好的耐高壓特性。另外，擊穿電場(chǎng)和熱導(dǎo)率決定器件的最大功率傳輸能力，SiC 熱導(dǎo)率高達(dá) 5 W/(cm·K)，比許多金屬還要高，因此非常適合做高溫、大功率器件和電路。碳化硅熱穩(wěn)定性很好，可以工作在 300～600 ℃。碳化硅硬度高，耐磨性好，常用來(lái)研磨或切割其它材料，這就意味著碳化硅襯底的劃切非常棘手。
目前，用于制作電子器件的碳化硅晶圓主要有 2 種，N 型導(dǎo)電晶圓厚度 150～350 μm，電阻率0.010～0.028 Ω·cm 2 ，主要應(yīng)用于發(fā)光二極管、電力電子行業(yè)的功率器件。高純半絕緣晶圓厚度50～100 μm，電阻率 1×10 8 Ω·cm 2 ，主要用于微波射頻、氮化鎵晶體管等領(lǐng)域。針對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)應(yīng)用的 SiC 晶圓劃切，研究幾種加工方法的特點(diǎn)及應(yīng)用。
徠卡碳化硅晶圓傳輸劃片方法：
1. 砂輪劃片
砂輪劃片機(jī)是通過(guò)空氣靜壓電主軸驅(qū)動(dòng)刀片高速旋轉(zhuǎn)，實(shí)現(xiàn)對(duì)材料的強(qiáng)力磨削。所用的刀片刃口鍍有金剛砂顆粒，金剛砂的莫氏硬度為 10 級(jí)，僅僅比硬度 9.5 級(jí)的 SiC 略高一點(diǎn)，反復(fù)地低速磨削不僅費(fèi)時(shí)，而且費(fèi)力，同時(shí)也會(huì)造成刀具頻繁磨損。如：100 mm（4 英寸）SiC 晶圓劃切每片需要6～8 h，且易造成崩邊缺陷。因此，這種傳統(tǒng)的低效加工方式已經(jīng)逐漸被激光劃片取代。
2. 激光全劃
激光劃片是利用高能激光束照射工件表面，使被照射區(qū)域局部熔化、氣化，從而達(dá)到去除材料，實(shí)現(xiàn)劃片的過(guò)程。激光劃片是非接觸式加工，無(wú)機(jī)械應(yīng)力損傷，加工方式靈活，不存在刀具損耗和水污染，設(shè)備使用維護(hù)成本低。為避免激光劃透晶圓時(shí)損傷支撐膜，采用耐高溫?zé)g的UV膜。
采購(gòu)中心
化工儀器網(wǎng)