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麥科信MICSIG OIP200B SigOFIT光隔離探頭

麥科信MICSIG OIP B系列SigOFIT光隔離探頭

帶寬：DC-500MHz

共模電壓： 85kVpk

直流增益精度：1%

共模抑制比：高達(dá)180dB

產(chǎn)品概述：

基于SigOFIT™ 技術(shù)的光隔離探頭，擁有的共模抑制比和隔離電壓，在其帶寬范圍內(nèi)洞見信號(hào)的全部真相，

是判定其他 電壓探頭所測(cè)信號(hào)真實(shí)性的裁判。

產(chǎn)品特點(diǎn)：

最真實(shí)的信號(hào)呈現(xiàn)

SigOFIT光隔離探頭具有的共模抑制比，在100MHz時(shí)CMRR高達(dá)128dB、在500MHz時(shí)CMRR仍然高達(dá)114dB，是判定其他電壓探頭所測(cè)信號(hào)真實(shí)性的裁判。

測(cè)試精度與穩(wěn)定性

作為判定其他電壓探頭所測(cè)信號(hào)真實(shí)性的裁判，測(cè)試精度是SigOFIT光隔離探頭的重要指標(biāo)。SigOFIT光隔離探頭，具有幅頻特性，直流增益精度優(yōu)于1%，底噪小于1.46mVrms，預(yù)熱后零點(diǎn)漂移小于500μV。

第三代半導(dǎo)體的最佳測(cè)試手段

第三代半導(dǎo)體器件由于導(dǎo)通與關(guān)斷時(shí)間很短，信號(hào)具有更快的上升沿和下降沿，信號(hào)中具有很高能量的高頻諧波，SigOFIT光隔離探頭在最高帶寬時(shí)，仍然具有超100dB的共模抑制比，可抑制高頻共模噪聲所產(chǎn)生的震蕩，所呈現(xiàn)的信號(hào)沒有額外多余成分，是第三代半導(dǎo)體測(cè)試的工具。

測(cè)試氮化鎵（GaN）不炸管

SigOFIT光隔離探頭測(cè)試引線短且采用同軸傳輸，探頭輸入電容低至2.6pF，測(cè)試氮化鎵（GaN）十分安全。

使用靈活，高效便捷

SigOFIT光隔離探頭比傳統(tǒng)高壓差分探頭體積更小，探頭引線更精巧，使用更加靈活方便；探頭響應(yīng)快，上電即測(cè)，校準(zhǔn)時(shí)間小于1秒，可實(shí)時(shí)保證精確的信號(hào)輸出。

測(cè)試量程更寬

不同于高壓差分探頭只可以測(cè)試高壓信號(hào)，SigOFIT光隔離探頭通過匹配不同的衰減器，可以測(cè)試±1.25V至±5000V的差模信號(hào)，并實(shí)現(xiàn)滿量程輸出，達(dá)到很高的信噪比。

應(yīng)用場(chǎng)景

對(duì)其他電壓探頭所測(cè)結(jié)果準(zhǔn)確性、真實(shí)性存在質(zhì)疑時(shí)，SigOFIT光隔離探頭可作為最終裁判依據(jù)。

電源設(shè)備評(píng)估、電流并聯(lián)測(cè)量、EMI 和 ESD 故障排除

電機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)、功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì) 、電子鎮(zhèn)流器設(shè)計(jì)

氮化鎵、碳化硅、IGBT半/全橋設(shè)備的設(shè)計(jì)與分析

高壓高帶寬測(cè)試應(yīng)用的安全隔離測(cè)試

逆變器、UPS及開關(guān)電源的測(cè)試

寬電壓、寬帶測(cè)試應(yīng)用

各種浮地測(cè)試

產(chǎn)品參數(shù)：

麥科信MICSIG OIP200B SigOFIT光隔離探頭