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哈爾濱工業(yè)大學(xué)在碳化硅集成光量子糾纏器件領(lǐng)域取得新突破
2024年12月17日 09:46:31
來源：化工儀器網(wǎng) 點(diǎn)擊量：4110
近日，哈爾濱工業(yè)大學(xué)深圳校區(qū)集成電路學(xué)院宋清海教授、周宇教授團(tuán)隊(duì)在碳化硅集成光量子糾纏器件領(lǐng)域取得新突破，將進(jìn)一步推進(jìn)集成光量子信息技術(shù)在量子網(wǎng)絡(luò)和量子傳感領(lǐng)域的應(yīng)用。
【化工儀器網(wǎng) 項(xiàng)目成果】近日，哈爾濱工業(yè)大學(xué)深圳校區(qū)集成電路學(xué)院宋清海教授、周宇教授團(tuán)隊(duì)在碳化硅集成光量子糾纏器件領(lǐng)域取得新突破，將進(jìn)一步推進(jìn)集成光量子信息技術(shù)在量子網(wǎng)絡(luò)和量子傳感領(lǐng)域的應(yīng)用。
研究團(tuán)隊(duì)在絕緣層上碳化硅(SiCOI)波導(dǎo)中成功制備了單個(gè)電子和核自旋的糾纏態(tài)，展示了在常溫條件下對(duì)這些自旋的有效控制能力。研究團(tuán)隊(duì)在碳化硅(SiCOI)上首先制備單個(gè)電子自旋陣列，并通過精細(xì)操控展示了這些自旋的相干特性。他們將特殊的碳化硅(SiC)外延層晶圓與氧化硅晶圓結(jié)合，并通過磨削和拋光技術(shù)將碳化硅(SiC)層減薄到200納米。
隨后，利用離子注入技術(shù)在碳化硅(SiC)層中引入雙空位自旋，并通過光磁共振(ODMR)技術(shù)驗(yàn)證了自旋的特性。在碳化硅(SiC)中，約有1.1%的碳原子和4.7%的硅原子具有核自旋。他們成功識(shí)別了一種特定類型的碳化硅量子缺陷，發(fā)現(xiàn)核自旋與電子自旋之間的強(qiáng)耦合能夠?qū)崿F(xiàn)快速的量子操作。
宋清海介紹：“我們成功識(shí)別了一種特定類型的碳化硅量子缺陷，發(fā)現(xiàn)核自旋與電子自旋之間的強(qiáng)耦合能夠?qū)崿F(xiàn)快速的量子操作。”這些發(fā)現(xiàn)為碳化硅(SiC)片上集成的光量子信息處理提供了重要基礎(chǔ)。
最后，他們將這種電子-核糾纏量子寄存器集成到光波導(dǎo)中，在波導(dǎo)中成功實(shí)現(xiàn)了接近100%的核自旋極化，并制備了最大糾纏貝爾態(tài)，通過量子態(tài)層析測(cè)量糾纏保真度為0.89。
該實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，量子寄存器的光發(fā)射和自旋在集成后保持穩(wěn)定，糾纏也能夠穩(wěn)定保持在室溫的光波導(dǎo)中。這一成果展示了碳化硅平臺(tái)高效的自旋控制、糾纏與片上集成能力，進(jìn)一步推進(jìn)了集成光量子信息技術(shù)在量子網(wǎng)絡(luò)和量子傳感領(lǐng)域的應(yīng)用。
研究成果以《室溫下波導(dǎo)集成的半導(dǎo)體光子平臺(tái)量子寄存器》(Room-temperature waveguide integrated quantum register in a semiconductor photonic platform)為題，發(fā)表于《自然通訊》(Nature Communications)。
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