欧美……一区二区三区,欧美日韩亚洲另类视频,亚洲国产欧美日韩中字,日本一区二区三区dvd视频在线

                    鈣鈦礦特性分析系統(tǒng)

近年來, 有機半導(dǎo)體材料與器件領(lǐng)域的研究和開發(fā)取得了日新月異的進展，其中有機電致發(fā)光二極管、有機薄膜晶體管、有機太陽能電池、有機存 儲器、有機傳感器、有機激光器等相關(guān)有機半導(dǎo)體材料與器件的研究取得了大量的研究成果。隨著有機半導(dǎo)體材料與器件研究和開發(fā)的深入,  研究人員越發(fā)清楚地認識到,  有機半導(dǎo)體中載流子的傳輸能力是影響有機半導(dǎo)體器件性能的一個至關(guān)重要的因素。衡量有機半導(dǎo)體材料載流子傳輸能力的主要參數(shù)是載流子遷移率u,  它直接反映了載流子在電場作用下的運動能力, 因此載流子遷移率的測量是有機半導(dǎo)體材料與器件研究中的重要內(nèi)容。

我公司推出鈣鈦礦特性分析系統(tǒng)有機太陽能電池OPV、鈣鈦礦太陽能電池、OLED器件和其他有機半導(dǎo)體器件載流子遷移率測量系統(tǒng)，為廣大科研工作者和研發(fā)機構(gòu)提供了有力的測試工具。

鈣鈦礦特性分析系統(tǒng)主要應(yīng)用：
*無機半導(dǎo)體材料，有機半導(dǎo)體材料OLED等；
*有機太陽能電池OPV；
*鈣鈦礦太陽能電池Perovskite Solar Cell；
*無機太陽能電池（例如：單晶硅、多晶硅、非晶硅等硅基太陽能電池）；
*染料敏化太陽能電池DSSC；

主要測量功能：
*大功率點MMP，F(xiàn)F，Voc，Isc，遷移率，理想因子（空間電荷限制電流SCLC法）
*電子與空穴遷移率，載流子俘獲動力學(xué)過程（瞬態(tài)光電流法）
*電子與空穴的復(fù)合，載流子俘獲動力學(xué)過程（瞬態(tài)光電壓/瞬態(tài)開路電壓法）
*俘獲動力學(xué)過程（雙脈沖瞬態(tài)光電流）
*載流子遷移率（暗注入瞬態(tài)法）
*串聯(lián)電阻，幾何電容，RC時間（電壓脈沖法）
*參雜密度，電容率，串聯(lián)電阻，載流子遷移率（暗態(tài)線性增加載流子瞬態(tài)法）
*載流子遷移率，載流子密度（光照線性增加載流子瞬態(tài)法）
*載流子復(fù)合過程，朗之萬函數(shù)復(fù)合前因子（時間延遲線性增加載流子瞬態(tài)法）
*不同工作點的載流子強度，載流子遷移率（注入線性增加載流子瞬態(tài)法）
*幾何電容，電容率（MIS線性增加載流子瞬態(tài)法）
*載流子遷移率，陷阱強弱度，等效電路（阻抗譜測試）
*遷移率，陷阱強弱度，電容，串聯(lián)電阻（電容VS頻率）

*內(nèi)建電壓，參雜濃度，注入勢壘，幾何電容（電容VS電壓）

*發(fā)射開關(guān)電壓（電流電壓照度特性）
*發(fā)光壽命，載流子遷移率（瞬態(tài)電致發(fā)光法）

測量技術(shù)：

1）IV/IVL特性：IV和IVL曲線是針對OLED和OPV標(biāo)準(zhǔn)的量測手法，通過曲線可以得到樣品的電流電壓特性關(guān)系、電流電壓與光強的特性關(guān)系；

*對于太陽能電池可通過空間電荷限制電流SCLC分析Pmax、FF、Voc、Isc和遷移率等；

2）瞬態(tài)光電流響應(yīng)法（Transient Photocurrent ）：研究器件內(nèi)電荷載流子俘獲動態(tài)過程和載流子遷移率等；

3）瞬態(tài)光電壓（Transient Photovoltage）：研究器件內(nèi)部電荷載流子俘獲動態(tài)過程和復(fù)合過程；

4)雙脈沖瞬態(tài)光電流（Double Transient Photocurrent）：分析電荷載流子俘獲動態(tài)過程；

5)暗注入瞬態(tài)法（Dark Injection）：電荷載流子遷移率分析；

6)電壓脈沖法（Voltage Pulse）：串聯(lián)電阻、幾何電容和RC效應(yīng)分析；

7)暗態(tài)線性增壓載流子瞬態(tài)法（Dark-CELIV）：參雜濃度、相對介電常數(shù)、串聯(lián)電阻、電荷載流子遷移率測量；

8)光照線性增壓載流子瞬態(tài)法（Photo-CELIV）：提取有機太陽能電池片內(nèi)載流子遷移率mobility ，以及載流子濃度分析等；

9)時間延遲線性增壓載流子瞬態(tài)法（Delaytime-CELIV）：復(fù)合動態(tài)過程分析和郎之萬復(fù)合因子分析等；

10）注入線性增壓載流子瞬態(tài)法（Injection-CELIV）：電荷載流子濃度和電荷載流子遷移率測量分析；

11）MIS-CELIV：幾何電容和相對介電常數(shù)分析；

12）阻抗譜測量（Impedance Spectroscopy）：量測器件內(nèi)電荷載流子遷移率和載流子俘獲動態(tài)過程等；

13）電容頻率測量法（C-f）: 遷移率、陷阱、幾何電容和串聯(lián)電阻測量；

14）電容電壓測量法（C-V）：內(nèi)建電壓、參雜濃度和幾何電容等測量；

13）電容頻率測量法（C-f）: 遷移率、陷阱、幾何電容和串聯(lián)電阻測量；

14）電容電壓測量法（C-V）：內(nèi)建電壓、參雜濃度和幾何電容等測量；