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一、設備特點

碳納米膜制備設備由氣體質量流量計控制系統(tǒng)、液體注液系統(tǒng)、多段溫度可控多區(qū)生長系統(tǒng)、水冷卻系統(tǒng)、碳納米線或膜收集系統(tǒng)，紅外烘干系統(tǒng)等組成。生長爐的最高溫度1400℃，并可在0-1400℃之間連續(xù)可調，垂直式分布熱場，三點控溫(三段長度平均分配)，設備頂部設有注液口、導流器。爐體采用雙層殼體結構并帶有風冷系統(tǒng)，保溫材料為加厚型，殼體表面溫度小于60℃。采用高純氧化鋁管作為爐膛材料，加熱元件為優(yōu)質硅碳棒。測溫采用適用于高溫環(huán)境的“S"型熱電偶，直接和式樣接觸，以提高控溫的精確性。本款碳納米管或膜CVD設備可以實現(xiàn)連續(xù)生長不間斷的特點。

二、技術參數(shù)