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多孔氮化硅TEM載網(wǎng)與傳統(tǒng)銅網(wǎng)有什么不同?

閱讀:1327      發(fā)布時(shí)間:2024-10-12
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多孔氮化硅TEM載網(wǎng)以高純單晶硅為基底,超薄氮化硅(10~50nm)為支撐膜。這種設(shè)計(jì)不僅確保了載網(wǎng)的高強(qiáng)度和穩(wěn)定性,還使其具有優(yōu)異的電子束穿透性和成像質(zhì)量。

多孔氮化硅TEM載網(wǎng)與傳統(tǒng)銅網(wǎng)相比,使用的超薄氮化硅膜不含碳元素,可有效避免積碳,尤其適合球差原子分辨表征。超薄氮化硅膜更耐酸耐高溫,適用于酸性條件下制備樣品,及1000攝氏度的高溫環(huán)境。具有耐電子束輻照,電子束穿透率高,成像背景均勻和噪音小等優(yōu)點(diǎn)??梢栽诓煌治鰞x器間轉(zhuǎn)移分析,如TEM,AFM,XRD,EXAFS,Raman等。

在使用多孔氮化硅TEM載網(wǎng)時(shí),需要確保樣品能夠牢固地吸附在載網(wǎng)上,以免在TEM測(cè)試過(guò)程中滑落或移動(dòng)。這通常通過(guò)在載網(wǎng)上覆蓋一層支持膜(如碳膜)來(lái)實(shí)現(xiàn)。

多孔氮化硅TEM載網(wǎng)廣泛應(yīng)用于各種納米材料的TEM測(cè)試中,包括但不限于金屬、半導(dǎo)體、陶瓷、高分子材料等。其優(yōu)異的性能使得它成為T(mén)EM測(cè)試中常用的耗材之一。

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