超純水（UPW）(被廣泛地用于半導體器件生產中所有濕法工藝步驟，包括晶片沖洗和化學浴中化合物的稀釋。在這些關鍵步驟中，可能會吸收來自化學浴和沖洗水中的污染物，然后通過一系列的化學和電化學反應沉淀到硅表面。在成品的重點區(qū)域中，如果金屬污染物的濃度達到50 ppq，就會改變集成電路部件的電氣參數，導致其無法通過后的電氣測試。因此超純水純度測定至關重要。在SEMI F63-0918《半導體加工中超純水使用指南》中，除B（50 ppt）和Ni（3 ppt）外，26 種金屬污染物的目標值應小于1 ppt。
在此，我們將展示出珀金埃爾默的化學高分辨多重四極桿ICP-MS 儀器 NexION 5000 獲得的超純水分析結果。NexION 5000 四組四極桿組成的多重四極桿ICP-MS 質譜平臺，通過各四極桿的不同質量分辨能力和工作模式，結合碰撞反應池技術，實現(xiàn)化學高分辨，獲得干擾消除。
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