| 產地類別 | 進口 | 價格區(qū)間 | 面議 |
|---|---|---|---|
| 應用領域 | 環(huán)保,化工,能源,電子/電池,航空航天 | 波長響應范圍： | 1.8-12微米 |
| 信號探測頻率： | DC到高頻 | 峰值響應率： | Ri>0.14A/W（典型） |
| 峰值探測率： | D*>7.7E9（典型） | 制冷方式： | 非制冷，室溫工作 |
| 響應時間： | 1.65納秒（典型） |
III-V族長波紅外探測器光敏材料為InAsSb，帶有超半球浸沒透鏡；波長響應為1.8-12微米、有寬的波長響應域，覆蓋從短波到長波紅外；無需制冷工作在室溫環(huán)境；工作方式為光伏探測，前置放大電路簡單。相對于碲鎘汞材料的PCI光導長波探測器，具有很好的低頻噪聲特性，可以用于直流或低頻紅外信號探測。
III-V族長波紅外探測器的主要技術指標：
工作環(huán)境溫度：20 攝氏度（室溫）；
波長響應范圍：1.8-12微米
峰值響應波長：7.1微米；
峰值電流響應率Ri：> 0.14 A/W（典型）;
峰值探測率D*：>7.7x109（典型）;
1.8微米處響應率：>10%峰值響應率；
12微米處響應率：>10%峰值響應率；
響應時間：<1.65 納秒（典型）
封裝：TO-39；
入射角：>36 度
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