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儲區(qū)。這種方法可以降低成本、空間并提供非易失性數(shù)據(jù)存儲器。

針對非易失性存儲器要求，串行EEPROM器件支持I2C、SPI或微線(Microwire)通訊總線，而串行閃存通常使用SPI總線。由于寫入速度很快且?guī)в蠭2C和SPI串行接口，F(xiàn)RAM在一些系統(tǒng)中得到應(yīng)用。

6．易失性和非易失性存儲器

存儲器可分成易失性存儲器或者非易失性存儲器，前者在斷電后將丟失數(shù)據(jù)，而后者在斷電后仍可保持?jǐn)?shù)據(jù)。設(shè)計(jì)工程師有時(shí)將易失性存儲器與后備電池一起使用，使其表現(xiàn)猶如非易失性器件，但這可能比簡單地使用非易失性存儲器更加昂貴。然而，對要求存儲器容量非常大的系統(tǒng)而言，帶有后備電池的DRAM可能是滿足設(shè)計(jì)要求且性價(jià)比很高的一種方法。

在有連續(xù)能量供給的系統(tǒng)中，易失性或非易失性存儲器都可以使用，但必須基于斷電的可能性做出終決策。如果存儲器中的信息可以在電力恢復(fù)時(shí)從另一個(gè)信源中恢復(fù)出來，則可以使用易失性存儲器。

選擇易失性存儲器與電池一起使用的另一個(gè)原因是速度。盡管非易失存儲器件可以在斷電時(shí)保持?jǐn)?shù)據(jù)，但寫入數(shù)據(jù)(一個(gè)字節(jié)、頁或扇區(qū))的時(shí)間較長。

7．串行存儲器和并行存儲器

在定義了應(yīng)用系統(tǒng)之后，微控制器的選擇是決定選擇串行或并行存儲器的一個(gè)因素。對于較大的應(yīng)用系統(tǒng)，微控制器通常沒有足夠大的內(nèi)部存儲器，這時(shí)必須使用外部存儲器，因?yàn)橥獠繉ぶ房偩€通常是并行的，外部的程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器也將是并行的。

較小的應(yīng)用系統(tǒng)通常使用帶有內(nèi)部存儲器但沒有外部地址總線的微控制器

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