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*式框架斷路器

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具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 型號 HSW3-1000/3P-200A
  • 品牌 其他品牌
  • 廠商性質(zhì) 經(jīng)銷商
  • 所在地 溫州市
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更新時間:2023-10-13 13:27:33瀏覽次數(shù):147

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產(chǎn)品簡介

應(yīng)用領(lǐng)域 醫(yī)療衛(wèi)生,能源,電子/電池,道路/軌道/船舶
*式框架斷路器正常操作故障保護(hù)使斷路器處于分?jǐn)辔恢脮r相線,中性線都處在斷開狀態(tài),避免中性線故障時帶電。在進(jìn)行接通和分?jǐn)嗖僮鲿r,中性線接通優(yōu)先,分?jǐn)鄿蟆>哂卸搪废蘖鞴δ?,額定短路分?jǐn)嗄芰Ω?。具有過載保護(hù)短路漏電及電壓保護(hù)裝置,保護(hù)功能齊全,接線方便可靠。

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藍(lán)伊電氣主要產(chǎn)品有:ABB、西門子、施耐德、瑞士佳樂 上海人民、TCL羅格朗,歐姆龍、奧托尼克斯、LS產(chǎn)電、常熟開關(guān)、富士機(jī)電等。堅持“用戶*, 優(yōu)質(zhì)服務(wù)”的宗旨,追求用戶滿意”的核心理念。*式框架斷路器

斷路器按極數(shù)分:有單極、二極、三極和四極等;

按安裝方式分:有插入式、固定式和抽屜式等。

產(chǎn)品介紹A9/EC65小型斷路器:照明配電電路、短路及過載保護(hù)。

A9LE/EPNLE漏電斷路器:的接地系統(tǒng)中,短路過載及漏電保護(hù)。斷路器正常操作故障保護(hù)使斷路器處于分?jǐn)辔恢脮r相線,中性線都處在斷開狀態(tài),避免中性線故障時帶電。在進(jìn)行接通和分?jǐn)嗖僮鲿r,中性線接通優(yōu)先,分?jǐn)鄿?。具有短路限流功能,額定短路分?jǐn)嗄芰Ω摺>哂羞^載保護(hù)短路漏電及電壓保護(hù)裝置,保護(hù)功能齊全,接線方便可靠。

過欠壓脫扣器:全自動過欠壓延時保護(hù)器是我公司根據(jù)市場需要研發(fā)的新一代產(chǎn)品。該保護(hù)器設(shè)計合理,并采用進(jìn)口元器件和國內(nèi)牌元器件組裝,產(chǎn)品能在高壓沖擊和欠壓情況下迅速可靠的切換電源,保護(hù)家用電器。當(dāng)電壓恢復(fù)正常值,經(jīng)延時后能自動接通電路、恢復(fù)供電,能有效保護(hù)電器在電源瞬間通電的沖擊。所有功能全部自動化,無需專人操作,選用雙色發(fā)光二級管指示,安全快捷。

EC100小型斷路器:工業(yè)配電系統(tǒng),短路及過載保護(hù)。額定電流63A-125A,額定短路分?jǐn)嗄芰Ω?,具有短路限流結(jié)構(gòu)。保護(hù)功能齊全,具有過載及短路保護(hù)裝置,接線安全可靠,采用"框式"接線結(jié)構(gòu),功能擴(kuò)展簡便,安全可靠??膳涠喾N附件:漏電脫扣器、輔助觸頭、報警觸頭、分勵脫扣器、欠壓脫扣器、匯流排。

EPD電涌保護(hù)器:EPD插拔式采用與固定式電涌保護(hù)相同的工作原理和選擇準(zhǔn)則。對間接雷電和直接雷電影響或其他瞬時過電壓的電涌進(jìn)行保護(hù)。

*式框架斷路器
HSW系基本型號如下;

HSW1-1000/3P-200A 
HSW1-1000/3P-400A 
HSW1-1000/3P-630A 
HSW1-1000/3P-800A 
HSW1-1000/3P-1000A 
HSW1-2000/3P-630A 
HSW1-2000/3P-800A 
HSW1-2000/3P-1000A 
HSW1-2000/3P-1250A 
HSW1-2000/3P-1600A 
HSW1-2000/3P-2000A 
HSW1-3200/3P-2000A 
HSW1-3200/3P-2500A 
HSW1-3200/3P-2900A 
HSW1-3200/3P-3200A 

上述的效應(yīng)可以用能帶圖(band diagram)來解釋,。在能帶圖里橫軸代表位置,縱軸則是能量。圖中也有費米能階,半導(dǎo)體的本質(zhì)費米能階(intrinsic Fermi level)通常以E來表示。在解釋半導(dǎo)體元件的行為時,能帶圖是非常有用的工具。

折疊半導(dǎo)體材料的制造
為了滿足量產(chǎn)上的需求,半導(dǎo)體的電性必須是可預(yù)測并且穩(wěn)定的,因此包括摻雜物的純度以及半導(dǎo)體晶格結(jié)構(gòu)的品質(zhì)都必須嚴(yán)格要求。常見的品質(zhì)問題包括晶格的錯位(dislocation)、雙晶面(twins),或是堆棧錯誤(stacking fault)都會影響半導(dǎo)體材料的特性。對于一個半導(dǎo)體元件而言,材料晶格的缺陷通常是影響元件性能的主因。

目前用來成長高純度單晶半導(dǎo)體材料常見的方法稱為裘可拉斯基制程(Czochralski process)。這種制程將一個單晶的晶種(seed)放入溶解的同材質(zhì)液體中,再以旋轉(zhuǎn)的方式緩緩向上拉起。在晶種被拉起時,溶質(zhì)將會沿著固體和液體的接口固化,而旋轉(zhuǎn)則可讓溶質(zhì)的溫度均勻。

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