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半導(dǎo)體（SEMI）附膜晶圓應(yīng)力檢測(cè)的應(yīng)用
工藝介紹
在高溫環(huán)境中，由于化學(xué)氣相沉積（CVD）的涂層與晶圓的膨脹率不同，容易產(chǎn)生局部形變，形變則會(huì)產(chǎn)生應(yīng)力，在多層的反復(fù)加工中應(yīng)力會(huì)越來(lái)越大，最終導(dǎo)致晶圓損壞報(bào)廢。
因此化學(xué)氣相沉積（CVD）鍍膜的細(xì)分工位通常使用激光退火的方式來(lái)消除應(yīng)力，最后通過(guò)應(yīng)力檢測(cè)機(jī)確認(rèn)消除效果，以此形成應(yīng)力把控的閉環(huán)。
設(shè)備前端模塊（EFEM）將晶圓送入測(cè)量腔內(nèi)，隨后晶圓經(jīng)翻轉(zhuǎn)運(yùn)輸至干涉儀的測(cè)量視野范圍中檢測(cè)形變量，通過(guò)應(yīng)力計(jì)算判定退火品質(zhì)后，再翻轉(zhuǎn)運(yùn)輸至設(shè)備前端模塊（EFEM）進(jìn)行OK/NG的分類。
課題
1、如何精準(zhǔn)地采集實(shí)時(shí)溫度
目前時(shí)域中常見(jiàn)的濾波方式，平均值（AVE）方式穩(wěn)定性好，可抗干擾差；中位值（MED）方式抗干擾好，可穩(wěn)定性差，在輸入干擾較大的情況下，用以上任意一種濾波難以精準(zhǔn)獲取到實(shí)時(shí)的溫度值。
2、如何快速響應(yīng)細(xì)微的溫度變化趨勢(shì)？
解決方案
1、經(jīng)驗(yàn)分布統(tǒng)計(jì)+專業(yè)的建模計(jì)算，推算批量數(shù)據(jù)
通過(guò)有限的溫度采樣值，例如中心的基準(zhǔn)溫度值、變化趨勢(shì)、判定區(qū)間，并使用大數(shù)據(jù)仿真確定了更為合適的RMS濾波算法，最后經(jīng)過(guò)經(jīng)驗(yàn)分布函數(shù)推算/模擬出大量的實(shí)時(shí)溫度數(shù)據(jù)。
2、通過(guò)數(shù)學(xué)期望算法，實(shí)時(shí)估算基準(zhǔn)值
首先建立數(shù)學(xué)期望模型，然后采集開(kāi)始檢測(cè)的溫度值（過(guò)濾后），最后通過(guò)一系列的推算，在動(dòng)態(tài)測(cè)量中預(yù)估出基準(zhǔn)溫度值。
