介電常數(shù)電橋電容率測試儀應用

無源元件:

電容器、電感器、磁芯、電阻器、壓電器件、變壓器、芯片組件和網(wǎng)絡元件等的阻抗參數(shù)評估和性能分析

半導體元件:

LED驅動集成電路寄生參數(shù)測試分析；變容二極管的C-VDC特性;晶體管或集成電路的寄生參數(shù)分析

其它元件:

印制電路板、繼電器、開關、電纜、電池等的阻抗評估

介質材料:

塑料、陶瓷和其它材料的介電常數(shù)和損耗角評估

磁性材料:

鐵氧體、非晶體和其它磁性材料的導磁率和損耗角評估

半導體材料:

半導體材料的介電常數(shù)、導電率和C-V特性液晶材料：液晶單元的介電常數(shù)

技術指標

1測量范圍及誤差

本電橋的環(huán)境溫度為20±5℃，相對濕度為30%-80%條件下，應滿足下列表中的技術指示要求。

在Cn=100 pF      R4=3183.2（Ω）時

在Cn=100 pF    R4=318.3（Ω）時

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2電橋測量靈敏度

    電橋在使用過程中，靈敏度直接影響電橋平穩(wěn)衡的分辨程度，為保證測量準

確度，希望電橋靈敏度達到一定的水平。通常情況下電橋靈敏度與測量電壓，標準電容量成正比。

    在下面的計算公式中，用戶可根據(jù)實際情況估算出電橋靈敏度水平，在這個水平上的電容與介質損耗因數(shù)的微小變化都能夠反應出來。

     ΔC/C或Δtgδ=Ig/UωCn(1+Rg/R4+Cn/Cx)

式中: U 為測量電壓                              伏特  (V)

      ω為角頻率2πf=314(50Hz)                               

     Cn標準電容器容量                          法拉(F) 

     Ig通用指零儀的電流5×10-10                  安培(A)  

     Rg平衡指零儀內阻約1500                    歐姆(Ω)

     R4橋臂R4阻值3183                         歐姆(Ω)

     Cx被測試品電容值                           法拉(pF)

電橋簡介:

     BQS-37a型高壓電橋是本公司推出的新一代高壓電橋，主要用于測量工業(yè)絕緣材料的介質損耗(tgδ)及介電常數(shù)（ε）。符合GB1409、GB5654及GB/T1693, ASTM D150-1998(2004) 固體電絕緣材料的交流損耗特性及介電常數(shù)的試驗方法其采用了西林電橋的經(jīng)典線路，內附0-5000的數(shù)顯高壓電源及100PF標準電容器，并可按用戶要求擴裝外接標準電容線路。

電極設計為平板型帶保護電極的三端式電容器，絕緣材料的介質損耗角δ是由該絕緣材料作為介質的電容器上所施加的電壓與流過該電容器的電流之間的相位差的余角。絕緣材料的介質損耗因數(shù)是介質損耗角δ的正切值tgδ當絕緣材料制成片狀試樣置于電極中間施加一定的壓力后，可視作由該絕緣材料作為介質的電容器，電容量和介質損耗因數(shù)的測量可在高壓電容電橋上進行。絕緣材料的相對介電常數(shù)εr是電極間及其周圍的空間全部充以絕緣材料時，電容器Cx與同樣構型的真空電容器Co之比:εr=Cx/Co

介電常數(shù)電橋電容率測試儀鍵盤鎖定功能，掉電數(shù)據(jù)保護功能,圖形掃描功能，列表掃描功能、開路、短路、負載校正功能簡體中文、英文操作語言,進行測試數(shù)據(jù)、測試條件保存.

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