其中：SB120線圈平臺(tái)及TE120/1樣品平臺(tái)可分別對(duì)磁電阻薄膜的磁電阻及導(dǎo)體/半導(dǎo)體電阻率進(jìn)行測(cè)試及研究。

該實(shí)驗(yàn)平臺(tái)由帶360o刻度的底盤，安裝在底盤內(nèi)可旋轉(zhuǎn)360o的襯盤，安裝在底盤上的樣品平臺(tái)（高低可調(diào)）以及安裝在樣品平臺(tái)上的四探針等組成SB100/1樣品平臺(tái)。

SB120線圈平臺(tái)主要增加了二個(gè)相同類型的亥姆霍茲磁場(chǎng)線圈，分別安置在樣品平臺(tái)的兩側(cè)，且固定在可旋轉(zhuǎn)360o的襯盤兩邊上，樣品平臺(tái)位于磁場(chǎng)的中心，在其通電0-60V/5A的情況下，可確保產(chǎn)生磁場(chǎng)0-150奧斯特。

該實(shí)驗(yàn)平臺(tái)為被測(cè)樣品在磁場(chǎng)及非磁場(chǎng)情況下，對(duì)其的測(cè)試研究提供了方便。