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　　真空鍍碳儀為SEM、TEM、STEM、EDS/WDS、EBSD和微探針?lè)治鎏峁└哔|(zhì)量的鍍膜技術(shù)。系統(tǒng)結(jié)構(gòu)緊湊，所占空間小。樣品室直徑150mm，可快速抽真空進(jìn)行鍍膜處理，處理周期約10分鐘。高真空條件下使用超純的碳棒為嚴(yán)格的高分辨掃描電鏡、透射電鏡、EBSD及探針?lè)治鎏峁└哔|(zhì)量的鍍膜處理。組件設(shè)計(jì)方式可方便地對(duì)不同優(yōu)化條件下的各種應(yīng)用進(jìn)行切換。

 

　　真空鍍碳儀的使用步驟：

　　電控柜操作：

　　1、開(kāi)水泵、氣源。

　　2、開(kāi)總電源。

　　3、開(kāi)維持泵、真空計(jì)電源，真空計(jì)檔位置V1位置，等待其值小于10后，再進(jìn)入下一步操作。約需5分鐘。

　　4、開(kāi)機(jī)械泵、預(yù)抽，開(kāi)渦輪分子泵電源、并啟動(dòng)，真空計(jì)開(kāi)關(guān)換到V2位置，抽到小于2為止，約需20分鐘。

　　5、觀察渦輪分子泵讀數(shù)到達(dá)250以后，關(guān)預(yù)抽，開(kāi)前級(jí)泵和高真空閥繼續(xù)抽真空，抽真空到達(dá)一定程度后才能開(kāi)右邊的高真空表頭，觀察真空度。真空到達(dá)2×10-3以后才能打開(kāi)電子槍電源。

 

　　操作：

　　1、總電源。

　　2、同時(shí)開(kāi)電子槍控制Ⅰ和電子槍控制Ⅱ電源：按電子槍控制Ⅰ電源、延時(shí)開(kāi)關(guān)，延時(shí)、電源及保護(hù)燈亮，三分鐘后延時(shí)及保護(hù)燈滅，若后門(mén)未關(guān)好或水流繼電器有故障，保護(hù)燈會(huì)常亮。

　　3、開(kāi)高壓，高壓會(huì)達(dá)到10KV以上，調(diào)節(jié)束流可到200mA左右，簾柵為20V/100mA，燈絲電流1.2A，偏轉(zhuǎn)電流在1~1.7之間擺動(dòng)。

 

　　關(guān)機(jī)順序：

　　1、關(guān)高真空表頭、關(guān)分子泵。

　　2、待分子泵顯示到50時(shí)，依次關(guān)高閥、前級(jí)、機(jī)械泵，這期間約需40分鐘。

　　3、到50以下時(shí)，再關(guān)維持泵。