一、概述:
半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測(cè)量系統(tǒng)，集多種測(cè)量功能一體，可以精準(zhǔn)測(cè)量不同封裝類型功率器件（如 MOSFET、BJT、IGBT，以及SiC、GaN第三代半導(dǎo)體等） 的靜態(tài)參數(shù)，具有高電壓和大電流特性、μΩ級(jí)導(dǎo)通電阻精準(zhǔn)測(cè)量、納安級(jí)漏電流測(cè)量能力等特點(diǎn)。支持高壓模式下功率器件結(jié)電容測(cè)試， 如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。
二、系統(tǒng)組成
半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測(cè)量系統(tǒng)，主要包括測(cè)試主機(jī)、測(cè) 試線、測(cè)試夾具、電腦、上位機(jī)軟件，以及相關(guān)測(cè)試配件等構(gòu)成。整套系統(tǒng)采??鈦科?主開發(fā)的測(cè)試主機(jī)，內(nèi)置多種規(guī)格電壓、電流、 電容測(cè)量單元模塊。結(jié)合專?上位機(jī)測(cè)試軟件，可根據(jù)測(cè)試項(xiàng)?需要，設(shè)置不同的電壓、電流等參數(shù)，以滿?不同測(cè)試需求。測(cè)試數(shù)據(jù)可保 存與導(dǎo)出，并可?成I‐V以及C‐V特性曲線。此外，測(cè)試主機(jī)可與探針臺(tái) 搭配使?，實(shí)現(xiàn)晶圓級(jí)芯?測(cè)試。
三、半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測(cè)量系統(tǒng)的主要應(yīng)用
1、功率半導(dǎo)體的來(lái)料檢驗(yàn)
2、功率半導(dǎo)體的靜態(tài)參數(shù)驗(yàn)證或標(biāo)定
3、實(shí)驗(yàn)室的器件評(píng)估
4、功率半導(dǎo)體的?產(chǎn)檢驗(yàn)和篩選
5、半導(dǎo)體器件的?藝改進(jìn)評(píng)估
6、半導(dǎo)體器件的失效分析
7、半導(dǎo)體器件的教育科研
四、硬件優(yōu)勢(shì)
功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)，配置有多種測(cè)量單元模塊， 模塊化的設(shè)計(jì)測(cè)試?法靈活，能夠極??便?戶添加或升級(jí)測(cè)量模塊， 適應(yīng)測(cè)量功率器件不斷變化的需求。
1、高電壓達(dá)8000V （擴(kuò)展至10kV）
2、大電流達(dá)6000A （多模塊并聯(lián)）
3、納安級(jí)漏電流uΩ級(jí)導(dǎo)通電阻
4、高精度測(cè)量0.1%
5、模塊化配置可添加或升級(jí)測(cè)量單元
6、測(cè)試效率高、自動(dòng)切換、一鍵測(cè)試
7、兼容多種封裝根據(jù)測(cè)試需求定制夾具
五、測(cè)試夾具
針對(duì)市面上不同封裝類型的硅基功率半導(dǎo)體，IGBT、SiC、MOS、 GaN等產(chǎn)品，力鈦科提供整套測(cè)試夾具解決方案，可用于T0單管，半橋模組等產(chǎn)品的測(cè)試，后期可根據(jù)客戶需求來(lái)定制化相對(duì)應(yīng)封裝。
六、軟件特點(diǎn)：
1、測(cè)試主機(jī)內(nèi)部采用的電壓、電流測(cè)量單元，均采用多量程設(shè)計(jì)，測(cè)試精度為0.1%
2、柵極‐發(fā)射極，支持30V/10A脈沖電流輸出與測(cè)試，可測(cè)試低至皮安級(jí)漏電流
3、集電極‐發(fā)射極，支持6000A高速脈沖電流，典型上升時(shí)間為15μs， 且具備電壓高速同步采樣功能
4、支持8000V電壓輸出，且自帶漏電流測(cè)量功能
5、電容特性測(cè)試包括輸入電容、輸出電容、以及反向傳輸電容測(cè)試，頻率支持1MHz
七、軟件界面
八、測(cè)試器件類型及項(xiàng)目
九、測(cè)試原理
(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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