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從經濟上考慮，Rpo-8型號拋光機是用來研發(fā)CMP工藝流程、拋光晶片的選擇，它的高度靈活性既適用于研究開發(fā)，也適用于半導體生產。
?可互換的探頭尺寸長達6英寸晶片
?采用閉環(huán)力控制系統(tǒng)
?原位和非原位調節(jié)
?標準的工藝流程和消耗品的供應
產品簡介
詳細介紹
Rpo-8型號拋光機
主要特點
技術
化學機械拋光（CMP）是用來對正在加工中的晶片或其他物料進行平坦化處理的過程，而拋光技術則是利用了物理和化學的協同作用對晶片進行的拋光，通過加載儲存在拋光片里的樣本而完成，當包含了研磨劑和活性化學劑兩種成分的拋光液通過底部時，拋光墊和樣本開始計數旋轉。
狀態(tài)
原位和非原位調節(jié)
晶片尺寸
易于替換的晶片夾具允許在同一測試儀上所進行拋光樣本的尺寸小至1英寸大至6英寸。
泵
獨立的可編程泵可提供泥漿，水以及其他的化工產品。
消耗品和相關咨詢
我們所提供的標準拋光材料里包含的不僅僅是儀器還有一系列的消耗品(拋光液，拋光墊等)，與此同時，我們高質量的科學家團隊也會為您提供有關工藝流程開發(fā)和優(yōu)化的咨詢服務。
Rpo-8型號拋光機
規(guī)格
?人工晶片裝載
?易于更換的裝載頭(6,5,4英寸等)
?閉環(huán)力控制系統(tǒng)
?zui大加載150 Kgf(或者8英寸的晶片0.049 Mpa)
?同類中zui小尺寸
?易于操作的TFT彩色觸摸式面板
?MEMS的可選擇載體,*的低介電材料可提供極低的力控制
?菜單存儲
?原位清洗和非原位調節(jié)
應用
?拋光
?技術開發(fā)
?拋光液開發(fā)
?拋光墊表征
?粒子開發(fā)
?環(huán)境開發(fā)