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腦外傷打擊裝置-腦外傷打擊裝置,自由落體打擊器、液壓打擊器、CCI現(xiàn)貨
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貨物所在地: 北京北京市
產(chǎn)地: 美國(guó)VCU
更新時(shí)間: 2025-04-24 21:00:21
期: 2025年4月24日--2025年10月24日
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VCU創(chuàng)傷性顱腦損傷儀

創(chuàng)傷性腦損傷(traumatic brain injury,TBI)是神經(jīng)外科Z常見(jiàn)的疾病,是導(dǎo)致創(chuàng)傷患者傷殘及死亡的主要原因。研究腦損傷后的神經(jīng)生化、神經(jīng)病理生理等方面的變化,可為探索行之有效的腦保護(hù)治療提供幫助,將有助于提高顱腦損傷患者的生存率及生存質(zhì)量。故建立各種便于觀察和施加干預(yù)因素、控制性佳、可分級(jí)、可復(fù)制性好并符合人類腦創(chuàng)傷特點(diǎn)的創(chuàng)傷性腦損傷模型,是目前創(chuàng)傷性

詳細(xì)介紹

細(xì)胞損傷控制儀(CIC)

    細(xì)胞損傷控制儀(Cell Injury Controller II)采取電子式控制,適合腦源性細(xì)胞培養(yǎng)樣品,或其它離體培養(yǎng)細(xì)胞的牽張性(strain-induced trauma)損傷模型制作。損傷后可進(jìn)行神經(jīng)生化、形態(tài)學(xué)、生理學(xué),藥物干預(yù)等方面的研究。細(xì)胞損傷控制儀使用Flexcell Int’l corp具有的組織培養(yǎng)系統(tǒng)。細(xì)胞損傷控制儀平均把壓縮氣體送到每個(gè)培養(yǎng)室,以造成培養(yǎng)組織牽張性的損傷,損傷的嚴(yán)重程度是依靠控制進(jìn)出密閉培養(yǎng)室的氣體量。培養(yǎng)室的峰值壓力同時(shí)被記錄下來(lái),這個(gè)數(shù)值可以用來(lái)地表明引起牽張性細(xì)胞損傷的氣壓值。細(xì)胞損傷控制儀(CIC II)可以搭配Flex I® 29.45cm2 culturing trays I (針對(duì)VCU早期的細(xì)胞損傷控制儀)或BioFlex® 57.75cm2 culturing trays。因?yàn)楦鶕?jù)所采用的細(xì)胞種類、損傷的程度、培養(yǎng)的狀況,受損后的細(xì)胞或許會(huì)因?yàn)樯鲜鲆蛩厮劳龌蛐迯?fù),所以VCU的細(xì)胞損傷控制儀(CIC II)很適合應(yīng)用在下列損傷反應(yīng)研究:細(xì)胞受損、修護(hù),死亡,藥物介入。

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