超高溫紅外加熱爐是一種利用紅外輻射技術(shù)進(jìn)行加熱的熱處理設(shè)備,以下從技術(shù)特點(diǎn)、應(yīng)用場(chǎng)景、優(yōu)勢(shì)分析三方面展開介紹:
超高溫紅外加熱爐技術(shù)特點(diǎn):
加熱原理:
紅外加熱爐基于物體對(duì)紅外輻射的吸收原理工作。當(dāng)物體暴露在紅外輻射源附近時(shí),紅外輻射能量被物體吸收并轉(zhuǎn)化為熱能,使物體內(nèi)部溫度升高。
超高溫紅外加熱爐采用高能流密度紅外燈和鍍金反射鏡設(shè)計(jì),能夠產(chǎn)生高強(qiáng)度的紅外輻射,實(shí)現(xiàn)快速升溫。
溫度控制:
超高溫紅外加熱爐可快速將樣品加熱至1500℃高溫,并配備高精度溫度控制器,實(shí)現(xiàn)精確的溫度控制。
部分設(shè)備支持程序化溫度控制,可根據(jù)實(shí)驗(yàn)需求設(shè)置多段升溫曲線。
加熱環(huán)境:
適用于各種環(huán)境,如真空、惰性、氧化和還原氣氛中進(jìn)行加熱和冷卻。
背部燈罩帶水冷系統(tǒng),可滿足長(zhǎng)時(shí)間測(cè)試需求,防止燈罩因高溫而變形。
應(yīng)用場(chǎng)景
材料科學(xué):
用于電子材料、陶瓷材料、金屬材料等多種材料的加熱與分析實(shí)驗(yàn)。
在航空工業(yè)中,用于高溫合金材料的加熱測(cè)試,以確保其在高溫環(huán)境下的性能和耐久性。
半導(dǎo)體制造:
用于半導(dǎo)體試樣的快速升溫和退火熱處理。
薄膜制備:
在氧化氣氛中,用于氧化物晶體的形成和薄膜的制備。
分析儀器:
可連接到X射線或紫外線照射下的樣品加熱裝置,如加熱的解吸氣體分析儀、XPS、XRD、PLD等。
優(yōu)勢(shì)分析
快速升溫:
升溫速率超過1000℃/min,部分設(shè)備甚至可達(dá)150℃/sec,大大縮短了實(shí)驗(yàn)周期。
高精度控溫:
使用專用溫度控制器,可以高精度控制最終溫度,確保實(shí)驗(yàn)結(jié)果的準(zhǔn)確性和可重復(fù)性。
可視化觀察:
配備耐溫視窗,便于觀察樣品變化,并可集成光學(xué)系統(tǒng)進(jìn)行圖像采集。
潔凈加熱:
加熱過程中無需接觸樣品,避免了污染和雜質(zhì)引入,保證了樣品的純凈度。
靈活定制:
可根據(jù)需求定制不同功率、恒溫區(qū)尺寸和溫度范圍,滿足不同實(shí)驗(yàn)需求。
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