半導(dǎo)體濺射是半導(dǎo)體制造中使用的一種薄膜形成技術(shù)。

被等離子體電離的氣體撞擊一種稱(chēng)為靶的材料，將微粒沉積到基質(zhì)上。噴射出的粒子以高能狀態(tài)到達(dá)基材，這使得它們更容易牢固地粘附在基材上。以金屬、氧化物等多種物質(zhì)為靶材，在半導(dǎo)體芯片的配線(xiàn)層、絕緣膜、保護(hù)膜等各種膜的形成中發(fā)揮著重要作用。

與主要依賴(lài)化學(xué)反應(yīng)的方法不同，濺射具有通過(guò)物理方式將材料供應(yīng)到基材的 特點(diǎn)。與氣相沉積相比，該方法的優(yōu)點(diǎn)是可以提供更高的薄膜附著力和均勻性，并且薄膜厚度的控制更容易且更穩(wěn)定。據(jù)稱(chēng)，在需要精細(xì)圖案的半導(dǎo)體工藝中，更容易實(shí)現(xiàn)高再現(xiàn)性。

半導(dǎo)體濺射是生產(chǎn)高性能器件的重要方法。

半導(dǎo)體濺射的應(yīng)用

半導(dǎo)體濺射的優(yōu)點(diǎn)在于，它可以靈活地適應(yīng)堆疊具有多種功能層的工藝，從導(dǎo)電層到保護(hù)層。不僅可以期待穩(wěn)定的薄膜品質(zhì)，而且通過(guò)精密控制可以輕松獲得均勻的薄膜也備受關(guān)注。以下是如何使用這些服務(wù)的一些示例：

1. 半導(dǎo)體晶圓

廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體晶圓上高精度布線(xiàn)層及電極的形成工序。該方法的特點(diǎn)是可以在基板上均勻地沉積一層薄薄的金屬膜，從而獲得穩(wěn)定的電氣特性。除了導(dǎo)體之外，它還可以形成絕緣膜和阻擋層，從而可以靈活應(yīng)對(duì)日益復(fù)雜的器件結(jié)構(gòu)。

2. 小型設(shè)備

濺射技術(shù)通常用于制造需要微加工的小型設(shè)備。通過(guò)等離子體物理供應(yīng)粒子的優(yōu)點(diǎn)是即使在具有高縱橫比結(jié)構(gòu)的區(qū)域也更容易形成穩(wěn)定的薄膜。例如，在傳感器和存儲(chǔ)元件中，精確控制的薄膜對(duì)器件性能和可靠性有重大影響。

3. 原型設(shè)計(jì)、研究與開(kāi)發(fā)

半導(dǎo)體濺射服務(wù)也經(jīng)常用于原型設(shè)計(jì)和研發(fā)領(lǐng)域。該方法的優(yōu)點(diǎn)是在評(píng)估新材料的性能或優(yōu)化工藝條件時(shí)可以輕松處理少量樣品。由于它可以處理各種各樣的材料，因此可以靈活地進(jìn)行使用下一代功能材料和復(fù)合材料的實(shí)驗(yàn)，并且在考慮高級(jí)應(yīng)用時(shí)也很有用。該方法被高度評(píng)價(jià)為一種易于使用的技術(shù)，因?yàn)榧词乖跍y(cè)試的材料特性時(shí)，它也可以適當(dāng)調(diào)整薄膜厚度。