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本儀器適用于半導(dǎo)體材料廠、半導(dǎo)體器件廠、科研單位、高等院校對(duì)半導(dǎo)體材料的電阻性能測(cè)試。
運(yùn)用四探針測(cè)量原理的多用途綜合測(cè)量設(shè)備。該儀器按照單晶硅物理測(cè)試方法國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的，*于測(cè)試半導(dǎo)體材料電阻率及方塊電阻（薄層電阻）的*儀器。
儀器由主機(jī)、測(cè)試臺(tái)、四探針探頭、計(jì)算機(jī)等部分組成，測(cè)量數(shù)據(jù)既可由主機(jī)直接顯示，亦可由計(jì)算機(jī)控制測(cè)試采集測(cè)試數(shù)據(jù)到計(jì)算機(jī)中加以分析
產(chǎn)品簡(jiǎn)介
詳細(xì)介紹
四探針測(cè)試儀（主機(jī)、S2A 測(cè)試臺(tái)、FT201探頭，帶軟件）
貨號(hào)：PN000877
產(chǎn)品資料
四探針測(cè)試儀（主機(jī)、S2A 測(cè)試臺(tái)、FT201探頭）
本儀器適用于半導(dǎo)體材料廠、半導(dǎo)體器件廠、科研單位、高等院校對(duì)半導(dǎo)體材料的電阻性能測(cè)試。
運(yùn)用四探針測(cè)量原理的多用途綜合測(cè)量設(shè)備。該儀器按照單晶硅物理測(cè)試方法國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的，于測(cè)試半導(dǎo)體材料電阻率及方塊電阻(薄層電阻)的儀器。
儀器由主機(jī)、測(cè)試臺(tái)、四探針探頭、計(jì)算機(jī)等部分組成，測(cè)量數(shù)據(jù)既可由主機(jī)直接顯示，亦可由計(jì)算機(jī)控制測(cè)試采集測(cè)試數(shù)據(jù)到計(jì)算機(jī)中加以分析，然后以表格，圖形方式統(tǒng)計(jì)分析顯示測(cè)試結(jié)果。
儀器采用了新電子技術(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)、裝配。具有功能選擇直觀、測(cè)量取數(shù)快、精度高、測(cè)量范圍寬、穩(wěn)定性好、結(jié)構(gòu)緊湊、易操作等特點(diǎn)。
測(cè)試程序控制四探針測(cè)試儀進(jìn)行測(cè)量并采集測(cè)試數(shù)據(jù)，把采集到的數(shù)據(jù)在計(jì)算機(jī)中加以分析，然后把測(cè)試數(shù)據(jù)以表格，圖形直觀地記錄、顯示出來(lái)。用戶可對(duì)采集到的數(shù)據(jù)在電腦中保存或者打印以備日后參考和查看，還可以把采集到的數(shù)據(jù)輸出到Excel中，讓用戶對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行各種數(shù)據(jù)分
析
測(cè)量范圍 | 電阻率：10-5～105 Ω.cm(可擴(kuò)展)； |
可測(cè)晶片直徑 | 140mmX150mm(配S-2A型測(cè)試臺(tái))； |
恒流源 | 電流量程分為1μA、10μA、100μA、1mA、10mA、100mA六檔，各檔電流連續(xù)可調(diào) |
數(shù)字電壓表 | 量程及表示形式：000.00～199.99mV； |
四探針探頭基本指標(biāo) | 間距：1±0.01mm； |
四探針探頭應(yīng)用參數(shù) | (見(jiàn)探頭附帶的合格證) |
模擬電阻測(cè)量相對(duì)誤差 | 0.01Ω、0.1Ω、1Ω、10Ω、100Ω、1000Ω、10000Ω≤0.3%±1字 |
整機(jī)測(cè)量大相對(duì)誤差 | (用硅標(biāo)樣片：0.01-180Ω.cm測(cè)試)≤±5% |
整機(jī)測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)不確定度 | ≤5% |
計(jì)算機(jī)通訊接口 | 并口，高速并行采集數(shù)據(jù)，連接電腦使用時(shí)采集數(shù)據(jù)到電腦的時(shí)間只需要1.5 秒 （在 0.1mA、1mA、10mA、100mA量程檔時(shí)）。連接電腦使用時(shí)帶自動(dòng)測(cè)量功能， 自動(dòng)選擇適合樣品測(cè)試電流量程； |
標(biāo)準(zhǔn)使用環(huán)境 | 溫度：23±2℃； |
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