原裝IGBT 模塊FZ400R12KE4應用原理

 IGBT 模塊在實際應用中，基板和散熱片的溫度不是總能簡化假設為恒定值，因為與散熱片的時間常數(shù)相比，負載周期的時間不是短到可以忽略的。對于非固定的工作環(huán)境，要對Tcase(t )進行測量或者將IGBT模型與散熱片模型連接。在以上兩種網(wǎng)絡熱路模型中，在評估情況下的溫度時是用導熱膠Rt h 替代常常是未知的導熱膠Zt h。然而，在局部網(wǎng)絡熱路模型中，當一個階躍的功率輸入到IGBT中時將導致通過導熱膠的溫度隨即上升，并因此將導致實際器件中不存在的結溫升高。有兩種方法可以避開這個問題：1) 如果散熱片的Zt h 可以通過測量得到，應當用基板的溫度Tcase來代替散熱片的溫度Th s。在這種情況下，導熱膠已經包含在散熱片的溫度測量中，這樣就不必再單獨分開考慮。2) 如果IGBT已經搭建，因已知輸入功率損耗P(t )，則基板的溫度Tcase(t )可以直接測量得到。

 IGBT 模塊現(xiàn)在提供集成式分流電阻，用于交流電路中的電流監(jiān)測。將附加功能集成到IGBT模塊中是優(yōu)化逆變器整體系統(tǒng)成本非常有效的方法。不再需要外部電流傳感器。英飛凌為3級NPC2拓撲結構提供專用EconoDUAL™3模塊。Viso測試依照IEC60747-9標準針對我們所有的IGBT模塊進行100%的檢測。請參閱附件中有關最終測試的信息。測試時，所有端子將被連接在一起。

 IGBT 模塊連續(xù)網(wǎng)絡熱路模型 (Continued fraction circuit,也稱作Cauer模型, T模型或梯形網(wǎng)絡)連續(xù)網(wǎng)絡熱路模型(Continued fraction circuit)反應了帶有內部熱阻的半導體器件的熱容量真實的物理傳導過程。當已知器件的每層的材料特性時，就能夠建立這個模型。然而，要畫出 每層材料上的熱路圖是十分麻煩的。模塊的每一層（芯片、芯片的連接部、基片、基片連接部、底板）都可以用相應獨立的RC單元來表示。因此從熱路模型的各網(wǎng)絡節(jié)點就能夠獲得每層材料的內部溫度。與連續(xù)網(wǎng)絡熱路模型不同，局部網(wǎng)絡熱路模型(Partial fraction circuit)的RC部分不再與各材料層對應。網(wǎng)絡節(jié)點沒有任何物理意義。本應用手冊是用該模型，因為系數(shù)很容易從已測得的散熱曲線中得到，因此該模型往往用于解析計算模塊的溫度分布。