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              [供應(yīng)]智能抗干擾介損測(cè)試儀
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              • 智能抗干擾介損測(cè)試儀
              貨物所在地:
              江蘇揚(yáng)州市
              更新時(shí)間:
              2021-04-21 16:38:49
              有效期:
              2021年4月21日 -- 2022年4月21日
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              產(chǎn)品分類(lèi)品牌分類(lèi)

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              產(chǎn)品簡(jiǎn)介

              智能抗干擾介損測(cè)試儀可以在工頻高電壓下,現(xiàn)場(chǎng)測(cè)量各種絕緣材料、絕緣套管、電力電纜、電容器、互感器、變壓器等高壓設(shè)備的介質(zhì)損耗角正切(tgδ)和電容值(Cx)。

              詳細(xì)介紹

              產(chǎn)品簡(jiǎn)介

              智能抗干擾介損測(cè)試儀

              采用頻率浮動(dòng)、數(shù)字波形分析和電橋自校準(zhǔn)等技術(shù),配合高精度三端標(biāo)準(zhǔn)電容器,實(shí)現(xiàn)高精度介損測(cè)量,并且正/反接線測(cè)量的準(zhǔn)確度和穩(wěn)定性*。

              工作原理:

              智能抗干擾介損測(cè)試儀

              在交流電壓作用下,電介質(zhì)要消耗部分電能,這部分電能將轉(zhuǎn)變?yōu)闊崮墚a(chǎn)生損耗。這種能量損耗叫做電介質(zhì)的損耗。當(dāng)電介質(zhì)上施加交流電壓時(shí),電介質(zhì)中的電壓和電流間成在相角差ψ,ψ的余角δ稱(chēng)為介質(zhì)損耗角,δ的正切tgδ稱(chēng)為介質(zhì)損耗角正切。tgδ值是用來(lái)衡量電介質(zhì)損耗的參數(shù)。儀器測(cè)量線路包括一標(biāo)準(zhǔn)回路(Cn)和一被試回路(Cx),如圖1所示。標(biāo)準(zhǔn)回路由內(nèi)置高穩(wěn)定度標(biāo)準(zhǔn)電容器與測(cè)量線路組成,被試回路由被試品和測(cè)量線路組成。測(cè)量線路由取樣電阻與前置放大器和A/D轉(zhuǎn)換器組成。通過(guò)測(cè)量電路分別測(cè)得標(biāo)準(zhǔn)回路電流與被試回路電流幅值及其相位差,再由數(shù)字信號(hào)處理器運(yùn)用數(shù)字化實(shí)時(shí)采集方法,通過(guò)矢量運(yùn)算得出試品的電容值和介質(zhì)損耗正切值。

              技術(shù)指標(biāo):
                    1、環(huán)境溫度:0 ~ 40℃(液晶屏應(yīng)避免長(zhǎng)時(shí)日照)         
                    2、相對(duì)濕度:30% ~ 70% 
                    3、供電電源:電壓:220V±10%、頻率:50±1Hz 
                    4、外形尺寸:長(zhǎng)×寬×高   500mm×300mm×400mm 
                    5、重量:    約18Kg           
                    6、輸出功率:0.6KVA 
                    7、顯示分辯率:3位、4位(內(nèi)部全是6位) 
                    8、測(cè)量范圍及輸出電壓選擇: 
                               介質(zhì)損耗(tgδ):±0.00~±999% 
                               試品電容容量(Cx)和加載電壓: 
                               2.5KV檔:≤300nF(300000pF)            3KV檔:≤200nF(200000pF) 
                               5KV檔:≤76nF(76000pF)                7.5KV檔:≤34nF(34000pF) 
                               10KV檔:≤20nF(20000pF) 
                    9、基本測(cè)量誤差: 
                               介質(zhì)損耗(tgδ):1%±7個(gè)字(加載電流20uA~500mA) 
                               介質(zhì)損耗(tgδ):2%±9個(gè)字(加載電流5uA~20uA) 
                               電容容量(Cx):1.5%±1.5pF

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