RYHM-2絕緣子鹽密灰密測(cè)試儀
- 公司名稱 上海米遠(yuǎn)電氣有限公司
- 品牌 MIY/米遠(yuǎn)電氣
- 型號(hào)
- 產(chǎn)地 上海市
- 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
- 更新時(shí)間 2025/5/20 15:13:43
- 訪問次數(shù) 5
絕緣子鹽密灰密測(cè)試儀鹽密灰密檢測(cè)儀鹽灰密一體機(jī)鹽密灰密檢測(cè)儀價(jià)格鹽密灰密檢測(cè)儀廠家
聯(lián)系方式:袁經(jīng)理18017352395 查看聯(lián)系方式
聯(lián)系我們時(shí)請(qǐng)說明是化工儀器網(wǎng)上看到的信息,謝謝!
變頻串聯(lián)諧振試驗(yàn)裝置,電纜故障測(cè)試儀,真空濾油機(jī),回路電阻測(cè)試儀,絕緣電阻測(cè)試儀,現(xiàn)場(chǎng)動(dòng)平衡測(cè)量?jī)x,變壓器容量特性測(cè)試儀,電纜耐壓儀
產(chǎn)地類別 | 國(guó)產(chǎn) | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 電子/電池,電氣 |
---|
RYHM-2絕緣子鹽密灰密測(cè)試儀
RYHM-2絕緣子鹽密灰密測(cè)試儀用于檢測(cè)電力線路中絕緣子的污穢附著情況,該儀器可一次測(cè)量絕緣子鹽密度和灰密度,簡(jiǎn)化了絕緣子污穢檢測(cè)的流程,非常適合巡檢現(xiàn)場(chǎng)和實(shí)驗(yàn)室使用。電力線路中絕緣子的污穢程度主要通過鹽密度(ESDD)和灰密度的(NSDD)來(lái)表征,該儀器同時(shí)具備測(cè)量鹽密度和灰密度的功能。內(nèi)置了常用溶液體積、絕緣子型號(hào),方便用戶直接調(diào)用,絕緣子型號(hào)與表面積支持用戶自定義,增加數(shù)據(jù)保存功能,可保存十萬(wàn)組測(cè)試數(shù)據(jù),本機(jī)查看數(shù)據(jù),支持U盤導(dǎo)出數(shù)據(jù),并配有上位機(jī)數(shù)據(jù)處理軟件,方便用戶在計(jì)算機(jī)上查看、編輯、導(dǎo)出Excel表格。
2.1 儀器構(gòu)成
檢測(cè)儀各部分組成如圖2.1,各部分功能如下:
顯示屏:該顯示屏為觸摸顯示屏,除顯示測(cè)量結(jié)果等數(shù)據(jù)外還可通過觸摸屏輸入?yún)?shù)、操作檢測(cè)、歷史記錄查看等功能。
打印機(jī):以小票形式打印檢測(cè)結(jié)果,需要自行更換打印紙。
檢測(cè)口:待檢測(cè)的溶液可通過檢測(cè)口倒入內(nèi)部檢測(cè)容器以便進(jìn)行測(cè)量。
排水口:測(cè)量完成后用來(lái)排出被測(cè)溶液,排水前要插入儀器配套的排水管。
充電口:使用配套充電器通過充電口給儀器充電。
排水鍵:控制儀器排水功能,當(dāng)檢測(cè)結(jié)束后可按下此按鍵將加入檢測(cè)口的溶液通過排水口排出。
電源鍵:控制儀器總電源,按下儀器開機(jī)。
USB口:可插入儀器配套U盤進(jìn)行數(shù)據(jù)導(dǎo)出或程序升級(jí)。
2.2 主要參數(shù)表及相關(guān)術(shù)語(yǔ)
項(xiàng)目 | 范圍 |
灰密度測(cè)試范圍 | 0—9.9999mg/cm2 |
電導(dǎo)率測(cè)試范圍 | 0-200000uS/cm |
鹽密度測(cè)試范圍 | 0—9.9999mg/cm2 |
灰密度誤差范圍 | ±3%FS |
電導(dǎo)率誤差范圍 | ±1%FS |
鹽密度誤差范圍 | ±1%FS |
顯示屏 | 7寸高清觸摸屏 |
電源電壓 | 12.6V 6000mAh鋰電池 |
環(huán)境溫度 | 0—40℃ |
相對(duì)濕度 | ≤85% |
外形尺寸 | 407*342*193mm |
儀器重量 | 4.6Kg |
相關(guān)術(shù)語(yǔ):
1、參照盤形懸式絕緣子 reference cap and pin insulator
XP-70、XP-160、LXP-70和LXP-160普通盤形懸式絕緣子(根據(jù)GB/T 7253),通常7~9片組成一串用來(lái)測(cè)量現(xiàn)場(chǎng)污穢度。
2、爬電距離 creepage distance
在兩個(gè)導(dǎo)電部分之間,沿絕緣體表面的最短距離。
注:水泥或其他非絕緣膠合材料表面不認(rèn)為是爬電距離的構(gòu)成部分。如果絕緣子的絕緣件的某些部分覆蓋有高電阻層,則該部分應(yīng)認(rèn)為是有效絕緣表面并且沿其上面的距離應(yīng)包括在爬電距離內(nèi)。
3、統(tǒng)一爬電比距 unified specific creepage distance(USCD)
絕緣子的爬電距離與其兩端承擔(dān)的最高運(yùn)行電壓(對(duì)于交流系統(tǒng),為最高相電壓)之比,mm/kV。
4、附鹽密度 salt deposit density(SDD)
人工涂覆于給定絕緣子表面(不包括金屬部件和裝配材料)上氯化鈉總量除以表面積,mg/cm2。
5、等值附鹽密度 equivalent salt deposit density(ESDD)
絕緣子單位絕緣表面上的等值附鹽量,mg/cm2。
6、不溶物密度(簡(jiǎn)稱灰密) non soluble deposit density(NSDD)
絕緣子單位絕緣表面上清洗的非可溶殘留物總量除以表面積,mg/cm2。
7、現(xiàn)場(chǎng)等值鹽度 site equivalent salinity(SES)
根據(jù)GB/T 4585進(jìn)行鹽霧試驗(yàn)時(shí)的鹽度。用該鹽度試驗(yàn),在相同絕緣子和相同電壓下,產(chǎn)生的泄露電流峰值與現(xiàn)場(chǎng)自然污穢條件下的泄露電流基本相同。
8、現(xiàn)場(chǎng)污穢度 site pollution severity(SPS)
在適當(dāng)?shù)臅r(shí)間段內(nèi)測(cè)量到的污穢嚴(yán)重程度ESDD/NSDD或SES的最大值。
9、現(xiàn)場(chǎng)污穢度等級(jí) site pollution severity class
將污穢嚴(yán)重程度從非常輕到非常嚴(yán)重按SPS的分級(jí)。
10、帶電系數(shù)K1 energy coefficient K1
同形式絕緣子帶電所測(cè)ESDD/NSDD(SES)值與非帶電所測(cè)ESDD/NSDD(SES)值之比,K1一般為1.1~1.5。