屏蔽電纜的高頻屏蔽特性分析?
?一、材料與結(jié)構(gòu)對高頻屏蔽的影響?
?屏蔽層材質(zhì)選擇?
?銅箔/銅帶屏蔽?:采用全封閉覆蓋(如螺旋繞包或縱包),高頻段(>1MHz)屏蔽效率可達(dá) ?99%以上?,有效阻斷電磁泄漏;
?銅絲編織屏蔽?:編織間隙易導(dǎo)致高頻信號泄漏,通常適用于低頻場景(<1MHz);但在雙層屏蔽結(jié)構(gòu)中,內(nèi)層銅絲編織與外層銅箔疊加可兼顧柔性與高頻性能。
?雙層屏蔽設(shè)計(jì)?
內(nèi)層屏蔽(金屬箔)抑制內(nèi)部串?dāng)_,外層屏蔽(編織或鎧裝)阻擋外部干擾,組合后在高頻段(10MHz–1GHz)屏蔽效能顯著提升;
通過在屏蔽層間增設(shè)彈性塊或加強(qiáng)筋,增強(qiáng)抗拉強(qiáng)度并減少機(jī)械形變對高頻屏蔽連續(xù)性的影響。
?二、關(guān)鍵性能參數(shù)?
?屏蔽效能(SE)?
定義為有/無屏蔽層時(shí)空間場強(qiáng)比值,高頻段(>10MHz)雙層屏蔽可比單層提升 ?20–40dB? ;
轉(zhuǎn)移阻抗(ZT)越低,高頻抗干擾能力越強(qiáng),銅箔屏蔽電纜的 ZT 值普遍低于銅絲編織電纜。
?頻率適應(yīng)性?
單層銅絲屏蔽適用頻率上限約 ?100kHz?,而銅箔或雙層屏蔽可擴(kuò)展至 ?6GHz?(如射頻通信電纜)。
?三、高頻屏蔽的工程實(shí)踐?
?接地策略?
高頻場景(>1MHz)需采用 ?雙端接地?,并通過 360° 環(huán)焊連接屏蔽層與金屬連接器,避免信號反射和駐波干擾;
單端接地僅適用于低頻電場防護(hù),高頻下易形成天線效應(yīng)加劇輻射。
?安裝要求?
最小彎曲半徑需 ≥6倍電纜直徑,過度彎折會破壞屏蔽層連續(xù)性,導(dǎo)致高頻信號衰減;
外層屏蔽與護(hù)套緊密貼合(如仿形凹槽設(shè)計(jì)),減少高頻傳輸時(shí)的電容耦合噪聲。
?四、典型應(yīng)用與選型建議?
注?:高頻屏蔽需結(jié)合 ?材料特性?、?結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)? 和 ?接地規(guī)范? 綜合優(yōu)化,避免盲目疊加屏蔽層導(dǎo)致成本增加或安裝復(fù)雜度上升
相關(guān)產(chǎn)品
免責(zé)聲明
- 凡本網(wǎng)注明“來源:化工儀器網(wǎng)”的所有作品,均為浙江興旺寶明通網(wǎng)絡(luò)有限公司-化工儀器網(wǎng)合法擁有版權(quán)或有權(quán)使用的作品,未經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)不得轉(zhuǎn)載、摘編或利用其它方式使用上述作品。已經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)使用作品的,應(yīng)在授權(quán)范圍內(nèi)使用,并注明“來源:化工儀器網(wǎng)”。違反上述聲明者,本網(wǎng)將追究其相關(guān)法律責(zé)任。
- 本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其他來源(非化工儀器網(wǎng))的作品,目的在于傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)贊同其觀點(diǎn)和對其真實(shí)性負(fù)責(zé),不承擔(dān)此類作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。其他媒體、網(wǎng)站或個(gè)人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時(shí),必須保留本網(wǎng)注明的作品第一來源,并自負(fù)版權(quán)等法律責(zé)任。
- 如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問題,請?jiān)谧髌钒l(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系,否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。