超凈高純化學(xué)品是微電子技術(shù)發(fā)展過程中的關(guān)鍵基礎(chǔ)化工材料，主要應(yīng)用在半導(dǎo)體、平板顯示、太陽能光伏領(lǐng)域等及微電子、光電子器件制造領(lǐng)域。隨著微電子技術(shù)的迅猛發(fā)展，對超凈高純試劑的要求和標準也不斷在提高。超凈高純化學(xué)品的純度和潔凈度對集成電路的成品率、電性能及可靠性均有十分重要的影響。不同線寬的集成電路（IC）制作工藝技術(shù)，對超凈高純化學(xué)品中金屬雜質(zhì)、顆粒物有嚴格要求。金屬雜質(zhì)如Au、Pt、Fe、Ni、Cu等，以及堿金屬Na、K等，都會對電子元器件的性能產(chǎn)生嚴重影響。因此，在制備超凈高純化學(xué)品時，除金屬雜質(zhì)和顆粒是至關(guān)重要的環(huán)節(jié)，如下表所示：

SEMI國際標準等級及應(yīng)用

超凈高純化學(xué)品伴隨著集成電路的整個制作過程，在濕法工序中，化學(xué)品中的金屬雜質(zhì)會危害到電子元器件電性能，極微量的金屬雜質(zhì)就會嚴重影響半導(dǎo)體的產(chǎn)品質(zhì)量。如Au、Pt、Fe、Ni、Cu等，屬于硅片中的快擴散物質(zhì)，影響元器件的可靠性和閾值電壓，可能導(dǎo)致低擊穿和缺陷。堿金屬如Na、K，會融進氧化膜中，造成元器件漏電、造成低擊穿危害。P、As、Ab、Al等屬于硅片中的淺能級雜質(zhì)，有擴散作用，可影響電子和空穴數(shù)量。隨著集成電路的集成度的日益提升超凈高純化學(xué)品中的金屬離子含量要求也越來越嚴格。

在超凈高純化學(xué)品的制備和應(yīng)用過程中，顆粒物的存在是一個不容忽視的問題。這些顆粒物可能來源于原料、生產(chǎn)環(huán)境或處理過程中的污染。它們不僅會損害集成電路的成品率和可靠性，還可能影響電子元器件的電性能和穩(wěn)定性。

目前國內(nèi)外制備超凈高純試劑的常用技術(shù)主要有：蒸餾、精餾、樹脂交換、重結(jié)晶、化學(xué)處理、膜處理等技術(shù)。膜處理技術(shù)是物理分離過程，無需加熱和無需添加任何化學(xué)試劑，是去除微量金屬離子雜質(zhì)的有效方式。國初科技根據(jù)多年的膜技術(shù)應(yīng)用經(jīng)驗，開發(fā)了一種脫除超凈高純化學(xué)品中金屬離子工藝，可實現(xiàn)金屬離子＜50ppt。

除金屬離子外，超凈高純化學(xué)品的顆?？刂仆瑯雨P(guān)鍵。國初科技針對超純化學(xué)品特性，采用高精度除顆粒超濾膜組件（精度可達5nm），有效去除≥0.2μm顆粒，滿足SEMI Grade 4/5標準要求。  

工藝流程：

為避免接觸部件的溶出物污染，工藝流程中與超凈高純化學(xué)品接觸部件均需采用高純材質(zhì)。一級膜組件可將金屬離子雜質(zhì)含量降低至ppb級別，二級膜組件可將金屬離子雜質(zhì)含量降低至ppt級別，三級膜組件為終端過濾確保溶劑無顆粒，精度可達5nm。同時也有助于脫氣泡，提高化學(xué)品的穩(wěn)定性。本工藝對K、Na、Ca、Cu、Fe、Mg等金屬雜質(zhì)都有較好的去除效果。

與傳統(tǒng)蒸餾工藝比，本工藝的裝置占地面積小，操作非常容易，系統(tǒng)密封，能耗低，環(huán)境友好。不僅可以用在超凈高純化學(xué)品生產(chǎn)，在半導(dǎo)體制程上其他高純試劑的純化應(yīng)用，如樹脂、聚合物等光刻化學(xué)產(chǎn)品，還可以實現(xiàn)金屬離子ppb-ppt級脫除，還可同步完成顆?？刂?，顯著提升超純化學(xué)品的綜合品質(zhì)。

除金屬離子外，超凈高純化學(xué)品的顆?？刂婆c氣泡脫除同樣關(guān)鍵。國初科技針對超純化學(xué)品特性，還可提供化學(xué)品溶液脫氣膜技術(shù)。在使用化學(xué)品溶液的工藝流程中快速去除液體中的氣泡或溶解氣體（如O?、CO?），避免氣泡對光刻、蝕刻等工藝的干擾。  

該技術(shù)已大量應(yīng)用于半導(dǎo)體光刻膠、電子級溶劑等產(chǎn)品的純化，確?；瘜W(xué)品在傳輸與使用過程中無顆粒、無氣泡，提升工藝穩(wěn)定性。

國初科技（廈門）有限公司自成立以來，以膜分離技術(shù)為核心，致力于新型分離技術(shù)推廣，不斷探索新型膜分離技術(shù)在微電子、冶金、化工、機械、食品、乳品、飲料、環(huán)境等領(lǐng)域的新應(yīng)用，根據(jù)不同客戶的高度差異化需求，提供針對性的過濾及純化綜合解決方案，提高產(chǎn)品的品質(zhì)，滿足客戶的需求。