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半絕緣碳化硅與導電性碳化硅在電特性和應(yīng)用領(lǐng)域上差異顯著。半絕緣碳化硅，作為一種電阻率較高的材料，其電阻率范圍通常在10^5-10^12Ω.cm，非常適用于高溫、高電壓環(huán)境，如電力電子設(shè)備和電動汽車部件。而導電性碳化硅，電阻率低，位于10^-3-10^-2Ω.cm之間，更適合低壓、高電流場景，如功率半導體和射頻電子器件。此外，由于成分和制備工藝的差異，導電性碳化硅的成本相對較高，而半絕緣碳化硅則因其電性能要求較低而成本更為親民。因此，在選擇材料時，需根據(jù)具體應(yīng)用環(huán)境來決定：高溫高壓選半絕緣，低壓高流選導電，以確保最佳性能和成本效益。半絕緣型碳化硅襯底的制備關(guān)鍵在于去除晶體中的雜質(zhì)，特別是淺能級雜質(zhì)，以實現(xiàn)高電阻率。在高溫條件下，PVT法制備碳化硅襯底時，碳化硅粉料和石墨材料等會釋放出雜質(zhì)并生長進入晶體，影響晶體的純度和電學性能。企業(yè)已將半絕緣型碳化硅襯底的電阻率穩(wěn)定控制在108Ω·cm以上
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