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上海起發(fā)實驗試劑有限公司

2dsemiconductors Ta2NiS5 晶體簡介

時間：2022-6-7閱讀：1656
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2dsemiconductors Ta2NiS5 晶體簡介

2D 激子絕緣體

激子絕緣體是表現(xiàn)出相關(guān)電子相的新型材料系統(tǒng)。當(dāng)激子結(jié)合能 (Eb) 大于帶隙 (Eg) 時，激子會凝聚到其基態(tài)。半導(dǎo)體中的激子凝聚通過 Bose-Einstein 凝聚過程發(fā)生，而半金屬中的凝聚通過 Bardeen-Cooper-Schrieffer (BCS) 過程發(fā)生。正交傳導(dǎo)（電子）和價（空穴）帶之間的庫侖引力引起的自發(fā)帶雜化打開帶隙并驅(qū)動系統(tǒng)進(jìn)入絕緣狀態(tài)


Ta2NiS5 晶體

貨號： BLK-Ta2NiS5

分子式： Ta2NiS5



Ta2NiS5 晶體

Ta2NiS5 是一種窄帶隙半導(dǎo)體 (Eg~0.39 eV)，具有可疑的激子絕緣體行為，如在其姊妹化合物TA2NISE5中觀察到的。激子絕緣體是表現(xiàn)出相關(guān)電子相的新型材料系統(tǒng)。當(dāng)激子結(jié)合能 (Eb) 大于帶隙 (Eg) 時，激子會凝聚到其基態(tài)。半導(dǎo)體中的激子凝聚通過 Bose-Einstein 凝聚過程發(fā)生，而半金屬中的凝聚通過 Bardeen-Cooper-Schrieffer (BCS) 過程發(fā)生。正交傳導(dǎo)（電子）和價（空穴）帶之間的庫侖引力引起的自發(fā)帶雜化打開帶隙并驅(qū)動系統(tǒng)進(jìn)入絕緣狀態(tài)

Ta2NiS5 晶體的性質(zhì)

 

Ta2NiS5晶體的原子結(jié)構(gòu)

 

Ta2NiS5 晶體的拉曼光譜






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