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介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀 介電常數(shù)測(cè)試儀

介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀 介電常數(shù)測(cè)試儀
參考價(jià) 面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 型號(hào) gdat-a
  • 品牌
  • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)商
  • 所在地 北京市

更新時(shí)間:2024-08-12 11:31:09瀏覽次數(shù):2299

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介
滿足標(biāo)準(zhǔn):GBT 1409-2006測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長(zhǎng)在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法

介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀:GDAT-A

滿足標(biāo)準(zhǔn):GBT 1409-2006測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長(zhǎng)在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法

介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀用于科研機(jī)關(guān)、學(xué)校、工廠等單位對(duì)無機(jī)非金屬新材料性能的應(yīng)用研究。
二、技術(shù)指標(biāo)
  1.Q值測(cè)量
   a.Q值測(cè)量范圍:2~1023。
   b.Q值量程分檔:30、100、300、1000、自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔。
   c.標(biāo)稱誤差
項(xiàng)    目   GDAT-A
頻率范圍   20kHz~10MHz;
固有誤差   ≤5%±滿度值的2%;
工作誤差   ≤7%±滿度值的2%;
頻率范圍      10MHz~60MHz;
固有誤差   ≤6%±滿度值的2%;
工作誤差    ≤8%±滿度值的2%。
   2.電感測(cè)量范圍:14.5nH~8.14H
  
3.介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀電容測(cè)量:1~ 460
項(xiàng)    目       GDAT-A
直接測(cè)量范圍     1~460pF
主電容調(diào)節(jié)范圍
準(zhǔn)確度  30~500pF;150pF以下±1.5pF;150pF以上±1%


   注:大于直接測(cè)量范圍的電容測(cè)量見使用規(guī)則
   4.介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀信號(hào)源頻率覆蓋范圍
項(xiàng)     目     GDAT-A
頻率范圍:10kHz~50MHz
頻率分段(虛擬)10~99.9999kHz;100~999.999kHz;1~9.99999MHz;10~60MHz     

  

本儀器測(cè)試儀方法如下: 

儀器的測(cè)試準(zhǔn)備工作
先要詳細(xì)了解配用Q表的使用方法,操作時(shí),要避免人體感應(yīng)的影響。
a. 把配用的Q表主調(diào)諧電容置于較小電容量。
 

b. 把本測(cè)試裝置上的夾具插頭插入到Q 表測(cè)試回路的“電容”兩個(gè)端子上。
 

c. 配上和測(cè)試頻率相適應(yīng)的高Q值電感線圈(本公司 Q表配套使用的LKI-1電感組能滿足要求),           如:1MHz 時(shí)電感取250uH,15MHz時(shí)電感取1.5uH。
 

d. 短按ON/OFF按鍵,打開液晶顯示屏。
 

e. 調(diào)節(jié)平板電容器測(cè)微桿,使平板電容器二極片相接為止,長(zhǎng)按SET按鍵將初始值設(shè)置為0。


4.介電常數(shù)Σ的測(cè)試


a. 再松開二極片,把被測(cè)樣品插入二極片之間,調(diào)節(jié)平板電容器,到二極片夾住樣品止(注意調(diào)節(jié)時(shí)要用測(cè)微桿,以免夾得過緊或過松),這時(shí)能讀取的測(cè)試裝置液晶顯示屏上的數(shù)值,既是樣品的厚度D2。改變Q 表上的主調(diào)電容容量,使Q 表處于諧振點(diǎn)上。


b. 取出平板電容器中的樣品,這時(shí)Q 表又失諧,此時(shí)調(diào)節(jié)平板電容器,使Q 表再回到諧振點(diǎn)上,讀取測(cè)試裝置液晶顯示屏上的數(shù)值記為D4


c. 計(jì)算被測(cè)樣品的介電常數(shù):
                         Σ=D2 / D4

5.介質(zhì)損耗系數(shù)的測(cè)試

a. 重新把測(cè)試裝置上的夾具插頭插入到Q 表測(cè)試回路的“電容”兩個(gè)端上。把被測(cè)樣品插入二極片之間,改變Q 表上的主調(diào)電容容量,使Q 表處于諧振點(diǎn)上,讀得Q 值,記為Q2。電容讀數(shù)記為C2。

b. 取出平板電容器中的樣品,這時(shí)Q 表又失諧,再改變Q 表上的主調(diào)電容容量,使Q 表重新處于諧振點(diǎn)上。讀得Q 值,記為Q1。電容讀數(shù)記為C1。


c. 然后取下測(cè)試裝置,再改變Q 表上的主調(diào)電容容量,重新使之諧振,電容讀數(shù)記為C3,此時(shí)可計(jì)算得到測(cè)試裝置的電容為CZ = C3 -C1


d. 計(jì)算被測(cè)樣品的介質(zhì)損耗系數(shù)公式如下:
?

式中:CZ 為測(cè)試裝置的電容(平板電容器二極片間距為樣品的厚度D2)C0 為測(cè)試電感的分布電容               (參考LKI-1 電感組的分布電容值)


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