面對(duì)日益復(fù)雜的芯片設(shè)計(jì)和嚴(yán)苛的測(cè)試需求，一套集高精度、寬溫域、多功能于一體的晶圓測(cè)試是非常必不可失的。天恒科儀晶圓集成系統(tǒng)，為科研與工業(yè)檢測(cè)提供了一站式解決方案。

核心優(yōu)勢(shì)與設(shè)計(jì)亮點(diǎn)

極限環(huán)境模擬能力：

支持-80°C至+200°C溫度測(cè)試，覆蓋芯片全工況驗(yàn)證需求。

超高精度定位與測(cè)量：

運(yùn)動(dòng)平臺(tái)精度達(dá)1微米（μm），IV儀表電流分辨率高達(dá)0.1fA（飛安），CV儀表電容分辨率達(dá)0.1fF（飛法），確保微小電性參數(shù)精準(zhǔn)捕捉。

高效集成測(cè)試平臺(tái)：

集探針臺(tái)、溫控卡盤、IV/CV儀表及智能軟件于一體，支持直流、脈沖、高壓、大電流、高頻等多參數(shù)測(cè)試。

智能化操作與分析：

配備全自動(dòng)溫控軟件與多功能測(cè)試軟件，支持一鍵操作、實(shí)時(shí)曲線繪制及大數(shù)據(jù)分析，顯著提升測(cè)試效率。

技術(shù)解析

精密運(yùn)動(dòng)平臺(tái)：

無(wú)隙平滑驅(qū)動(dòng)：X/Y軸平面無(wú)間隙光刻度，移動(dòng)速率可調(diào)，快速行程8"×8"。

微動(dòng)控制：微動(dòng)行程精度1μm，支持0~10mm精細(xì)調(diào)整。

顯微鏡聯(lián)動(dòng)：集成高分辨率顯微系統(tǒng)（光學(xué)分辨率5.5μm），搭配2000萬(wàn)像素工業(yè)相機(jī)，實(shí)現(xiàn)焊盤精準(zhǔn)定位與尺寸測(cè)量。

高低溫卡盤系統(tǒng)：

寬溫域控制：-80°C至+200°C范圍，分辨率0.1°C，穩(wěn)定性±0.1°C。

全自動(dòng)溫控：軟件一鍵控制，實(shí)時(shí)監(jiān)控溫度曲線與數(shù)據(jù)流。

高兼容接口：背面電極引流通孔，支持Banana、BNC、TRAX、SMA、HYTRAX等主流測(cè)試接口。

IV/CV精密測(cè)量?jī)x表：

IV儀表：寬動(dòng)態(tài)范圍（200mV~200V, 1μA~1A），四象限工作，支持?jǐn)?shù)字I/O與遠(yuǎn)程控制（RS-232）。

CV儀表：寬頻測(cè)量（DC，4Hz~8MHz），高精度（Z:±0.05% rdg, Q:±0.03°），支持200V DC偏壓。

智能測(cè)試軟件：

多功能界面：可配置掃描參數(shù)（步長(zhǎng)、延遲、循環(huán)次數(shù)等）、量程（手動(dòng)/自動(dòng)）、濾波及積分時(shí)間（0.001s~25s）。

實(shí)時(shí)曲線繪制：支持I/V、P/I、C/V、C/T等十余種特性曲線實(shí)時(shí)顯示。

晶圓測(cè)試系統(tǒng)詳細(xì)參數(shù)

應(yīng)用領(lǐng)域

邏輯/模擬芯片測(cè)試：

精準(zhǔn)驗(yàn)證晶體管特性（I/V曲線）、功耗（P/I）及高溫穩(wěn)定性。

存儲(chǔ)器驗(yàn)證：

完成DRAM單元（Cell）電性能篩查，支持Wafer Burn-in（老化測(cè)試）與Repair（修復(fù)）流程。

功率器件分析： 高壓（200V）、大電流（1A）測(cè)試能力，滿足MOSFET/IGBT動(dòng)態(tài)特性評(píng)估。

射頻器件表征：

CV儀表支持8MHz高頻測(cè)量，適用于RF電容、電感參數(shù)提取。

工藝監(jiān)控與失效分析：

通過晶圓級(jí)測(cè)試（Wafer Level Verification）反饋工藝缺陷，定位封裝前不良品。