【接近開關(guān)、光電開關(guān)藍(lán)伊電氣工作理念】

承諾一：1、保證全新*

承諾二：2、詳聊（邀扒您-伍琦琦邀而琦琦爾）

承諾三：3、保證售后服務(wù)質(zhì)量

承諾四：4、保證安全準(zhǔn)時(shí)發(fā)貨

流程一：1、客戶確認(rèn)所需采購(gòu)產(chǎn)品型號(hào)

流程二：2、我方會(huì)根據(jù)詢價(jià)單型號(hào)查詢價(jià)格以及交貨期，擬一份詳細(xì)正規(guī)報(bào)價(jià)單

流程三：3，客戶收到報(bào)價(jià)單并確認(rèn)型號(hào)無誤后訂購(gòu)產(chǎn)品

流程四：4、報(bào)價(jià)單負(fù)責(zé)人根據(jù)客戶提供型號(hào)以及數(shù)量擬份銷售合同

流程五：5、客戶收到合同查閱同意后蓋章回傳并按照合同銷售額匯款到公司開戶行

流程六：6、我公司財(cái)務(wù)查到款后，業(yè)務(wù)員安排發(fā)貨并通知客戶跟蹤運(yùn)單

藍(lán)伊電氣主要產(chǎn)品有：ABB、西門子、施耐德、瑞士佳樂 上海人民、TCL羅格朗，歐姆龍、奧托尼克斯、LS產(chǎn)電、常熟開關(guān)、富士機(jī)電等。堅(jiān)持“用戶*， 優(yōu)質(zhì)服務(wù)”的宗旨，追求用戶滿意”的核心理念。*式框架斷路器

斷路器按極數(shù)分:有單極、二極、三極和四極等;

按安裝方式分:有插入式、固定式和抽屜式等。

產(chǎn)品介紹A9/EC65小型斷路器:照明配電電路、短路及過載保護(hù)。

A9LE/EPNLE漏電斷路器:的接地系統(tǒng)中，短路過載及漏電保護(hù)。斷路器正常操作故障保護(hù)使斷路器處于分?jǐn)辔恢脮r(shí)相線，中性線都處在斷開狀態(tài)，避免中性線故障時(shí)帶電。在進(jìn)行接通和分?jǐn)嗖僮鲿r(shí)，中性線接通優(yōu)先，分?jǐn)鄿?。具有短路限流功能，額定短路分?jǐn)嗄芰Ω?。具有過載保護(hù)短路漏電及電壓保護(hù)裝置，保護(hù)功能齊全，接線方便可靠。

過欠壓脫扣器:全自動(dòng)過欠壓延時(shí)保護(hù)器是我公司根據(jù)市場(chǎng)需要研發(fā)的新一代產(chǎn)品。該保護(hù)器設(shè)計(jì)合理，并采用進(jìn)口元器件和國(guó)內(nèi)牌元器件組裝，產(chǎn)品能在高壓沖擊和欠壓情況下迅速可靠的切換電源，保護(hù)家用電器。當(dāng)電壓恢復(fù)正常值，經(jīng)延時(shí)后能自動(dòng)接通電路、恢復(fù)供電，能有效保護(hù)電器在電源瞬間通電的沖擊。所有功能全部自動(dòng)化，無需專人操作，選用雙色發(fā)光二級(jí)管指示，安全快捷。

EC100小型斷路器:工業(yè)配電系統(tǒng)，短路及過載保護(hù)。額定電流63A-125A，額定短路分?jǐn)嗄芰Ω?，具有短路限流結(jié)構(gòu)。保護(hù)功能齊全，具有過載及短路保護(hù)裝置，接線安全可靠，采用"框式"接線結(jié)構(gòu)，功能擴(kuò)展簡(jiǎn)便，安全可靠?？膳涠喾N附件:漏電脫扣器、輔助觸頭、報(bào)警觸頭、分勵(lì)脫扣器、欠壓脫扣器、匯流排。

EPD電涌保護(hù)器:EPD插拔式采用與固定式電涌保護(hù)相同的工作原理和選擇準(zhǔn)則。對(duì)間接雷電和直接雷電影響或其他瞬時(shí)過電壓的電涌進(jìn)行保護(hù)。

*式框架斷路器
HSW系基本型號(hào)如下；

HSW1-1000/3P-200A 
HSW1-1000/3P-400A 
HSW1-1000/3P-630A 
HSW1-1000/3P-800A 
HSW1-1000/3P-1000A 
HSW1-2000/3P-630A 
HSW1-2000/3P-800A 
HSW1-2000/3P-1000A 
HSW1-2000/3P-1250A 
HSW1-2000/3P-1600A 
HSW1-2000/3P-2000A 
HSW1-3200/3P-2000A 
HSW1-3200/3P-2500A 
HSW1-3200/3P-2900A 
HSW1-3200/3P-3200A 

通常摻雜濃度越高，半導(dǎo)體的導(dǎo)電性就會(huì)變得越好，原因是能進(jìn)入傳導(dǎo)帶的電子數(shù)量會(huì)隨著摻雜濃度提高而增加。摻雜濃度非常高的半導(dǎo)體會(huì)因?yàn)閷?dǎo)電性接近金屬而被廣泛應(yīng)用在今日的集成電路制程來取代部份金屬。高摻雜濃度通常會(huì)在n或是p后面附加一上標(biāo)的“+”號(hào)，例如n代表?yè)诫s濃度非常高的n型半導(dǎo)體，反之例如p則代表輕摻雜的p型半導(dǎo)體。需要特別說明的是即使摻雜濃度已經(jīng)高到讓半導(dǎo)體“退化”（degenerate）為導(dǎo)體，摻雜物的濃度和原本的半導(dǎo)體原子濃度比起來還是差距非常大。以一個(gè)有晶格結(jié)構(gòu)的硅本質(zhì)半導(dǎo)體而言，原子濃度大約是5×10 cm，而一般集成電路制程里的摻雜濃度約在10 cm至10 cm之間。摻雜濃度在10 cm以上的半導(dǎo)體在室溫下通常就會(huì)被視為是一個(gè)“簡(jiǎn)并半導(dǎo)體”（degenerated semiconductor）。重?fù)诫s的半導(dǎo)體中，摻雜物和半導(dǎo)體原子的濃度比約是千分之一，而輕摻雜則可能會(huì)到十億分之一的比例。在半導(dǎo)體制程中，摻雜濃度都會(huì)依照所制造出元件的需求量身打造，以合于使用者的需求。