單片開關(guān)電源原理及應(yīng)用

開關(guān)電源自20世紀(jì)70年代開始應(yīng)用以來，涌現(xiàn)出許多功能完備的集成控制電路，使開關(guān)電源電路日益簡化，工作頻率不斷提高，效率大大提高，并為電源小型化提供了廣闊的前景。三端離線式脈寬調(diào)制單片開關(guān)集成電路TOP(Threeterminaloffline)將PWM控制器與功率開關(guān)MOSFET合二為一封裝在一起，已成為開關(guān)電源IC發(fā)展的主流。采用TOP開關(guān)集成電路設(shè)計(jì)開關(guān)電源，可使電路大為簡化，體積進(jìn)一步縮小，成本也明顯降低。

二、TOP開關(guān)結(jié)構(gòu)及工作原理

1、結(jié)構(gòu)

TOP開關(guān)集各種控制功能、保護(hù)功能及耐壓700V的功率開關(guān)MOSFET于一體，采用TO220或8腳DIP封裝。少數(shù)采用8腳封裝的TOP開關(guān)，除D、C兩引腳外，其余6腳實(shí)際連在一起，作為S端，故仍系三端器件。三個引出端分別是漏D、源S和控制端C。其中，D是內(nèi)裝MOSFET的漏極，也是內(nèi)部電流的檢測點(diǎn)，起動操作時，漏由一個內(nèi)部電流源提供內(nèi)部偏置電流?？刂贫薈控制輸出占空比，是誤差放大器和反饋電流的輸入端。在正常操作時，內(nèi)部的旁路調(diào)整端提供內(nèi)部偏置電流，且能在輸入異常時，自動鎖定保護(hù)。源S是MOSFET的源極，同時是TOP開關(guān)及開關(guān)電源初級電路的公共接地點(diǎn)及基準(zhǔn)點(diǎn)。

2、工作原理

TOP包括10部分，其中Zc為控制端的動態(tài)阻抗，RE是誤差電壓檢測電阻。RA與CA構(gòu)成截止頻率為7kHz的低通濾波器。主要特點(diǎn)是：

（1）前沿消隱設(shè)計(jì)，延遲了次級整流二級管反向恢復(fù)產(chǎn)生的尖峰電流沖擊；

（2）自動重起動功能，以典型值為5%的自動重起動占空比接通和關(guān)斷；

（3）低電磁干擾性（EMI），TOP系列器件采用了與外殼的源極相連，使金屬底座及散熱器的dv/dt=0，從而降低了電壓型控制方式與逐周期峰值電流限制;

（4）電壓型控制方式與逐周期峰值電流限制。

下面簡要敘述一下：

（1）控制電壓源

控制電壓Uc能向并聯(lián)調(diào)整器和門驅(qū)動極提供偏置電壓，而控制端電流Ic則能調(diào)節(jié)占空比。控制端的總電容用Ct表示，由它決定自動重起動的定時，同時控制環(huán)路的補(bǔ)償，Uc有兩種工作模式，一種是滯后調(diào)節(jié)，用于起動和過載兩種情況，具有延遲控制作用；另一種是并聯(lián)調(diào)節(jié)，用于分離誤差信號與控制電路的高壓電流源。剛起動電路時由D-C極之間的高壓電流源提供控制端電流Ic，以便給控制電路供電并對Ct充電。

（2）帶隙基準(zhǔn)電壓源

帶隙基準(zhǔn)電壓源除向內(nèi)部提供各種基準(zhǔn)電壓之外，還產(chǎn)生一個具有溫度補(bǔ)償并可調(diào)整的電流源，以保證精確設(shè)定振蕩器頻率和門極驅(qū)動電流。

（3）振蕩器

內(nèi)部振蕩電容是在設(shè)定的上、下閾值UH、UL之間周期性地線性充放電，以產(chǎn)生脈寬調(diào)制器所需要的鋸齒波（SAW），與此同時還產(chǎn)生最大占空比信號(Dmax)和時鐘信號(CLOCK)。為減小電磁干擾，提高電源效率，振蕩頻率（即開關(guān)頻率）設(shè)計(jì)為100kHz，脈沖波形的占空比設(shè)定為D。

（4）放大器

誤差放大器的增益由控制端的動態(tài)阻抗Zc來設(shè)定。Zc的變化范圍是10Ω～20Ω，典型值為15Ω。誤差放大器將反饋電壓UF與5.7V基準(zhǔn)電壓進(jìn)行比較后，輸出誤差電流Ir，在RE上形成誤差電壓UR。

（5）脈寬調(diào)制器（PWM）

脈寬調(diào)制器是一個電壓反饋式控制電路，它具有兩層含義。第一、改變控制端電流Ic的大小，即可調(diào)節(jié)占空比D，實(shí)現(xiàn)脈寬調(diào)制。第二、誤差電壓UR經(jīng)由RA、CA組成截止頻率為7kHz的低通濾波器，濾掉開關(guān)噪聲電壓之后，加至PWM比較器的同相輸入端，再與鋸齒波電壓UJ進(jìn)行比較，產(chǎn)生脈寬調(diào)制信號UB。

（6）門驅(qū)動級和輸出級

門驅(qū)動級（F）用于驅(qū)動功率開關(guān)管(MOSFET)，使之按一定速率導(dǎo)通，從而將共模電磁干擾減至最小。漏源導(dǎo)通電阻與產(chǎn)品型號和芯片結(jié)溫有關(guān)。MOSFET管的漏源擊穿電壓U(bo)ds≥700V。

（7）過流保護(hù)電路

過流比較器的反相輸入端接閾值電壓ULIMIT，同相輸入端接MOSFET管的漏極。此外，芯片還具有初始輸入電流限制功能。剛通電時可將整流后的直流限制在0.6A或0.75A。

（8）過熱保護(hù)電路

當(dāng)芯片結(jié)溫TJ>135℃時，過熱保護(hù)電路就輸出高電平，將觸發(fā)器Ⅱ置位，Q=1，，關(guān)斷輸出級。此時進(jìn)入滯后調(diào)節(jié)模式，Uc端波形也變成幅度為4.7V～5.7V的鋸齒波。若要重新起動電路，需斷電后再接通電源開關(guān)；或者將控制端電壓降至3.3V以下，達(dá)到Uc(reset)值，再利用上電復(fù)位電路將觸發(fā)器Ⅱ置零，使MOSFET恢復(fù)正常工作。

（9）關(guān)斷/自起動電路

一旦調(diào)節(jié)失控，關(guān)斷/自動重起動電路立即使芯片在5%占空比下工作，同時切斷從外部流入C端的電流，Uc再次進(jìn)入滯后調(diào)節(jié)模式。倘若故障己排除，Uc又回到并聯(lián)調(diào)節(jié)模式，自動重新起動電源恢復(fù)正常工作。自動重起動的頻率為1.2Hz。

（10）高壓電流源

在起動或滯后調(diào)節(jié)模式下，高壓電流源經(jīng)過電子開關(guān)S1給內(nèi)部電路提供偏置，并且對Ct進(jìn)行充電。電源正常工作時S1改接內(nèi)部電源，將高壓電流源關(guān)斷。

當(dāng)TOP開關(guān)起動操作時，在控制端環(huán)路振蕩電路的控制下，漏有電流流入芯片，提供開環(huán)輸入。該輸入通過旁路調(diào)整器、誤差放大器時，由控制端進(jìn)行閉環(huán)調(diào)整，改變Ir，經(jīng)由PWM控制MOSFET的輸出占空比，最后達(dá)到動態(tài)平衡。

三、TOP開關(guān)的典型應(yīng)用

1、12V/30W小功率開關(guān)電源

12V/30W小功率開關(guān)電源原理圖如圖2所示。該電源特性是：簡單，直接可與220V交流電源連接，經(jīng)橋式整流電容濾波后產(chǎn)生300V直流高電壓起動開關(guān)電源工作。并且重量輕、體積小，接線簡單外圍元件少。

該電路特點(diǎn)是利用三極管Q1，二極管D8及電阻R5、R6組成過低壓保護(hù)電路，當(dāng)輸入電壓降低到一定程度時，Q1導(dǎo)通，控制端C電位降低，TOP開關(guān)關(guān)閉，開關(guān)電源沒有輸出。

（1）輸入電路

電網(wǎng)交流220V輸入電壓經(jīng)橋式整流、電容濾波后產(chǎn)生300V直流高壓起動開關(guān)電源工作。

（2）電源變換器部分

在該電路中，T2為高頻變壓器，其中：N1為初級繞組（35T）；N2為反饋繞組（15T）；N3為次級隔離輸出繞組（7T）。

開關(guān)電源工作后，反饋繞組N2經(jīng)整流、濾波、限流后送至TOP開關(guān)控制極C，以調(diào)整TOP開關(guān)內(nèi)部PWM占空比。當(dāng)因某種原因如負(fù)載變輕引起輸出電壓升高時，N2電壓將升高，即流入TOP開關(guān)控制端C的電流增加。在振蕩電路的控制下，漏D有電流流入芯片，提供開環(huán)輸入，該輸入通過旁路調(diào)整器、誤差放大器，由控制端進(jìn)行閉環(huán)調(diào)整，經(jīng)由PWM控制MOSFET的輸出占空比，使其占空比線性減小，從而使輸出電壓下降，最后達(dá)到動態(tài)平衡，保持輸出穩(wěn)定。電路中并接于初級繞組N1兩端的瞬態(tài)電壓抑制二極管D5、電容C4及快速二極管D6組成鉗位削峰電路。鉗制電感放電脈沖的最高電位，減少漏感抗引起的漏電壓畸變。在實(shí)際繞制高頻電源變壓器時，為了減小漏感的影響，可采用初級與次級相互交叉的繞制方法。同時，采用自我屏蔽作用較為良好的罐形磁芯，將線圈都用磁芯封在里邊。

（3）反饋控制回路

電容C6決定軟起動恢復(fù)時間，C6、R5、R4、C5、D7決定控制回路的零點(diǎn)。R4阻值過小，限流線性差，容易導(dǎo)致TOP開關(guān)損壞；過大則調(diào)整線性差。在實(shí)驗(yàn)中取值為10kΩ

　　（4）輸出回路

　　 N3、D10、C8、D11構(gòu)成輸出回路。肖特基勢壘整流二極管D10對高頻變壓器次級的高頻方波電壓進(jìn)行整流，經(jīng)低ESR值的電解電容濾波及雙向瞬態(tài)電壓抑制二極管D11削峰穩(wěn)壓后，提供給負(fù)載電路。R7既可改善電源本身的輸出阻抗，又能小幅度地調(diào)整輸出電壓的范圍，同時又可在電源空載時為電容C8提供放電回路。R7取值為430Ω。

2、12.5V/25W精密開關(guān)電源

12.5V/25W精密開關(guān)電源原理圖如圖3所示。由TOP204構(gòu)成隔離式＋12.5V、2A（25W）開關(guān)電源電路，該電源的特性為：當(dāng)交流輸入電壓U從85V變化到265V時，電壓調(diào)整率為±0.2%；當(dāng)負(fù)載電流從10%(0.2A)變化到100%(2A)時，負(fù)載調(diào)整率也達(dá)±0.2%，可與線性集成穩(wěn)壓電源相媲美。該電路的主要特點(diǎn)是利用一片TL431(IC3)與光電耦合器(IC2)構(gòu)成外部誤差放大器。它再與片內(nèi)誤差放大器配合使用，對控制電流進(jìn)行精細(xì)調(diào)整，從而大大提高了穩(wěn)壓性能。

四、結(jié)束語

由于TOP芯片內(nèi)部*集成了SMPS的全部功能，所以利用它設(shè)計(jì)出的開關(guān)電源周期短，成本低，對于小功率電源，簡單，體積小，重量輕。隨著TOP開關(guān)系列的不斷發(fā)展與改進(jìn)，其在開關(guān)電源及其它應(yīng)用領(lǐng)域中必將有著更加燦爛的前景。